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公开(公告)号：CN112714986B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201880097717.9
申请日：2018-09-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供集成有监视光输出的光电二极管部的半导体激光器。半导体激光器(100)具备：DFB部，其层叠有背面侧第一包覆层(3)、第一衍射光栅层(9)、由第一MQW结构构成并发出激光的发光层(1)、表面侧第一包覆层(6)、以及第一接触层(12)；DBR部，其层叠有电阻率比背面侧第一包覆层(3)高的背面侧第二包覆层(4)、将激光的一部分向DFB部反射的第二衍射光栅层(10)、对激光的剩余部分进行导波并且由有效带隙能量比第一MQW结构小的第二MQW结构构成的第一芯层(2a)、以及电阻率比表面侧第一包覆层(6)高的表面侧第二包覆层(7)；以及PD部，其层叠有背面侧第三包覆层(5)、对第一芯层(2a)所导波的激光的剩余部分进行吸收的由第二MQW结构构成的第二芯层(2b)、表面侧第三包覆层(8)以及第二接触层(14)。
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公开(公告)号：CN115552329A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202080100735.5
申请日：2020-05-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/225
Abstract: 光相位调制器(2)具备第一2×2马赫曾德尔型光相位调制部(10)。第一2×2马赫曾德尔型光相位调制部(10)包括第一2×2多模干涉波导(11)、第二2×2多模干涉波导(14)、一对第一支路波导(12、13)以及第一调制电极(15、16)。第一2×2马赫曾德尔型光相位调制部(10)的第一输出端口(输出端口17d)是针对第一2×2马赫曾德尔型光相位调制部(10)的第一输入端口(输入端口17a)的交叉端口。
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公开(公告)号：CN114600016A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080072520.7
申请日：2020-10-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种光栅耦合器，具有第一端和第二端，用于将光束耦合到芯片的波导，所述光栅耦合器包括：基板，所述基板被配置为从第一端接收光束，并且通过第二端发送光束，所述基板具有第一折射率n1；布置在基板上的具有弯曲的光栅线的光栅结构，所述光栅结构具有第二折射率n1，其中所述弯曲的光栅线具有线宽w和高度d，并且按间距Λ布置，其中第二折射率n2小于第一折射率n1；以及被配置为覆盖光栅结构的包覆层，其中所述包覆层具有第三折射率n3。光栅线的曲线被构造为使得发射射束被成形以用于高效地耦合到另一光学组件。所述曲线也可以是倾斜的以减少返回到波导中的耦合。
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公开(公告)号：CN111684344A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201880088214.5
申请日：2018-10-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/025
Abstract: 具备：半导体基板(2)；第1半导体层(3)，设置于半导体基板(2)上；台面波导(44)，设置于第1半导体层(3)的主面上；埋入层(5)，以使第1半导体层(3)的上表面的一部分露出的方式，覆盖第1半导体层(3)的上表面；以及台面构造(8)，设置于第1半导体层(3)的被埋入层(5)覆盖的部分和第1半导体层(3)露出的部分的边界，一方的侧面被埋入层(5)覆盖，另一方的侧面露出，通过降低在埋入层(5)中发生的应力，例如，能够抑制向埋入层(5)发生裂纹，提高可靠性。
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公开(公告)号：CN101471253B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810190647.X
申请日：2008-12-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/40
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明提供能够降低针对p型氮化物半导体层的欧姆电极的接触电阻，且能够长期稳定地进行工作的半导体装置的制造方法。在电极形成工序中，在p型GaN接触层(7)上依次形成作为第一p型欧姆电极(10)的Pd膜和作为第二p型欧姆电极(11)的Ta膜，在形成以包括Pd膜和Ta膜的金属膜构成的p型欧姆电极时，以在金属膜中含有氧原子的方式形成金属膜。这样，在金属膜中存在氧原子的状态下，在热处理工序中，在不含有包含氧原子的气体的气氛下对由金属膜构成的p型欧姆电极进行热处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119256458A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202280096332.7
申请日：2022-05-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一个侧面的半导体光集成元件产生激光并输出。半导体光集成元件具备激光活性层、光调制活性层、光放大活性层、第1上部包覆层和第2上部包覆层。激光活性层产生激光。光调制活性层与激光活性层并排设置，输出对激光活性层产生的激光进行光调制得到的调制激光。光放大活性层与光调制活性层并排设置，输出将光调制活性层输出的调制激光的强度进行放大得到的放大激光。第1上部包覆层具有第1折射率，配置于激光活性层的上表面及光调制活性层的上表面。第2上部包覆层具有与第1折射率不同的第2折射率，与第1上部包覆层并排设置，配置于光放大活性层的上表面。光放大活性层输出的放大激光与光调制活性层输出的调制激光相比向上方移位而输出。
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公开(公告)号：CN117413210A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202180098782.5
申请日：2021-06-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 铃木洋介
IPC: G02B6/125
Abstract: 半导体光集成元件(1)具备基板(9)、MMI波导(10)、有机绝缘层(20)以及加热器层(25)。MMI波导(10)设置于基板(9)上，且由半导体材料形成。MMI波导(10)包括第一侧面(10c)以及位于与第一侧面(10c)相反侧的第二侧面(10d)。有机绝缘层(20)掩埋第一侧面(10c)和第二侧面(10d)。加热器层(25)能够对有机绝缘层(20)进行加热。
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公开(公告)号：CN107039881A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710056430.9
申请日：2017-01-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/022
Abstract: 本发明涉及一种光半导体装置，涉及搭载半导体激光器、适于在高频下使用的光半导体装置，本发明的目的在于得到一种光半导体装置，其具有半导体激光器的后端面侧出射光难以触碰安装基板的构造。具有：半导体激光器，其在前端面侧将前端面侧出射光射出，在后端面侧将后端面侧出射光射出；以及安装基板，其在表面具有所述半导体激光器，所述后端面侧出射光是以与所述后端面相距越远则越远离所述安装基板的出射光轴而射出的。
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公开(公告)号：CN101471253A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810190647.X
申请日：2008-12-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/40
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明提供能够降低针对p型氮化物半导体层的欧姆电极的接触电阻，且能够长期稳定地进行工作的半导体装置的制造方法。在电极形成工序中，在p型GaN接触层(7)上依次形成作为第一p型欧姆电极(10)的Pd膜和作为第二p型欧姆电极(11)的Ta膜，在形成以包括Pd膜和Ta膜的金属膜构成的p型欧姆电极时，以在金属膜中含有氧原子的方式形成金属膜。这样，在金属膜中存在氧原子的状态下，在热处理工序中，在不含有包含氧原子的气体的气氛下对由金属膜构成的p型欧姆电极进行热处理。
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公开(公告)号：CN101447645A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810182383.3
申请日：2008-11-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/325 , H01L33/40 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/3063
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。其目的在于得到不会导致装置性能恶化、能够进行长期稳定工作并且具有氮化镓系的半导体结构的半导体装置的制造方法。在脊部的表面上以外形成绝缘膜(8)以后，提供O2、O3、NO、N2O、NO2等的含有氧的气体，从表面对p型GaN接触层(7)进行氧化，由此，在p型GaN接触层(7)的表面形成氧化膜(9)。接下来，通过蒸镀或溅射，在氧化膜(9)以及绝缘膜(8)上形成谋求与p型GaN接触层(7)接触的p型电极(10)。之后，在400～700℃下，在氮气、NH3等含有氮的气体或Ar(氩)、He(氦)等惰性气体中进行热处理。
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