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公开(公告)号：CN111448336B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201880079685.X
申请日：2018-12-27
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 寺村享祐
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , C23C14/08 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 实施方式的一个方案的氧化物烧结体是包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、锡(Sn)、铝(Al)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物烧结体，各元素的原子比满足下述式(1)～(4)。0.70≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.98 (1)；0.01≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.29 (2)；0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.10 (3)；0.50
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公开(公告)号：CN108699675A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680082262.4
申请日：2016-12-28
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的溅射靶材包含选自In、Ga、Zn、Sn和Al中的至少一种的氧化物。该溅射靶材在表面不具有来自铁的面积为1000μm2以上的变色部，或者在具有来自铁的面积为1000μm2以上的变色部的情况下该变色部的比例为0.02个/1200cm2以下。该溅射靶材适合通过在其制造工序中包括至少一次磁选工序的方法来制造。
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公开(公告)号：CN104540977A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201380042347.6
申请日：2013-04-10
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 寺村享祐
CPC classification number: H01J37/3426 , B22F3/15 , C22C1/0466 , C22C5/06 , C22C33/0278 , C23C14/3414 , G11B5/653 , G11B5/851 , C22C5/04
Abstract: 本发明提供一种烧结体以及溅射靶，所述烧结体含有Fe、Pt、C以及Ag，在所述烧结体中，在将Fe、Pt、C以及Ag的组成表示为(Fex/100Pt(100-x)/100)100-y-zAgyCz时，35≤x≤65，1≤y≤20，13≤z≤60，且所述烧结体的相对密度为95％以上，氧含量为700ppm以下，由Ag构成的相的长轴长度为20μm以下。由于由所述烧结体而得到的溅射靶为高密度、低氧含量，且具有均匀的组织，因此能够形成在膜特性方面较为优异且高性能的薄膜例如磁记录膜。
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公开(公告)号：CN118140007A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202380014138.4
申请日：2023-01-16
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C23C14/34 , C01G15/00 , C01G35/00 , C04B35/453 , C23C14/08 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明的溅射靶材由包含铟(In)元素、锌(Zn)元素及钽(Ta)元素的氧化物制成，各元素的原子比满足式(1)至(3)的全部式子，0.1≤(In+Ta)/(In+Zn+Ta)＜0.4(1)，0.6＜Zn/(In+Zn+Ta)≤0.9(2)，0.001≤Ta/(In+Zn+Ta)＜0.014(3)，所述溅射靶材的相对密度为95％以上，使用该溅射靶材制造上述相同组成的氧化物半导体。
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公开(公告)号：CN118056282A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202380013886.0
申请日：2023-01-16
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/203 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管，其包括：具有250℃以下的玻璃化转变温度的基材；和在该基材上设置的氧化物半导体层。上述氧化物半导体层由包含铟(In)元素、锌(Zn)元素和添加元素(X)的氧化物来形成。添加元素(X)为选自钽即(Ta)元素、锶(Sr)元素和铌(Nb)元素中的至少一种的元素。各元素的原子比满足式(1)至(3)的全部。0.4≤(In+X)/(In+Zn+X)≤0.8(1)；0.2≤Zn/(In+Zn+X)≤0.6(2)；0.001≤X/(In+Zn+X)≤0.015(3)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116194612A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202180059883.1
申请日：2021-08-02
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C23C14/34
Abstract: 溅射靶材由包含铟(In)元素、锌(Zn)元素和添加元素(X)的氧化物构成。添加元素(X)由选自钽(Ta)、锶(Sr)、铌(Nb)中的至少1种元素构成。溅射靶材的各元素的原子比满足式(1)至(3)。溅射靶材的相对密度为95％以上。0.4≤(In+X)/(In+Zn+X)≤0.8(1)、0.2≤Zn/(In+Zn+X)≤0.6(2)、0.001≤X/(In+Zn+X)≤0.015(3)。
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公开(公告)号：CN114651086A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202080078115.6
申请日：2020-06-24
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 寺村享祐
Abstract: 本发明涉及能够将翘曲了的圆筒形基材用作构成材料的溅射靶及其制造方法，提供一种新型的溅射靶的制造方法，其中，即使圆筒形靶材的轴向长度较长，或者即使经过接合材料填充时的加热，也能够消除圆筒形基材的翘曲。本发明提出了一种溅射靶的制造方法，其特征在于，测定圆筒形基材的翘曲幅度，进行使圆筒形基材向与翘曲了的方向相反的方向翘曲的加工，在上述加工后的圆筒形基材的外侧，沿轴向隔开间隔地排列配置多个圆筒形靶材，用接合材料将上述圆筒形基材与上述圆筒形靶材接合。
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公开(公告)号：CN110770191B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201880041330.1
申请日：2018-08-29
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C04B35/453 , C23C14/34 , H01L21/203
Abstract: 实施方式的一个方案的氧化物烧结体是以满足以下的式(1)～(3)的比率含有铟、镓和锌的氧化物烧结体，其由单相的晶体相构成，晶体相的平均粒径为15.0μm以下。0.01≤In/(In+Ga+Zn)＜0.20(1)0.10≤Ga/(In+Ga+Zn)≤0.49(2)0.50≤Zn/(In+Ga+Zn)≤0.89(3)。
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公开(公告)号：CN108699675B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201680082262.4
申请日：2016-12-28
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的溅射靶材包含选自In、Ga、Zn、Sn和Al中的至少一种的氧化物。该溅射靶材在表面不具有来自铁的面积为1000μm2以上的变色部，或者在具有来自铁的面积为1000μm2以上的变色部的情况下该变色部的比例为0.02个/1200cm2以下。该溅射靶材适合通过在其制造工序中包括至少一次磁选工序的方法来制造。
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公开(公告)号：CN111448336A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201880079685.X
申请日：2018-12-27
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 寺村享祐
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , C23C14/08 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 实施方式的一个方案的氧化物烧结体是包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、锡(Sn)、铝(Al)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物烧结体，各元素的原子比满足下述式(1)～(4)。0.70≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.98 (1)；0.01≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.29 (2)；0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.10 (3)；0.50
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