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公开(公告)号：CN117174743A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310993280.X
申请日：2017-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一线图案、栅电极、半导体图案、栅绝缘层和第一间隔物。第一线图案在衬底上并与衬底分隔开。栅电极围绕第一线图案并交叉第一线图案。半导体图案在第一线图案的两侧。栅绝缘层设置在栅电极与第一线图案之间，并且栅绝缘层围绕第一线图案。第一间隔物在第一线图案与衬底之间，并且第一间隔物在栅绝缘层与半导体图案之间。半导体图案包括朝向栅电极凹陷并设置在第一间隔物上的第一部分以及设置在第一部分上并设置在第一线图案上的第二部分。
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公开(公告)号：CN116096083A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211356759.4
申请日：2022-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括设置在衬底上的沟道层和形成在沟道层上面或下面的栅极结构。沟道层包括单层氧化物半导体材料，沟道层包括铟(In)、镓(Ga)和氧(O)，沟道层包括第一区域、第二区域和第三区域，第三区域接触栅极结构，第二区域在第一区域和第三区域之间，第一区域比第二区域和第三区域更靠近衬底，第一区域和第三区域中的每个具有比In浓度高的Ga浓度，并且第二区域具有比Ga浓度高的In浓度。
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公开(公告)号：CN110164956B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201910481251.9
申请日：2014-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/223 , H01L21/8234 , H01L21/84
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法和半导体器件，所述方法包括步骤：形成沿着第一方向延伸的初始鳍式有源图案；形成覆盖初始鳍式有源图案的下部的器件隔离图案；形成沿着第二方向延伸并在初始鳍式有源图案上交叉的栅极结构；形成具有第一区和第二区的鳍式有源图案；利用选择性外延生长工艺在第二区上形成初始杂质掺杂图案；以及利用等离子体掺杂工艺通过注入杂质形成杂质掺杂图案，其中第一区的上表面处于第一水平，第二区的上表面处于低于第一水平的第二水平。
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公开(公告)号：CN109216197A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810593036.3
申请日：2018-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：形成包括交替地堆叠在衬底上的至少一个牺牲层和至少一个半导体层的堆叠结构；在堆叠结构上形成伪栅结构；使用伪栅结构作为掩模来在堆叠结构中蚀刻凹部；蚀刻牺牲层被凹部暴露的部分以形成蚀刻的牺牲层；在蚀刻的牺牲层上形成第一间隔膜；在第一间隔膜上形成第二间隔膜，第二间隔膜包括与第一间隔膜的材料不同的材料；去除第二间隔膜的第一部分，使得第二间隔膜的第二部分保留；以及在第二间隔膜的第二部分上形成第三间隔膜。
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公开(公告)号：CN103840002B
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201310591041.8
申请日：2013-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L23/522 , H01L29/423
CPC classification number: H01L28/60 , H01L27/10852 , H01L28/87 , H01L28/91
Abstract: 一种半导体器件，包括：在基板上的多个下电极，该下电极具有大于水平宽度的垂直长度；支撑物，设置在下电极之间；上电极，设置在下电极上；以及电容器介电层，设置在下电极与上电极之间。支撑物包括第一元素、第二元素和氧，第二元素的氧化物具有比第一元素的氧化物高的带隙能量，第二元素在支撑物中的含量为从约10at%至90at%。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102543964A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110364899.1
申请日：2011-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/64 , H01L21/02 , H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/40 , H01L27/10852 , H01L27/10876 , H01L28/65
Abstract: 本发明提供了电容器及其形成方法、半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置中的电容器包括：下电极，形成在基板上，所述下电极由具有金红石晶体结构的导电金属氧化物形成；氧化钛介电层，在下电极上，氧化钛介电层具有金红石晶体结构并包括用于减小漏电流的杂质；上电极，位于氧化钛介电层上。一种形成半导体存储器装置中的电容器的方法包括以下步骤：在基板上形成下电极，所述下电极包括具有金红石晶体结构的导电金属氧化物；在下电极上形成氧化钛介电层，氧化钛介电层具有金红石晶体结构并具有用于减小漏电流的杂质；在氧化钛介电层上形成上电极。
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公开(公告)号：CN118250995A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311743410.0
申请日：2023-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H10B53/30 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体器件包括：线结构，在下部结构上，并且包括导电图案和在导电图案上的绝缘封盖图案；接触结构，包括下部和在下部上的上部，该下部与线结构的侧表面相邻；在接触结构的下部的侧表面和线结构的侧表面之间的间隔物结构；在间隔物结构上的绝缘分离图案；以及在接触结构的上部和绝缘分离图案之间的保护层。间隔物结构包括内部间隔物、外部间隔物以及在内部间隔物和外部间隔物之间的气隙。内部间隔物和外部间隔物的由气隙暴露的区域包括氧化物。绝缘分离图案密封气隙的上部的至少一部分。
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公开(公告)号：CN116978774A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310429550.4
申请日：2023-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L29/24 , H01L21/8234
Abstract: 可提供制造半导体器件的方法，其包括：在基板上提供第一前体以使所述第一前体的第一元素吸附到所述基板的第一区域上，在所述基板上提供第二前体以使所述第二前体的第二元素吸附到所述基板的第二区域上，所述第二区域不同于所述第一区域，和在所述基板上提供包括氧的反应物以形成包括所述第一前体的所述第一元素、所述第二前体的所述第二元素、和所述反应物的氧的氧化物半导体层。
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公开(公告)号：CN115706169A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210397670.6
申请日：2022-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：氧化物半导体层，在基底上并且包括第一部分和跨第一部分彼此间隔开的一对第二部分；栅电极，在氧化物半导体层的第一部分上；以及一对电极，在氧化物半导体层的对应的第二部分上。氧化物半导体层的第一部分的第一厚度小于氧化物半导体层的每个第二部分的第二厚度。氧化物半导体层的第一部分中的氧空位的数量小于氧化物半导体层的每个第二部分中的氧空位的数量。
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公开(公告)号：CN107039436B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201710017588.5
申请日：2017-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法以及半导体结构。所述半导体器件包括：衬底上的有源鳍；有源鳍上的栅极结构；栅极结构的侧壁上的栅极间隔件结构；以及在有源鳍邻近栅极间隔件结构的至少一部分上的源极/漏极层。所述栅极间隔件结构包括顺序地堆叠的湿法刻蚀停止图案、含氧硅图案和除气阻止图案。
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