扇出晶圆级封装方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105304507B

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201510751008.6

    申请日:2015-11-06

    发明人: 丁万春

    IPC分类号: H01L21/50 H01L21/56

    摘要: 本发明公开了种扇出晶圆级封装方法,包括:在承载板的正面形成第开口部;在第开口部的周围形成第重布线层;在第重布线层上形成导电柱,导电柱的顶面高于待装载芯片的顶面;在第开口部内装载芯片;在承载板的正面设置第封料层,第封料层的表面裸露出导电柱顶面和芯片的连接部件;在第封料层上形成连接导电柱与连接部件的第二重布线层;在第二重布线层上形成第二封料层,第二封料层的表面裸露出第二重布线层的连接区域;在连接区域上形成焊球。本发明利用阻流结构fanout工艺,形成栅栏状的柱子区域,以限制树脂在固化过程中的涨缩,限制芯片的偏移;在承载板上方、导电柱下方设置第重布线层,增加结合力和散热性能。