公开(公告)号：CN103746036A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201410001040.8

申请日：2014-01-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  杨溢铭 ,  周捷 ,  任兵 ,  王君楠 ,  黄健 ,  唐可 ,  张继军 ,  夏义本

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。属于金刚石辐射探测器制造工艺技术领域。本发明的要点是利用磁控溅射和离子溅射方法在金刚石薄膜上沉积制备C-Pt-Au三层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明的三层C-Pt-Au欧姆电极是有较高的IV性能、较低的薄膜漏电流，其电阻率得到明显改善、使器件的性能得到提高。

公开(公告)号：CN103336296A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201310211429.0

申请日：2013-05-31

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  周捷 ,  黄健 ,  唐可 ,  姚蓓玲 ,  沈萍 ,  任兵 ,  徐海涛 ,  夏义本

IPC: G01T3/08

Abstract: 本发明涉及核辐射探测领域，尤其涉及一种探测慢中子和热中子的中子探测器。所述探测器具有金刚石薄膜、含硼薄膜和复合电极构成。被探测的中子经所述硼薄膜转化为带电的α粒子，所述α粒子电离所述金刚石，在所述复合电极上产生电流信号，从而实现对中子的探测。相对于已有的氦介质中子探测器，本发明可显著降低成本，并且提高探测效率。

公开(公告)号：CN106893997A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201710080946.7

申请日：2017-02-15

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  赵申洁 ,  黄健 ,  任兵 ,  唐可

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/27 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/0272 ,  C23C16/274 ,  C23C16/511

Abstract: 本发明公开了一种纳米金刚石薄膜制备用衬底预处理方法，利用缩水甘油的开环多分支聚合作用，在纳米金刚石粉末表面形成官能团，得到在溶液中分散性极好的聚合甘油嫁接的纳米金刚石粉末(ND‑PG)，溶于甲醇溶液，得到用于薄膜成核的籽晶溶液，从而为异质衬底上利用微波等离子化学气相沉积高质量纳米金刚石薄膜提供了有效的方法。本发明在纳米金刚石粉末表面嫁接官能团，大大增加粉末在水中的分散性，减少团聚，外围衍生效应进一步功能化，有利于增加衬底的成核密度，提高成核质量，对制备高质量纳米金刚石薄膜有很大的意义。

公开(公告)号：CN105742492B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201610225882.0

申请日：2016-04-13

Applicant: 上海大学

Inventor： 汪琳 ,  周家伟 ,  张电 ,  季欢欢 ,  杨瑾 ,  张淑玮 ,  任兵 ,  王林军

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于所述衬底层上的阻变层、位于所述阻变层上的包含两个平面电极的电极层，所述阻变层为掺杂有磁性元素的非晶碳薄膜阻变层，其中所述磁性元素的掺杂质量比为5‑20 wt%。本发明通过一种新颖的电极结构使阻变现象仅发生在负电压，单边阻变现象使阻变存储单元热量损耗更小，提升阻变存储单元读取次数。本发明通过在非晶碳中掺杂磁性元素，使得掺杂的非晶碳薄膜阻变层在具有稳定阻变特性的同时还具有一定磁特性；阻变窗口>10，存储时间>1×105 s；结构简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN106057968A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610406750.8

申请日：2016-06-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  于鸿泽 ,  黄健 ,  李伦娟 ,  杨巍川 ,  任兵

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022408

Abstract: 本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。属于金刚石辐射探测器制造工艺技术领域。本发明的要点是利用旋涂法在金刚石薄膜表面制备石墨烯层，再使用真空蒸镀或者电子束蒸发法在其表面制作金电极，制成石墨烯‑金二层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明的二层石墨烯‑金二层欧姆电极是有较好的欧姆接触特性、较低的接触电阻率，明显提高器件的性能，且制备工艺较为简单。

公开(公告)号：CN105895740A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610315723.X

申请日：2016-05-14

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  于鸿泽 ,  黄健 ,  李伦娟 ,  杨巍川 ,  任兵

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/09

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/09

Abstract: 本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。属于金刚石辐射探测器制造工艺技术领域。本发明的要点是利用旋涂法在金刚石薄膜表面制备石墨烯层，再使用真空蒸镀或者电子束蒸发法在其表面制作金电极，制成石墨烯?金二层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明的二层石墨烯?金二层欧姆电极是有较好的欧姆接触特性、较低的接触电阻率，明显提高器件的性能，且制备工艺较为简单。

公开(公告)号：CN105140392A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510565633.1

申请日：2015-09-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 汪琳 ,  张淑玮 ,  吴白羽 ,  周家伟 ,  任兵 ,  黄健 ,  王林军

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明公开了一种具有反常阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于衬底层上的下电极层、位于下电极层上的阻变层、位于阻变层上的上电极层，阻变层为在非晶碳膜中掺杂有Fe的a-C/Fe薄膜阻变层，其中Fe的掺杂量为4 at%。本发明通过在非晶碳中掺杂Fe，使得不含氧的a-C/Fe薄膜阻变层具有磁性、具有反常阻变特性，且阻变性能稳定，使薄膜具有较高的矫顽力和巨磁阻等独特的磁性质和磁输运特性；结构简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN103746037A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201410001041.2

申请日：2014-01-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  杨惠敏 ,  黄健 ,  张磊 ,  任兵 ,  陶骏 ,  张凯勋

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及的是一种硅基ZnS薄膜紫外可见光光电探测器的制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。本发明是采用磁控溅射法，在p型Si衬底上制备n型ZnS薄膜，形成ZnS薄膜/Sipn结结构紫外可见光探测器，为制作高性能的紫外可见光探测器提供了新的方法。本发明是一种基于硅衬底的pn结ZnS薄膜紫外光探测器，其特点在于，采用磁控溅射法在Si片上制备颗粒尺寸均匀、质量高的ZnS薄膜样品，所制成的pn结型探测器具有高的灵敏度，且可同时探测紫外光和可见光。