公开(公告)号：CN107540117A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201610467284.4

申请日：2016-06-24

Applicant: 锋霈环境科技股份有限公司 ,  住友精密工业株式会社

Inventor： 商能洲 ,  卢宗隆 ,  王智滢 ,  河野孝

IPC: C02F9/04 ,  C02F101/16

Abstract: 本发明公开一种含氨废水处理装置，包含：一反应部，具有可处理含有氨的废水的至少一个反应塔；一臭氧供给部，可将臭氧供给到该反应塔内的废水；以及一溴离子供给部，可将溴离子供给到于该反应塔所处理的废水。通过让溴离子供给部往废水供给溴离子的技术手段，可将于反应塔所处理的废水中的溴离子调节到既定浓度。臭氧供给部将臭氧供给到于反应塔所处理的废水。藉此，即可调节供给到反应塔的臭氧的供给速度。据此，即可最适当化调节反应塔的废水的溴离子的浓度及臭氧供给速度。该结果即可对废水中的溴离子来控制让臭氧供给速度过剩。

公开(公告)号：CN106045006A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610157629.6

申请日：2016-03-18

Applicant: 住友精密工业株式会社

Inventor： 林田英丽 ,  河野孝

IPC: C02F1/78

CPC classification number: C02F1/78 ,  C02F2201/784

Abstract: 本发明提供一种水处理装置及水处理方法，该水处理装置具备：反应槽，流入被处理水；散气装置，通过散气将臭氧供给到反应槽内；及喷射器装置，将臭氧和被处理水混合后供给到反应槽的被处理水中。并且，通过喷射器装置供给到反应槽内的臭氧量比通过散气装置供给到反应槽内的臭氧量少。

公开(公告)号：CN105637405A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201480057389.1

申请日：2014-11-07

Applicant: 住友精密工业株式会社

Inventor： 平田泰之 ,  松冈元

IPC: G02B26/08 ,  B81C1/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B81C1/00492 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00404 ,  B81C1/00603 ,  B81C2201/0102 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0198 ,  G02B26/0841

Abstract: 在从第一硅层(210)侧对SOI基板(200)进行蚀刻的第一蚀刻工序中，将第一结构体中的由第一硅层(210)所构成的部分形成为具有比最终形状还大的形状的预结构。在将最终掩模(390)形成在SOI基板(200)的第二硅层(230)侧的掩模形成工序中，将与第一结构体的最终形状对应的第一掩模(391)形成为布置在预结构内。在从第二硅层(230)侧对SOI基板(200)进行蚀刻的第二蚀刻工序中，通过利用第一掩模(391)对第二硅层(230)和预结构进行蚀刻，从而形成第一结构体的最终形状。

公开(公告)号：CN105474443A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480046226.3

申请日：2014-08-08

Applicant: 住友精密工业株式会社

Inventor： 上荷広之

IPC: H01M8/10 ,  H01M8/0258

CPC classification number: H01M8/0258 ,  H01M8/026 ,  H01M8/241 ,  H01M8/2425 ,  H01M8/2483 ,  H01M2008/1293

Abstract: 层叠的发电元件(2)包括单元(10)、阳极板(30)以及阴极板(50)。阴极板(50)包括多条第一气体流路(58)和多条第二气体流路(61)，该多条第一气体流路(58)从单元(10)的一端部朝着相对一侧的另一端部延伸。该多条第二气体流路(61)位于第一气体流路(58)和单元(10)之间，朝着与第一气体流路(58)延伸的延伸方向交叉的方向延伸且暴露在单元(10)一侧，并且，多条第二气体流路(61)中的每一条第二气体流路(61)在层叠方向的交叉部分附近与多条第一气体流路(58)中的至少两条以上的第一气体流路(58)连通。

公开(公告)号：CN103221776A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201180055611.0

申请日：2011-09-26

Applicant: 住友精密工业株式会社

Inventor： 孙崎太

IPC: G01C19/38

CPC classification number: G01C19/38

Abstract: 本发明提供一种仅利用一个驱动源就能够指向六个方向的6方向指向装置。6方向指向装置（1）设置在XYZ正交坐标系内。6方向指向装置（1）包括转轴（20）、旋转构件（21）、驱动源（3）以及引导构件（4）。转轴沿着X轴方向延伸。旋转构件（21）能够绕相对于转轴（20）倾斜αdeg的倾斜轴线旋转，并与转轴（20）相连结。旋转构件（21）具有xyz正交动坐标系。旋转构件（21）还包括球体状表面和球体状表面的绕x轴形成的轨道部（OP）。驱动源（3）使转轴（20）绕X轴旋转。引导构件（4）固定在XYZ正交坐标系中，并与轨道部（OP）相接触。轨道部（OP）具有在利用转轴（20）的旋转一边与引导构件（4）接触一边旋转时，使旋转构件（21）的y轴依次朝向绕X轴每隔60deg地彼此相交的U轴、V轴、W轴的＋方向和－方向的形状。

