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公开(公告)号：CN101447645B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200810182383.3
申请日：2008-11-28
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/325 , H01L33/40 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/3063
摘要： 本发明涉及半导体装置的制造方法。其目的在于得到不会导致装置性能恶化、能够进行长期稳定工作并且具有氮化镓系的半导体结构的半导体装置的制造方法。在脊部的表面上以外形成绝缘膜(8)以后，提供O2、O3、NO、N2O、NO2等的含有氧的气体，从表面对p型GaN接触层(7)进行氧化，由此，在p型GaN接触层(7)的表面形成氧化膜(9)。接下来，通过蒸镀或溅射，在氧化膜(9)以及绝缘膜(8)上形成谋求与p型GaN接触层(7)接触的p型电极(10)。之后，在400～700℃下，在氮气、NH3等含有氮的气体或Ar(氩)、He(氦)等惰性气体中进行热处理。
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公开(公告)号：CN101527428A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910126188.3
申请日：2009-03-05
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01S5/343 , H01L21/268 , H01L21/324
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/162 , H01S5/2068 , H01S5/3211 , H01S5/34333
摘要： 本发明提供一种氮化物系半导体激光器的制造方法以及用该制造方法制造的氮化物系半导体激光器，其中，在如氮化物半导体材料那样的不易扩散杂质的材料系中高效且精度良好，适用于量产化，该制造方法代替了以往在GaAlAs系、AlGaInP系等中进行的局部杂质扩散。根据本发明的氮化物系半导体激光器的制造方法包括：准备具有用含有In的氮化物半导体形成的MQW活性层(4)的基板的工序；在MQW活性层(4)的光出射端面或光出射端面预定部的附近选择性地照射激光的工序；以及然后加热处理的工序。
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公开(公告)号：CN101471253B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810190647.X
申请日：2008-12-26
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/40
摘要： 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明提供能够降低针对p型氮化物半导体层的欧姆电极的接触电阻，且能够长期稳定地进行工作的半导体装置的制造方法。在电极形成工序中，在p型GaN接触层(7)上依次形成作为第一p型欧姆电极(10)的Pd膜和作为第二p型欧姆电极(11)的Ta膜，在形成以包括Pd膜和Ta膜的金属膜构成的p型欧姆电极时，以在金属膜中含有氧原子的方式形成金属膜。这样，在金属膜中存在氧原子的状态下，在热处理工序中，在不含有包含氧原子的气体的气氛下对由金属膜构成的p型欧姆电极进行热处理。
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公开(公告)号：CN101452899A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810178023.6
申请日：2008-12-08
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/32341 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供具有在电极间不产生电阻成分的p电极的氮化物半导体装置及其制造方法。p电极(12)由第一Pd膜(13)、Ta膜(14)以及第二Pd膜(15)构成，并且，形成在由氮化物半导体构成的p型接触层(11)上。在第二Pd膜(15)上形成焊盘电极(16)。第二Pd膜(15)形成在构成p电极(12)的Ta膜(14)上部的整个面上，起到防止Ta膜(14)氧化的防氧化膜的功能。能够利用该第二Pd膜(15)防止Ta膜(14)被氧化，因此能够抑制p电极(12)和焊盘电极(16)之间所产生的电阻成分。由此，能够防止p电极(12)与焊盘电极(16)的接触不良，所以，能够实现低电阻的p电极(12)。
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公开(公告)号：CN101452899B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810178023.6
申请日：2008-12-08
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/32341 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供具有在电极间不产生电阻成分的p电极的氮化物半导体装置及其制造方法。p电极(12)由第一Pd膜(13)、Ta膜(14)以及第二Pd膜(15)构成，并且，形成在由氮化物半导体构成的p型接触层(11)上。在第二Pd膜(15)上形成焊盘电极(16)。第二Pd膜(15)形成在构成p电极(12)的Ta膜(14)上部的整个面上，起到防止Ta膜(14)氧化的防氧化膜的功能。能够利用该第二Pd膜(15)防止Ta膜(14)被氧化，因此能够抑制p电极(12)和焊盘电极(16)之间所产生的电阻成分。由此，能够防止p电极(12)与焊盘电极(16)的接触不良，所以，能够实现低电阻的p电极(12)。
