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公开(公告)号：CN102243991B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110116134.6
申请日：2011-05-06
申请人： 上海大学
摘要： 本发明涉及一种制备多晶硅薄膜的方法，具体的说就是利用金属锡在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法。本发明方法的主要技术方案：1、对玻璃衬底用丙酮和去离子水分别进行超声波清洗，使玻璃衬底清洁；2、在玻璃衬底上用等离子增强化学气相沉积法（PECVD）生长一层非晶硅(a-Si:H)薄膜，沉积时衬底温度为200℃左后，薄膜厚度为200nm-300nm；3、在非晶硅薄膜上用物理气相沉积法生长一层金属锡(Sn)薄膜，厚度为10nm-20nm，得到衬底/(a-Si:H)/Sn结构；4、将衬底/(a-Si:H)/Sn叠层置于热处理炉中，在450℃下热处理1小时以上自然冷却，退火全过程通入氮气(N2)作为保护气体；5、用浓盐酸溶液(浓度为37.5%)来除去表面残留的金属锡，最后制得锡诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为70-200nm。本发明适用于薄膜场效应晶体管(TFT)和太阳能电池领域。
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公开(公告)号：CN102320757A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110147817.8
申请日：2011-06-03
申请人： 上海大学
IPC分类号： C03C17/22
摘要： 本发明涉及一种制备多晶硅薄膜的方法，具体的说就是利用氯化铝(AlCl3)升华的物理性质来作为铝源进行铝诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法。本发明是通过以下技术方案来实现：1、使用玻璃作为衬底，用丙酮和去离子水分别进行超声波清洗，使玻璃衬底清洁，烘干后放入等离子增强化学气相沉积反应室；2、在玻璃衬底上用等离子增强化学气相沉积法（PECVD）生长一层非晶硅(a-Si:H)薄膜，薄膜厚度为100nm-200nm；3、将作为铝源的无水氯化铝粉末和制备好的非晶硅薄膜制品一起放入特制的石英舟内，将装载好的石英舟置于石英管式退火炉中，在550℃下热处理4小时以上自然冷却，退火前和期间通入氩气(Ar)，气体流量为200sccm；4、用浓度为20%的盐酸溶液来除去表面残留的铝，最后得到诱导晶化的多晶硅薄膜；本发明适用于薄膜场效应晶体管(TFT)和太阳能电池领域。
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公开(公告)号：CN102243991A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110116134.6
申请日：2011-05-06
申请人： 上海大学
摘要： 本发明涉及一种制备多晶硅薄膜的方法，具体的说就是利用金属锡在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法。本发明方法的主要技术方案：1、对玻璃衬底用丙酮和去离子水分别进行超声波清洗，使玻璃衬底清洁；2、在玻璃衬底上用等离子增强化学气相沉积法（PECVD）生长一层非晶硅(a-Si:H)薄膜，沉积时衬底温度为200℃左后，薄膜厚度为200nm-300nm；3、在非晶硅薄膜上用物理气相沉积法生长一层金属锡(Sn)薄膜，厚度为10nm-20nm，得到衬底/(a-Si:H)/Sn结构；4、将衬底/(a-Si:H)/Sn叠层置于热处理炉中，在450℃下热处理1小时以上自然冷却，退火全过程通入氮气(N2)作为保护气体；5、用浓盐酸溶液(浓度为37.5%)来除去表面残留的金属锡，最后制得锡诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为70-200nm。本发明适用于薄膜场效应晶体管(TFT)和太阳能电池领域。
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公开(公告)号：CN101557187B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910050329.8
申请日：2009-04-30
申请人： 上海大学
IPC分类号： H02P6/08 , H02P6/18 , H02M7/5395
摘要： 本发明涉及一种基于12拍控制的无刷直流电机无位置传感器控制装置及方法。本装置包括直流电源、三相逆变器、无刷直流电机、三相逆变器功率器件驱动电路、微控制器和转子位置检测电路。直流电源经三相逆变器与无刷直流电机连接；转子位置检测电路连接无刷直流电机进行检测后输出的信号直接连接至微控制器的模数转换输入引脚；微控制器的六路输出经三相逆变器功率器件驱动电路连接至三相逆变器。本方法利用XC866单片机内嵌的模数转换单元，在PWM开通时刻检测两管导通区间内非导通相绕组的端电压，获取反电势过零点来作为12拍换相的依据，从而降低了所采用无刷直流电机无位置传感器控制装置对外围电路的需求，达到既有效抑制电磁转矩脉动，又降低系统成本的目的。
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公开(公告)号：CN105970134B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201610284043.6
申请日：2016-05-04
