公开(公告)号：CN106941068A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201611103022.6

申请日：2016-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜盛皓 ,  金基哲 ,  李在铉 ,  文平 ,  李汉基 ,  金彦起

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/324

Abstract: 提供了一种挡板、一种使用挡板的等离子体处理设备、一种基板处理设备和一种处理基板的方法。所述等离子体处理设备包括基座、容纳基座并且包围反应空间的室外壳以及环形地围绕基座的环形挡板。挡板包括具有导电材料的第一层和具有非导电材料的第二层，并且第二层比第一层接近于反应空间。

公开(公告)号：CN107393922B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201710243381.X

申请日：2017-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.坎托罗 ,  权兑勇 ,  朴栽永 ,  黄东勋 ,  李汉基 ,  刘素罗

IPC: H01L27/088

Abstract: 如在此提供的一种集成电路器件可以包括器件区域和器件间隔离区域。在器件区域内，鳍式有源区域可以从基板凸出，并且鳍式有源区域的相反的侧壁可以被内隔离层覆盖。外隔离层可以填充器件间隔离区域中的外部深沟槽。内隔离层可以在外部深沟槽的内侧壁处从器件区域远离延伸进器件间隔离区域中。可以有许多鳍式有源区域和在其间的沟槽。外部深沟槽和在所述多个鳍式有源区域之间的沟槽可以具有不同的高度。在此描述的集成电路器件和制造的方法可以由于不必要的鳍式有源区域留在器件区域周围而减小可能出现各种不同的缺陷或故障的可能性。

公开(公告)号：CN104681408B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201410685562.4

申请日：2014-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴栽永 ,  姜盛晧 ,  金基哲 ,  李善英 ,  李汉基 ,  具本荣

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/34 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供进行表面处理工艺的方法和半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：在基板中形成多个第一凹进区，该基板具有在多个第一凹进区之间的突出的有源区，该突出的有源区具有上表面和侧壁；在多个第一凹进区中形成器件隔离膜，该器件隔离膜暴露出突出的有源区的侧壁的上部分和上表面；以及在突出的有源区的暴露表面上进行第一等离子体处理，其中该等离子体处理利用包含惰性气体和氢气中至少一个的等离子体气体在小于或等于大约700℃的温度下进行。

公开(公告)号：CN107393922A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710243381.X

申请日：2017-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.坎托罗 ,  权兑勇 ,  朴栽永 ,  黄东勋 ,  李汉基 ,  刘素罗

IPC: H01L27/088

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7854 ,  H01L27/088

Abstract: 如在此提供的一种集成电路器件可以包括器件区域和器件间隔离区域。在器件区域内，鳍式有源区域可以从基板凸出，并且鳍式有源区域的相反的侧壁可以被内隔离层覆盖。外隔离层可以填充器件间隔离区域中的外部深沟槽。内隔离层可以在外部深沟槽的内侧壁处从器件区域远离延伸进器件间隔离区域中。可以有许多鳍式有源区域和在其间的沟槽。外部深沟槽和在所述多个鳍式有源区域之间的沟槽可以具有不同的高度。在此描述的集成电路器件和制造的方法可以由于不必要的鳍式有源区域留在器件区域周围而减小可能出现各种不同的缺陷或故障的可能性。

公开(公告)号：CN104681408A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410685562.4

申请日：2014-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴栽永 ,  姜盛晧 ,  金基哲 ,  李善英 ,  李汉基 ,  具本荣

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/34 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供进行表面处理工艺的方法和半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：在基板中形成多个第一凹进区，该基板具有在多个第一凹进区之间的突出的有源区，该突出的有源区具有上表面和侧壁；在多个第一凹进区中形成器件隔离膜，该器件隔离膜暴露出突出的有源区的侧壁的上部分和上表面；以及在突出的有源区的暴露表面上进行第一等离子体处理，其中该等离子体处理利用包含惰性气体和氢气中至少一个的等离子体气体在小于或等于大约700℃的温度下进行。