公开(公告)号：CN1841589B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610057679.3

申请日：2006-02-24

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴殷台 ,  金柩住 ,  李曦荣 ,  林垠燮 ,  李钟哲 ,  郑栗教

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/06 ,  H05K1/16 ,  H05K1/18 ,  H05K1/02

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01G4/206 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0215

Abstract: 本发明涉及一种高介电常数的金属/陶瓷/聚合物复合材料和用于制备嵌入电容器的方法。由于具有相对小的尺寸的陶瓷粒子通过混合被结合到具有相对大的尺寸的金属粒子的表面，所以不需要涂覆金属粒子就可以防止逾渗的发生，同时，可增大嵌入电容器的电容。此外，可省略用于涂覆金属粒子的表面的工艺，从而有助于简化整个制备工序。

公开(公告)号：CN100551202C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200610141193.8

申请日：2006-10-13

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴殷台 ,  郑栗教 ,  孙升铉 ,  高旼志

IPC: H05K1/03 ,  H05K1/16 ,  H01L23/64

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01G4/206 ,  H01L2924/0002 ,  H05K2201/0209 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明披露了一种电容量随温度的变化小的复合介电组合物，包括电容量随温度呈现正变化或者负变化的聚合物基体以及与聚合物基体的变化互补的、电容量随温度呈现负变化或者正变化的陶瓷填料；以及使用该组合物制备的信号匹配埋入式电容器。具体地，本发明提供一种复合介电组合物，其包含电容量随温度呈现正变化或者负变化的聚合物基体以及与聚合物基体的变化互补的、电容量随温度呈现负变化或者正变化的陶瓷填料；以及使用该组合物制备的并且电容量随温度的变化ΔC/C×100(%)不大于5%的信号匹配埋入式电容器。由于电容量随温度的变化小，本发明的复合介电组合物能用于制备信号匹配埋入式电容器。

公开(公告)号：CN1959859A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610138014.5

申请日：2006-11-02

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 高旼志 ,  朴殷台

IPC: H01B3/00 ,  H01B3/12 ,  H01B3/40 ,  H01B3/42 ,  H01B3/44 ,  C04B35/462 ,  C04B35/468 ,  C04B35/01 ,  C08L63/00 ,  C08L79/08 ,  C08L69/00 ,  C08L23/06 ,  C08L67/02 ,  C08L23/12 ,  C08L25/06 ,  C08L71/02 ,  C08L77/00 ,  H01G4/40 ,  H05K1/16 ,  H05K1/03 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01G4/206 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/33 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/0209

Abstract: 本发明涉及聚合物－陶瓷电介质组合物。该聚合物－陶瓷电介质组合物包括聚合物以及分散于聚合物中的陶瓷，其中陶瓷由具有表示为ABO3的钙钛矿结构的材料以及金属氧化物掺杂剂组成，并具有带电的表面。根据该电介质组合物，陶瓷表面带电以便在聚合/陶瓷界面诱导空间电荷极化(或界面极化)，导致介电常数增大。由于该电介质组合物尤其在低频范围具有高介电常数，它适合用于制造去耦电容器。本文进一步披露了使用该电介质组合物的电容器和印刷电路板。

公开(公告)号：CN1949421A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200610140045.4

申请日：2006-10-11

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 高旼志 ,  郑栗教 ,  朴殷台

IPC: H01G4/33 ,  C23C26/00 ,  C23C28/00 ,  H01G4/12 ,  H05K1/16 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01G4/1218 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H05K1/09 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/0353 ,  H05K2203/0369

Abstract: 一种薄膜电容器的制造方法，包括以下步骤：对金属箔执行再结晶热处理；在再结晶的金属箔的顶面上形成介电层；对金属箔和介电层执行热处理；以及在热处理过的介电层的顶面上形成上电极。再结晶热处理防止金属箔氧化，这样，可以以高温对介电层执行热处理，从而改善薄膜电容器的电特性和产品的可靠性。

公开(公告)号：CN1892934A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610001500.2

申请日：2006-01-19

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 申孝顺 ,  尹顺吉 ,  朴殷台 ,  柳寿铉

IPC: H01G4/10 ,  H01G4/008 ,  H05K1/03 ,  H05K3/30 ,  H01G2/06

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01G4/10 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179

Abstract: 本发明涉及一种薄层电容器，其包括第一和第二金属电极层以及置于金属层之间的具有介电常数至少为15的基于BiZnNb(铋锌铌)的非晶体金属氧化物介电层，并且涉及一种具有其的分层结构。分层结构包括：第一金属电极层，形成在基于聚合物的复合衬底上；介电层，形成在第一金属电极层上，且由具有介电常数至少为15的基于BiZnNb的非晶体金属氧化物制成；以及第二金属电极层，形成在介电层上。本发明中的基于BiZnNb的非晶体金属氧化物在未经过用于结晶的热处理的情况下具有高介电常数，这对于制造基于聚合物的分层结构(例如PCB)的薄层电容器是有用的。