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公开(公告)号：CN117878118A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311314239.1
申请日：2023-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , B82Y10/00
Abstract: 一种半导体装置包括：第一下纳米片；在第一下纳米片上的上隔离层；在上隔离层上的第一上纳米片；在第一上纳米片上的第一上源极/漏极区域；在第一上纳米片上的第二上源极/漏极区域；第一栅电极，其围绕第一下纳米片、上隔离层和第一上纳米片；第一栅极切口，其在第一栅电极的一侧并且从第一栅电极的下表面延伸到第一栅电极的上表面；第一通孔件，其在第一栅极切口内并且与第一栅电极绝缘；第一上源极/漏极接触件，其在第一上源极/漏极区域上并电连接到第一上源极/漏极区域；以及第二上源极/漏极接触件，其在第二上源极/漏极区域上并且将第二上源极/漏极区域与第一通孔件电连接。
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公开(公告)号：CN117790539A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202310483676.X
申请日：2023-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/08 , H01L23/538 , H01L27/088
Abstract: 一种三维半导体器件，包括：在衬底上的第一有源区域，该第一有源区域包括下沟道图案和连接到下沟道图案的下源/漏图案；第二有源区域，堆叠在第一有源区域上，该第二有源区域包括上沟道图案和连接到上沟道图案的上源/漏图案；栅电极，在下沟道图案和上沟道图案上；下接触部，电连接到下源/漏图案，该下接触部具有在第一方向上在下源/漏图案上延伸的条形形状；第一有源接触部，耦接到下接触部；以及第二有源接触部，耦接到上源/漏图案。下源/漏图案在第二方向上的第一宽度大于下接触部在第二方向上的第二宽度。
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公开(公告)号：CN120035211A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411189852.X
申请日：2024-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D84/83
Abstract: 一种半导体装置包括：第一下图案，沿第一方向延伸并包括沿第二方向相对的第一和第二侧壁及沿第三方向相对的上表面和下表面；沟道分离结构，沿第一方向延伸并接触第一下图案的第一侧壁；场绝缘膜，接触第一下图案的第二侧壁；第一沟道图案，在第一下图案的上表面上并包括沿第三方向彼此间隔开且接触沟道分离结构的第一片状图案；第一源极/漏极图案，接触第一沟道图案和沟道分离结构；接触阻挡图案，在第一源极/漏极图案上且由绝缘材料形成并具有与沟道分离结构的上表面处于同一平面的上表面；第一背侧源极/漏极接触件，在第一下图案内并连接到第一源极/漏极图案；以及背侧布线，在第一下图案的下表面上并连接到第一背侧源极/漏极接触件。
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公开(公告)号：CN119730367A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410828022.0
申请日：2024-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D84/83
Abstract: 提供一种集成电路器件，包括：基底衬底层；片状分离壁，在基底衬底层上沿第一水平方向延伸；一对纳米片堆叠结构，包括介于其间的片状分离壁并且在第二水平方向上彼此分开，第二水平方向不同于第一水平方向，该对纳米片堆叠结构各自包括多个纳米片；多个包覆图案，在该对纳米片堆叠结构中的每一个纳米片堆叠结构中包括的多个纳米片中的每一个纳米片的第一端与片状分离壁之间；以及一对栅电极，在该对纳米片堆叠结构上沿第二水平方向延伸。
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公开(公告)号：CN119653854A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411220743.X
申请日：2024-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；下沟道层，在垂直于衬底的上表面的竖直方向上彼此间隔开，并且沿第一方向延伸；上沟道层，分别在下沟道层上，并且在竖直方向上彼此间隔开；中间介电隔离结构，在下沟道层之中的最上面的下沟道层与上沟道层之中的最下面的上沟道层之间；下栅极结构，在下沟道层上；上栅极结构，在上沟道层上且在下栅极结构上，并且沿垂直于第一方向的第二方向延伸；栅极隔离绝缘层，在下栅极结构与上栅极结构之间，与中间介电隔离结构的侧表面接触，并且围绕下栅极结构延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119545897A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202410489495.2
