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公开(公告)号：CN111684344B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201880088214.5
申请日：2018-10-02
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： G02F1/025
摘要： 具备：半导体基板(2)；第1半导体层(3)，设置于半导体基板(2)上；台面波导(44)，设置于第1半导体层(3)的主面上；埋入层(5)，以使第1半导体层(3)的上表面的一部分露出的方式，覆盖第1半导体层(3)的上表面；以及台面构造(8)，设置于第1半导体层(3)的被埋入层(5)覆盖的部分和第1半导体层(3)露出的部分的边界，一方的侧面被埋入层(5)覆盖，另一方的侧面露出，通过降低在埋入层(5)中发生的应力，例如，能够抑制向埋入层(5)发生裂纹，提高可靠性。
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公开(公告)号：CN112714986A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201880097717.9
申请日：2018-09-26
申请人： 三菱电机株式会社
摘要： 本发明提供集成有监视光输出的光电二极管部的半导体激光器。半导体激光器(100)具备：DFB部，其层叠有背面侧第一包覆层(3)、第一衍射光栅层(9)、由第一MQW结构构成并发出激光的发光层(1)、表面侧第一包覆层(6)、以及第一接触层(12)；DBR部，其层叠有电阻率比背面侧第一包覆层(3)高的背面侧第二包覆层(4)、将激光的一部分向DFB部反射的第二衍射光栅层(10)、对激光的剩余部分进行导波并且由有效带隙能量比第一MQW结构小的第二MQW结构构成的第一芯层(2a)、以及电阻率比表面侧第一包覆层(6)高的表面侧第二包覆层(7)；以及PD部，其层叠有背面侧第三包覆层(5)、对第一芯层(2a)所导波的激光的剩余部分进行吸收的由第二MQW结构构成的第二芯层(2b)、表面侧第三包覆层(8)以及第二接触层(14)。
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公开(公告)号：CN101447645B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200810182383.3
申请日：2008-11-28
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/325 , H01L33/40 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/3063
摘要： 本发明涉及半导体装置的制造方法。其目的在于得到不会导致装置性能恶化、能够进行长期稳定工作并且具有氮化镓系的半导体结构的半导体装置的制造方法。在脊部的表面上以外形成绝缘膜(8)以后，提供O2、O3、NO、N2O、NO2等的含有氧的气体，从表面对p型GaN接触层(7)进行氧化，由此，在p型GaN接触层(7)的表面形成氧化膜(9)。接下来，通过蒸镀或溅射，在氧化膜(9)以及绝缘膜(8)上形成谋求与p型GaN接触层(7)接触的p型电极(10)。之后，在400～700℃下，在氮气、NH3等含有氮的气体或Ar(氩)、He(氦)等惰性气体中进行热处理。
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公开(公告)号：CN101488641A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910002454.1
申请日：2009-01-16
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/028
摘要： 本发明得到将镀膜的反射率设定在3～13％的范围内，并防止镀膜剥离，且可确保半导体激光器的可靠性的半导体激光器。在射出激光的前端面形成了镀膜的GaN类的半导体激光器中，镀膜包括与前端面相接的第一绝缘膜和形成在第一绝缘膜上的第二绝缘膜，对于半导体激光器的激光波长λ，第二绝缘膜的光学膜厚为λ/4的奇数倍，第一绝缘膜对GaN的密合性强于第二绝缘膜，第二绝缘膜的折射率为2～2.3，第一绝缘膜的膜厚为10nm以下，第一绝缘膜为化学计量成分的氧化膜。
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公开(公告)号：CN107039881B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201710056430.9
申请日：2017-01-25
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01S5/022
摘要： 本发明涉及一种光半导体装置，涉及搭载半导体激光器、适于在高频下使用的光半导体装置，本发明的目的在于得到一种光半导体装置，其具有半导体激光器的后端面侧出射光难以触碰安装基板的构造。具有：半导体激光器，其在前端面侧将前端面侧出射光射出，在后端面侧将后端面侧出射光射出；以及安装基板，其在表面具有所述半导体激光器，所述后端面侧出射光是以与所述后端面相距越远则越远离所述安装基板的出射光轴而射出的。
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公开(公告)号：CN102214895A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110085019.7
申请日：2011-04-06
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01S5/0224 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/32507 , H01L2224/83385 , H01L2924/01322 , H01S5/0202 , H01S5/02272 , H01S5/32341
摘要： 本发明涉及能够确保高的散热性并且提高成品率的半导体装置及其制造方法。半导体激光器（1）以结向下方式隔着焊料（11）安装在副固定件（12）上。半导体激光器（1）具有：n型GaN衬底（2）；半导体层叠结构（3），形成在n型GaN衬底（2）上并含有pn结；电极（8），形成在半导体层叠结构（3）上。电极（8）隔着焊料（11）接合在副固定件（12）上。在副固定件（12）和半导体层叠结构（3）之间，以包围电极（8）的周围的方式配置有高熔点金属膜（10）。
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公开(公告)号：CN115769133A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202080102284.9
申请日：2020-07-03
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： G02F1/017
摘要： 基于本公开的半导体光集成元件具备：半导体基板(10)；第一光放大器(200)，将从第一端面(10a)输入的信号光沿着光波导进行放大；第一无源型光波导(203)，将被放大后的信号光向与光波导的方向不同的方向进行导波；光分支器(204)，将被导波的信号光分支为多个信号光；相位调制器(202)，连接于第一无源型光波导(203)，沿着不同的方向对多个信号光进行相位调制；第二无源型光波导(206)，将被相位调制后的信号光从不同的方向向光波导的方向进行导波；光合成器(205)，将被相位调制后的多个信号光合成为一个信号光；以及第二光放大器(201)，将通过第二无源型光波导(206)被导波后的信号光沿着光波导的方向进行放大，饱和光输出小于第一光放大器(200)。
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公开(公告)号：CN101465518A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810183988.4
申请日：2008-12-19
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/02212 , H01S5/0222 , H01S5/02224 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/2201 , H01S5/3211
摘要： 本发明提供减小在谐振器端面上形成的氮化物电介质膜的应力，并减少在形成氮化物电介质膜时产生的对谐振器端面的损伤的、可靠性高的氮化物半导体激光器的制造方法。本发明的氮化物半导体激光器的制造方法，是采用氮化物III－V族半导体的氮化物半导体激光器的制造方法，其特征在于包括：(a)利用由氮气组成的等离子体，在光出射侧谐振器端面(20)和光反射侧谐振器端面(23)上形成由氮化物电介质构成的密着层(21、24)的工序；以及(b)在密着层(21、24)上形成由电介质构成的低反射端面镀膜(22)和高反射端面镀膜(25)的工序。
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公开(公告)号：CN114600016B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202080072520.7
申请日：2020-10-21
申请人： 三菱电机株式会社
摘要： 一种光栅耦合器，具有第一端和第二端，用于将光束耦合到芯片的波导，所述光栅耦合器包括：基板，所述基板被配置为从第一端接收光束，并且通过第二端发送光束，所述基板具有第一折射率n1；布置在基板上的具有弯曲的光栅线的光栅结构，所述光栅结构具有第二折射率n2，其中所述弯曲的光栅线具有线宽w和高度d，并且按间距Λ布置，其中第二折射率n2大于第一折射率n1；以及被配置为覆盖光栅结构的包覆层，其中所述包覆层具有第三折射率n3。光栅线的曲线被构造为使得发射射束被成形以用于高效地耦合到另一光学组件。所述曲线也可以是倾斜的以减少返回到波导中的耦合。
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