公开(公告)号：CN102356014B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201080012337.4

申请日：2010-03-12

Applicant: 住友精密工业株式会社

Inventor： 三木启治 ,  安东贤二

IPC: B61C17/00 ,  H01L23/467 ,  H05K7/20

CPC classification number: B61C17/00 ,  H01L23/467 ,  H01L2924/0002 ,  H05K7/209 ,  Y02T30/10 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种冷却装置。该冷却装置被安装在移动体上而暴露在伴随着该移动体移动所产生的行驶风里，包括底板具有多个散热片的散热部。散热部至少在该散热部的前端部具有设置在各细长流路的起立端(亦即远离底板一侧的那一端)的前端并跨越前后方向的规定范围延伸的空气流调整部。

公开(公告)号：CN102356014A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201080012337.4

申请日：2010-03-12

Applicant: 住友精密工业株式会社

Inventor： 三木启治 ,  安东贤二

IPC: B61C17/00 ,  H01L23/467 ,  H05K7/20

CPC classification number: B61C17/00 ,  H01L23/467 ,  H01L2924/0002 ,  H05K7/209 ,  Y02T30/10 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种冷却装置。该冷却装置被安装在移动体上而暴露在伴随着该移动体移动所产生的行驶风里，包括底板具有多个散热片的散热部。散热部至少在该散热部的前端部具有设置在各细长流路的起立端(亦即远离底板一侧的那一端)的前端并跨越前后方向的规定范围延伸的空气流调整部。

公开(公告)号：CN101346807B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200780000889.1

申请日：2007-07-27

Applicant: 住友精密工业株式会社

Inventor： 山本孝 ,  田中雅彦 ,  野泽善幸 ,  村上彰一

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32963 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/3343 ,  H01L21/3065 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种不需设定用以检测终点的特别区域的等离子蚀刻方法及装置。在对SF6气体进行等离子化以对Si膜上的防腐蚀底膜(EtchingGround)进行蚀刻的蚀刻步骤中，将该步骤由供应多量的SF6气体的多量供应步骤与供应少量的SF6气体的少量供应步骤两个步骤构成。终点检测处理部34测定少量供应步骤中的等离子中的Si或SiFx的发光强度，当所测定的发光强度在预先设定的基准值以下时，判定为蚀刻终点。

公开(公告)号：CN101840156A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010143420.7

申请日：2010-03-17

Applicant: 住友精密工业株式会社

Inventor： 菅长大辅 ,  松元俊二

IPC: G03F7/16 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，能够防止在基板传送用辊的温度上升时该辊的旋转轴变形。该基板处理装置包括：夹持基板而进行传送的下辊、第一上辊及第二上辊；保持各辊而使各辊旋转自如的辊保持机构；朝向所传送的基板的上表面喷出流体的流体喷出机构；对流体喷出机构供给流体的流体供给机构。辊保持机构包括：在基板的两外侧隔开一定间隔相对向的第一架台及第二架台，该第一架台保持下辊的一端而使该一端旋转自如，该第二架台保持下辊的另一端，而使该另一端旋转自如且在轴线方向上能够位移；第一保持构件，其由第一架台支承，并保持第一上辊而使第一上辊旋转自如；第二保持构件，其由第二架台支承，并保持第二上辊而使第二上辊旋转自如。

公开(公告)号：CN101034660B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200710086066.7

申请日：2007-03-08

Applicant: 住友精密工业株式会社

Inventor： 粟野宪康

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明提供一种即使基板的搬入时间产生延迟，也能够使作为整体的蚀刻时间一定，可在基板之间进行均匀的蚀刻的基板处理装置。当利用第一检测装置(29a)检测基板K已进入到处理区域(20)内时，将处理液供给至基板K上，进行一次处理，同时，测量从基板K进入至结束搬入为止的经过时间，作为基板搬入时间。另外，从完全搬入基板K开始进行二次处理，在所测量的基板搬入时间为在基准搬入时间内的情况下，以标准的搬送速度搬送基板K，进行二次处理，在基板搬入时间比基准搬入时间长的情况下，计算消除所超过的延迟时间所需的搬送速度，以所计算的搬送速度搬送基板K，进行二次处理。