申请日：2024-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置可包括：第一有源图案；第二有源图案，其与第一有源图案间隔开第一距离；第三有源图案，其与第二有源图案间隔开第二距离；第一器件隔离层，其在第一有源图案与第二有源图案之间；第二器件隔离层，其在第二有源图案与第三有源图案之间；第一沟道结构，其与第一有源图案重叠；第二沟道结构，其与第二有源图案重叠；第三沟道结构，其与第三有源图案重叠；以及分离电介质层，其在第一沟道结构与第二沟道结构之间。分离电介质层可与第一器件隔离层重叠。第一器件隔离层的顶表面的水平高度可高于第二器件隔离层的顶表面的水平高度。
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公开(公告)号：CN119230595A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410486931.0
申请日：2024-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一沟道分离结构和第二沟道分离结构，沿第一方向延伸，并且在第二方向彼此间隔开；第一栅极结构，在第一沟道分离结构与第二沟道分离结构之间在第一方向上彼此间隔开，与第一沟道分离结构和第二沟道分离结构接触；第一沟道图案和第二沟道图案，分别包括第一片状图案和第二片状图案，第一和第二片状图案在第三方向上彼此间隔开，与对应的第一和第二沟道分离结构接触；第一源/漏图案和第二源/漏图案，在第一沟道分离结构与第二沟道分离结构之间，第一源/漏图案与第一沟道图案和第一沟道分离结构接触，第二源/漏图案与第二沟道图案和第二沟道分离结构接触；第一栅极分离结构，在第一源/漏图案与第二源/漏图案之间。
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公开(公告)号：CN118412374A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410111703.5
申请日：2024-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/41 , H01L29/06 , H01L23/52 , H01L23/535 , H01L27/085
Abstract: 提供了一种集成电路装置。装置包括：下源极/漏极区域；下接触件，其分别在下源极/漏极区域的底表面上；上源极/漏极区域，其在竖直方向上与下源极/漏极区域间隔开；上接触件，其分别在上源极/漏极区域的上表面上；以及第一竖直导电轨，其电连接至下接触件和上接触件的第一接触件；第一竖直导电轨，其在竖直方向上延伸，并且包括在第一竖直水平处具有第一上表面的第一部分和在低于第一竖直水平的第二竖直水平处具有第二上表面的第二部分。第二部分在竖直方向上与上接触件中的第一上接触件重叠。
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公开(公告)号：CN117995879A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311089645.2
申请日：2023-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上并且在第一水平方向上延伸的有源图案；在有源图案上并且在第二水平方向上延伸的栅电极；在有源图案上的源极/漏极区；与下源极/漏极区间隔开的上源极/漏极区；在上源极/漏极区与下源极/漏极区之间并且连接到下源极/漏极区的下源极/漏极接触；连接到上源极/漏极区的上源极/漏极接触；围绕上源极/漏极区的层间绝缘层；在垂直方向上延伸穿过层间绝缘层的贯通通路，该贯通通路在第二水平方向上与上源极/漏极区和上源极/漏极接触间隔开，该贯通通路连接到下源极/漏极接触；以及在上源极/漏极区的水平方向上的相对侧壁中的每一者上的坝结构。
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公开(公告)号：CN107393922B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201710243381.X
申请日：2017-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 如在此提供的一种集成电路器件可以包括器件区域和器件间隔离区域。在器件区域内，鳍式有源区域可以从基板凸出，并且鳍式有源区域的相反的侧壁可以被内隔离层覆盖。外隔离层可以填充器件间隔离区域中的外部深沟槽。内隔离层可以在外部深沟槽的内侧壁处从器件区域远离延伸进器件间隔离区域中。可以有许多鳍式有源区域和在其间的沟槽。外部深沟槽和在所述多个鳍式有源区域之间的沟槽可以具有不同的高度。在此描述的集成电路器件和制造的方法可以由于不必要的鳍式有源区域留在器件区域周围而减小可能出现各种不同的缺陷或故障的可能性。
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