有机光电子器件、图像传感器和电子设备

    公开(公告)号:CN107546327B

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN201710513122.4

    申请日:2017-06-29

    Abstract: 公开有机光电子器件、图像传感器和电子设备。所述有机光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括光电转换区域和掺杂区域的光吸收层,所述光电转换区域包括p型光吸收材料和n型光吸收材料,所述掺杂区域包括所述p型光吸收材料和所述n型光吸收材料的至少一种以及激子猝灭剂,其中所述p型光吸收材料和所述n型光吸收材料的至少一种选择性地吸收可见光的一部分,且图像传感器包括所述有机光电子器件。

    柔性装置和电子设备
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115632051A

    公开(公告)日:2023-01-20

    申请号:CN202210817659.0

    申请日:2022-07-12

    Abstract: 本公开提供了柔性装置和电子设备。一种柔性装置包括:基板,包括具有第一弹性模量的第一区域和具有低于第一弹性模量的第二弹性模量的第二区域;在基板上的像素电路;以及电连接到像素电路的单元器件,其中像素电路包括多个薄膜晶体管,所述多个薄膜晶体管的第一部分在基板的第一区域上,所述多个薄膜晶体管的第二部分在基板的第二区域上。

    有机光电器件、图像传感器以及电子装置

    公开(公告)号:CN106328666B

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN201610515592.X

    申请日:2016-07-01

    Abstract: 一种有机光电器件包括彼此面对的第一电极和第二电极以及光吸收层,该光吸收层在第一电极和第二电极之间,并且包括:最靠近第一电极的第一区域,该第一区域具有p型半导体相对于n型半导体的第一成分比(p1/n1);最靠近第二电极的第二区域,该第二区域具有p型半导体相对于n型半导体的第二成分比(p2/n2);以及在厚度方向上在第一区域和第二区域之间的第三区域,该第三区域具有p型半导体相对于n型半导体的第三成分比(p3/n3),该第三成分比大于或小于第一成分比(p1/n1)和第二成分比(p2/n2)。

    光电转换器件及有机传感器和电子设备

    公开(公告)号:CN111192961A

    公开(公告)日:2020-05-22

    申请号:CN201911017125.4

    申请日:2019-10-24

    Abstract: 本发明涉及光电转换器件及有机传感器和电子设备。光电转换器件包括:面向彼此的第一电极和第二电极;在所述第一电极和所述第二电极之间并且配置成吸收光的波长谱的至少一部分中的光并将其转换成电信号的光电转换层;以及在所述第一电极和所述光电转换层之间并且包括镧系元素、钙(Ca)、钾(K)、铝(Al)、或其合金的无机纳米层。有机CMOS图像传感器可包括所述光电转换器件。电子设备可包括所述有机CMOS图像传感器。

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