公开(公告)号：CN117461226A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202180099189.2

申请日：2021-06-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 河原弘幸

IPC: H01S5/227

Abstract: 本公开的光半导体元件具备：第一导电型的半导体基板(1)；条纹状的台面构造(6)，由层叠于第一导电型的半导体基板(1)之上的第一导电型的包层(2)、活性层(4)以及第二导电型的第一包层(5)的层叠体构成；以及台面埋入层(7)，由在第一导电型的半导体基板(1)之上依次设置于台面构造(6)的两侧面的半绝缘性的第一埋入层(7a)、第一导电型的第二埋入层(7b)以及掺杂有过渡金属的半绝缘性的第三埋入层(7c)构成。

公开(公告)号：CN111903020B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN201880091538.4

申请日：2018-03-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 河原弘幸

IPC: H01S5/22

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。具有：在基材之上形成第1半导体层的工序；在第1半导体层之上形成掩模的工序；使用掩模对第1半导体层进行蚀刻，形成半导体构造的工序；在与半导体构造的侧面接触的区域形成第2半导体层的工序，该第2半导体层具有与掩模接触的凸部；凸部去除工序，供给蚀刻气体而去除凸部；以及再生长层形成工序，在半导体构造及第2半导体层之上供给原料气体而形成再生长层，在同一制造装置内实施凸部去除工序及再生长层形成工序。

公开(公告)号：CN110622374A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201780090807.0

申请日：2017-05-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 河原弘幸

IPC: H01S5/026

Abstract: 具备：基板；半导体激光器部，其通过在该基板之上层叠包含有源层在内的多个层而形成；邻接部，其是光调制器或者光波导，通过在该基板之上层叠包含芯层在内的多个层而形成，通过与该半导体激光器部对接接合而与该半导体激光器部相接。特征在于，就该半导体激光器部与该邻接部对接接合的半导体装置而言，至少该半导体激光器部的与该邻接部相接的部分被无序化。

公开(公告)号：CN104868360B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201410708671.3

申请日：2014-11-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 津波大介 ,  河原弘幸 ,  柳乐崇

IPC: H01S5/34

CPC classification number: H01S5/34313 ,  G02B6/122 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/1007 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1028 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34306

Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，其能够一边抑制活性层的露出以及上部半导体层的蚀刻量，一边将化合物半导体层的凸部去除，而不会产生问题，该半导体装置的制造方法具有：激光部形成工序，该工序在衬底的一部分处形成激光部，该激光部具有活性层、在该成活性层上形成的上部半导体层、以及在该上部半导体层上形成的掩模；半导体层形成工序，该工序由含有In的材料形成化合物半导体层，该化合物半导体层与该激光部的侧面接触，在与该激光部接触的部分处具有凸部；以及湿蚀刻工序，该工序通过包含氢溴酸和醋酸在内的蚀刻剂，将该凸部去除，并将该化合物半导体层平坦化。而且，通过该湿蚀刻工序，在该掩模下的该上部半导体层形成(111)A面。

公开(公告)号：CN104868360A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201410708671.3

申请日：2014-11-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 津波大介 ,  河原弘幸 ,  柳乐崇

IPC: H01S5/34

CPC classification number: H01S5/34313 ,  G02B6/122 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/1007 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1028 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34306

Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，其能够一边抑制活性层的露出以及上部半导体层的蚀刻量，一边将化合物半导体层的凸部去除，而不会产生问题，该半导体装置的制造方法具有：激光部形成工序，该工序在衬底的一部分处形成激光部，该激光部具有活性层、在该成活性层上形成的上部半导体层、以及在该上部半导体层上形成的掩模；半导体层形成工序，该工序由含有In的材料形成化合物半导体层，该化合物半导体层与该激光部的侧面接触，在与该激光部接触的部分处具有凸部；以及湿蚀刻工序，该工序通过包含氢溴酸和醋酸在内的蚀刻剂，将该凸部去除，并将该化合物半导体层平坦化。而且，通过该湿蚀刻工序，在该掩模下的该上部半导体层形成(111)A面。

公开(公告)号：CN104779519A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510011808.4

申请日：2015-01-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 森田大介 ,  河原弘幸 ,  木村晋治

IPC: H01S5/32

CPC classification number: H01J37/304 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3053 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/24585 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/3174 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/12 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/4087 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置、以及半导体装置的制造系统，能够减小光调制器部的光致发光波长与激光部的振荡波长的差值的波动。其特征在于，具有：第一工序，在该工序中，在衬底上形成下部光限制层、光吸收层和上部光限制层，去除它们的一部分，从而形成光调制器部；第二工序，在该工序中，在该衬底的没有形成该光调制器部的部分，形成具有衍射光栅的激光部；形成扩散抑制层的工序，在该工序中，在该上部光限制层的上方形成抑制掺杂物扩散的扩散抑制层；以及第三工序，在该工序中，在该激光部和该扩散抑制层的上方形成接触层。而且，使该接触层的掺杂物的种类与该上部光限制层的掺杂物的种类一致。