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公开(公告)号：CN102142448A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010614957.7
申请日：2010-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374 , H04N5/378
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L23/564 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14632 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器。图像传感器包括：基板，光电转换器件形成在其中；在基板上的互连结构，互连结构包括多个金属间电介质层和安置在多个金属间电介质层中的多个金属互连，互连结构限定相应于光电转换器件对准的槽；吸湿阻挡层，共形地形成在互连结构的顶部上以及在槽中；和光导单元，形成在吸湿阻挡层上并包括填充槽的透光材料，其中吸湿阻挡层在槽的底部和两个侧部上以及在多个金属间电介质层的顶表面上以均匀厚度形成。
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公开(公告)号：CN1139980C
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN99106789.4
申请日：1999-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L21/336 , H01L27/105
CPC classification number: H01L27/105 , H01L27/1052
Abstract: 通过在集成电路衬底上制造空间上分开的存储器单元场效应晶体管阵列和外围电路场效应晶体管，制造集成电路存储器器件。存储器单元晶体管包括存储器单元晶体管源和漏区及栅。外围电路晶体管包括外围电路晶体管源和漏区及栅。在存储器单元晶体管源和漏区上形成硅化物阻挡层。在存储器单元晶体管栅、外围电路源和漏区、栅上形成硅化物层。存储器单元晶体管源和漏区上没有硅化物层。可在存储器单元中提供低接触电阻不降低泄漏特性。
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公开(公告)号：CN1083172C
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN96118973.8
申请日：1996-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03F1/3276 , H03F1/3229 , H03F1/3252 , H03F2201/3212
Abstract: 一种采用预矫正系统和前馈系统要分开并消除互调失真的线性功率放大装置和方法。具有一个主功率放大器，包括：一个预矫正器，通过产生与输入的射频信号相应的谐波和将射频信号耦合到谐波中产生的预矫正信号，首次抑制在主功率放大器放大射频信号的过程中产生的互调信号；一个前馈器，通过消除输入的射频信号和主功率放大器的输出，提取互调信号失真，放大提取的互调信号失真，将互调信号与主功率放大器的输出耦合。
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公开(公告)号：CN1249080A
公开(公告)日：2000-03-29
申请号：CN97181991.2
申请日：1997-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03F1/3235 , H03F1/526 , H03F3/602 , H03F2201/3212
Abstract: 在防止信号损耗时用于合成一些线性功率放大器输出的装置和方法。合成的线性放大装置包括:一个功率分配器模块(150),具有多条在一个输入端和多个输出端之间分别相连的通道和一些分别与每个输出端相连的开关,它用来将一个RF信号输入的功率分配给功率分配器模块并分别将分配的功率输出到输出端;一个功率合成器模块(300),具有多条在多个输入端和一个输出端之间分别相连的通道和一些分别与每个输入端相连的开关,它用来将一个RF信号输入的功率合成到功率合成器模块并输出该合成功率;以及一些线性功率放大器(200)。它们在功率分配器模块的输出端和功率合成器模块的输入端之间相连,用来将在功率分配器模块中功率分配的RF信号线性放大并因此输出该线性放大信号到功率合成器模块,并且根据线性功率放大器的故障状态的产生,有故障的放大器通过关断在所述功率分配器模块和所述功率合成器模块之间的相应开关从而使受影响的RF信号的通道开路。
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公开(公告)号：CN1126868A
公开(公告)日：1996-07-17
申请号：CN95104394.3
申请日：1995-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G10H7/00
CPC classification number: H03G5/00
Abstract: 根据生物节律的变化对输出的音频信号的频率特性进行调节的装置。包括：用于键入生物节律参数的输入器；用于存储和选择对应于生物节律的变化的频率特性调节模式的ROM，用于判定当前生物节律并向ROM提供判定结果的控制器，该控制器还对应于来自ROM的控制模式输出控制信号；以及用于响应控制信号对音频信号的频率特性进行调节的频率特性调节器。该设备通过根据生物体节律调节输出音频信号的频率特性而改进了听觉满意度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1203535C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN00134841.8
申请日：2000-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , C08G77/62
Abstract: 公开了一种旋涂玻璃组合物(SOG)及利用该SOG组合物形成氧化硅层的方法。该方法包括在表面不连续的半导体基片上涂布一种含有通式为-(SiH2NH)n-的全氢化聚硅氮烷的SOG组合物，通式中n表示一个正整数，其重均分子量在约4，000-8，000范围，分子量分布在约3.0-4.0的范围，以形成一种平面的SOG层。通过SOG层的硬化，将该SOG层转化为具有平表面的氧化硅层。也公开了由该方法制成的一种半导体器件。
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公开(公告)号：CN1134886C
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN97181991.2
申请日：1997-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03F1/3235 , H03F1/526 , H03F3/602 , H03F2201/3212
Abstract: 在防止信号损耗时用于合成一些线性功率放大器输出的装置和方法。合成的线性放大装置包括：一个功率分配器模块(150)，具有多条在一个输入端和多个输出端之间分别相连的通道和一些分别与每个输出端相连的开关，它用来将一个RF信号输入的功率分配给功率分配器模块并分别将分配的功率输出到输出端；一个功率合成器模块(300)，具有多条在多个输入端和一个输出端之间分别相连的通道和一些分别与每个输入端相连的开关，它用来将一个RF信号输入的功率合成到功率合成器模块并输出该合成功率；以及一些线性功率放大器(200)，它们在功率分配器模块的输出端和功率合成器模块的输入端之间相连，用来将在功率分配器模块中功率分配的RF信号线性放大并因此输出该线性放大信号到功率合成器模块，并且根据线性功率放大器的故障状态的产生，有故障的放大器通过关断在所述功率分配器模块和所述功率合成器模块之间的相应开关从而使受影响的RF信号的通道开路。
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公开(公告)号：CN110890389B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN201910747082.9
申请日：2019-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器可以包括：多个单元像素；滤色器阵列，设置在所述多个单元像素上，滤色器阵列包括多个滤色器；抗反射层，设置在所述多个单元像素与滤色器阵列之间；以及栅栏图案，包括埋在抗反射层中的下部和使所述多个滤色器彼此分离的上部。栅栏图案的上部的宽度可以大于下部的宽度。
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公开(公告)号：CN110890389A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201910747082.9
申请日：2019-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器可以包括：多个单元像素；滤色器阵列，设置在所述多个单元像素上，滤色器阵列包括多个滤色器；抗反射层，设置在所述多个单元像素与滤色器阵列之间；以及栅栏图案，包括埋在抗反射层中的下部和使所述多个滤色器彼此分离的上部。栅栏图案的上部的宽度可以大于下部的宽度。
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公开(公告)号：CN101510553A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910006369.2
申请日：2009-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/528 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：基板，其具有传感器阵列区域和外围电路区域；第一绝缘膜结构，其形成于外围电路区域上，该第一绝缘膜结构包括多个第一多层布线线路；以及第二绝缘膜结构，其形成于传感器阵列区域上，该第二绝缘膜结构包括多个第二多层布线线路。多个第一多层布线线路的最上层布线线路比多个第二多层布线线路的最上层布线线路高。第一绝缘膜结构包括各向同性蚀刻终止层，第二绝缘膜结构不包括各向同性蚀刻终止层。
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