申请人： 上海大学
IPC分类号： C22F3/02
摘要： 本发明公开了一种电流高通量制备金属凝固和热处理试样的装置和方法，该装置包括电源、电极、电阻炉、坩埚、测温元件，坩埚和测温元件位于电阻炉中，用于对金属试样进行控温加热和冷却，电极位于坩埚的上方。本发明可用于快速筛选最优电流施加工艺参数，省去了浇注步骤，省去了多次实验过程中操作不确定性因素，也避免了实验过程中参数的波动不稳定而带来的温度误差；本发明所提供的装置采用统一集中测温，统一外场电流参数处理减少了实验参数的波动，能更准确地测得电流处理金属熔体下温度的研究。
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公开(公告)号：CN103949631B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201410147684.8
申请日：2014-04-14
申请人： 上海大学
IPC分类号： B22D46/00
摘要： 本发明公开了一种测量脉冲电流液面扰动凝固细晶工艺中熔体温度的装置，包括熔铸系统、脉冲电流液面扰动施加系统和温度测试分析系统等；熔铸系统由弹簧形感应线圈和中频交变电源构成，中频交变电源经开关装置控制弹簧形感应线圈产生交变磁场，使铸型内的金属块感生出涡流而熔化；脉冲电流液面扰动施加系统由平行电极和脉冲电源构成，脉冲电源通过开关器件控制平行电极，对熔体施加脉冲电流液面扰动处理，平行电极和热电偶插入熔体中并固定，通过温度采集记录系统连续记录金属熔体的温度信息。相比传统测温方法，本发明省去了浇注过程，能更加稳定、准确地测得熔体温度曲线，为脉冲电流液面扰动凝固细晶工艺提供可靠的温度数据。
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公开(公告)号：CN104399951B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410444467.5
申请日：2014-09-03
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种脉冲磁致振荡和细化剂复合细化金属凝固组织的方法，在熔化状态的金属中添加相应的细化剂，并在凝固过程中施加脉冲磁致振荡直至其完全凝固；具体步骤如下：(1)将铸型中的金属加热至熔化；(2)将相应的细化剂加入到金属熔体中，充分搅拌；(3)通过螺线管形线圈对熔体施加脉冲磁致振荡处理，直至熔体完全凝固，获得细化的金属凝固组织。本发明结合了外场处理和添加细化剂两种方法，能更显著地细化金属的凝固组织，且具有工艺简单、操作方便和成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN106272415A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610750480.2
申请日：2016-08-30
申请人： 上海大学
CPC分类号： B25J9/1679 , B25J5/007 , B25J9/1694
摘要： 本发明公开一种全向移动转运机器人，包括移动底盘、载货架、旋转机构、升降机构、机械手、视觉系统、激光传感器、控制系统和充电系统，移动底盘采用麦克纳姆轮，实现全向移动，升降机构能够调节机械手的高度，旋转机构可以实现立柱的任意角度的回转运动，再配合具有七个自由度的机械手，使工作范围加大，激光传感器和视觉系统能够实现精确制导，操作方便，动作快捷，由它取代人工作业不仅降低了工作强度，提高了生产效率，且其具有高度灵活性和柔性。
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公开(公告)号：CN104399951A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410444467.5
申请日：2014-09-03
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种脉冲磁致振荡和细化剂复合细化金属凝固组织的方法，在熔化状态的金属中添加相应的细化剂，并在凝固过程中施加脉冲磁致振荡直至其完全凝固；具体步骤如下：(1)将铸型中的金属加热至熔化；(2)将相应的细化剂加入到金属熔体中，充分搅拌；(3)通过螺线管形线圈对熔体施加脉冲磁致振荡处理，直至熔体完全凝固，获得细化的金属凝固组织。本发明结合了外场处理和添加细化剂两种方法，能更显著地细化金属的凝固组织，且具有工艺简单、操作方便和成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN102952061B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201210395613.0
申请日：2012-10-18
申请人： 上海大学
IPC分类号： C07D209/38
摘要： 本发明涉及一种N-取代吲哚二酮类化合物及其制备方法。该化合物的结构式为：其中: R1为：OMe或OTs；R2为：、一个碳到十二个碳的烷基、isopropyl、cyclopropyl、benzyl、alkyl、phenethyl、hydroxyethyl、furan-2-ylmethyl或naphthalen-1-yl；R3为：R3为：H、-Me、-OMe、-OEt、-Br、-Cl或-COOEt。该N-取代的吲哚二酮类化合物是一类重要的药物分子的活性骨架以及有机合成中间体，在药物化学中占有重要的地位。本发明方法的原料易得，反应产率高，底物适用范围广。反应中使用常规溶剂，操作简单、条件温和、反应环保，反应产率最高可达85％，非常适合工业生产。
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