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公开(公告)号：CN101465519A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810184420.4
申请日：2008-12-19
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01S5/32341 , H01S5/34333
摘要： 本发明涉及氮化物半导体装置及其制造方法。本发明提供能够降低在P型电极与氮化物半导体层的界面的接触电阻的氮化物半导体装置。该氮化物半导体装置(10)包括：P型氮化物半导体层(1)；和形成于P型氮化物半导体层(1)上的P型电极(3)，P型电极(3)通过在P型氮化物半导体层(1)上依次层叠由功函数为5.1eV以上的金属构成的金属层(3a)；由钯(Pd)构成的Pd层(3b)；和由钽(Ta)构成的Ta层(3c)而被形成。
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公开(公告)号：CN101442184A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810173377.1
申请日：2008-11-20
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S2301/173
摘要： 本发明涉及氮化物半导体装置及其制造方法。其目的在于在半导体装置、特别是在激光二极管的制作中使用的氮化物半导体装置中，抑制工艺的复杂化或成品率的下降、并抑制电极剥离。本发明的氮化物半导体装置具备：在表面具有脊(2)的P型半导体层(1)；至少覆盖脊(2)侧面的SiO2膜(3)；形成在SiO2膜(3)的表面的将硅作为主要成分的粘合层(4)；形成在脊(2)的上表面以及粘合层(4)的表面上的P型电极(5)。
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公开(公告)号：CN101442094A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810176804.1
申请日：2008-11-19
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/0021 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04
摘要： 本发明“氮化物半导体发光元件的制造方法”，是一种能够减小p型电极的接触电阻率的氮化物半导体发光元件的制造方法。在GaN单晶衬底(1)上形成层叠有p型GaN接触层(11)等的半导体层叠结构。在p型GaN接触层上(11)形成具有Pd层(16)和Ta层(17)的p型电极(15)。在形成了p型电极(15)后，在含氧气氛中在400℃～600℃的温度进行热处理。在热处理后，在p型电极(15)上形成含Au的平头电极(18)。
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公开(公告)号：CN101442094B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200810176804.1
申请日：2008-11-19
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/0021 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04
摘要： 本发明“氮化物半导体发光元件的制造方法”，是一种能够减小p型电极的接触电阻率的氮化物半导体发光元件的制造方法。在GaN单晶衬底(1)上形成层叠有p型GaN接触层(11)等的半导体层叠结构。在p型GaN接触层上(11)形成具有Pd层(16)和Ta层(17)的p型电极(15)。在形成了p型电极(15)后，在含氧气氛中在400℃～600℃的温度进行热处理。在热处理后，在p型电极(15)上形成含Au的平头电极(18)。
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公开(公告)号：CN101447468B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200810178809.8
申请日：2008-12-01
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供具有在电极间不产生电阻成分的p电极的氮化物半导体装置及其制造方法。p电极(12)由第一Pd膜(13)、Ta膜(14)和防止Ta膜(14)氧化的作为防氧化膜的第二Pd膜(15)构成，并且形成在由氮化物半导体构成的p型接触层(11)上。在该第二Pd膜(15)上形成焊盘电极(22)。作为防氧化膜的第二Pd膜(15)形成在构成p电极(12)的Ta膜(14)上部的整个面上，并且由于可以由该第二Pd膜(15)防止Ta膜(14)被氧化，所以能够抑制在p电极(12)和焊盘电极(22)之间产生的电阻成分。由此，由于能够防止p电极(12)和焊盘电极(22)之间的接触不良，所以，能够实现低电阻的p电极(12)。
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