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公开(公告)号:CN103456696A
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201210295797.3
申请日:2012-08-17
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01L21/486 , H01L23/142 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , H05K3/424 , H05K3/427 , H05K3/445 , H05K2201/0959 , H05K2203/0716 , H05K2203/1423 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种封装基板,该封装基板包括:基底基板;形成于所述基底基板的上部和下部的绝缘层;形成于所述绝缘层上部的第一金属层;贯穿所述基底基板、所述绝缘层和所述第一金属层并由绝缘材料制成的第一贯穿过孔;形成于所述第一贯穿过孔上部和下部及内壁的种子层;形成于第一金属层和种子层上部的第二金属层;以及形成于在第一贯穿过孔内壁形成的种子层和金属层内的第二贯穿过孔。本发明提供的封装基板能够防止在通孔上进行电镀时、在形成通孔时在绝缘层内产生裂缝。
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公开(公告)号:CN101404258B
公开(公告)日:2011-02-16
申请号:CN200810099766.4
申请日:2008-06-04
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L21/6835 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/24 , H01L24/27 , H01L24/82 , H01L2221/68372 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/16 , H01L2224/24227 , H01L2224/274 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01059 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517
Abstract: 本发明披露了一种制造晶片级封装的方法。该方法可以包括在晶片基板上堆叠绝缘层;在该绝缘层中加工通孔;在该绝缘层上形成种子层;在该种子层上形成抗镀层,该抗镀层与重分布图案具有对应的关系;通过电镀形成包括用于外部接触的端子的重分布图案;以及,将导电球连接至端子。因为利用便宜的PCB工艺可形成多个重分布层,因此可以降低制造成本,并且可以提高该方法的稳定性和效率。
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公开(公告)号:CN1512255A
公开(公告)日:2004-07-14
申请号:CN03148429.8
申请日:2003-06-27
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: G02B6/353 , G02B6/266 , G02B6/35 , G02B6/3552 , G02B6/356 , G02B6/357 , G02B6/358 , G02B6/3582 , G02B6/3592 , G02B6/3594
Abstract: 公开了一种MEMS可变光衰减器,包括具有平面的衬底,安置在衬底的平面上的微电子激励器,一对分别具有接收和发射端的光波导,并且彼此同轴安置成一行并安置在平面上,光闸,可移向光波导的发射端和接收端间的预定位置,并由微电子激励器驱动来移动,以及形成在光闸上的表面层,具有低于80%的反射率以便部分透射其中的入射光束,并具有消光属性,从而根除其中的该部分透射光。
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