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公开(公告)号：CN1734734A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510089134.6
申请日：2005-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3205
Abstract: 本发明提供一种通过组合蚀刻处理，能够将结晶质的半球状粒子控制在小尺寸的成膜方法。在被处理体W的表面形成薄膜的成膜方法中，具有由成膜气体在所述被处理体的表面形成结晶核，使该结晶核成长，从而形成结晶质的半球状粒子形成在表面的HSG薄膜的HSG薄膜形成工序；通过氧化所述HSG薄膜的表面形成氧化膜的氧化膜形成工序；通过蚀刻除去氧化膜的蚀刻工序。这样，通过组合蚀刻处理，可以将HSG硅结晶质粒子中的结晶质半球状粒子控制在小尺寸。
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公开(公告)号：CN1518760A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN02809018.7
申请日：2002-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02299 , H01L21/31658 , H01L21/31662 , Y10S438/909
Abstract: 一种氧化膜形成方法，有利于在整个晶片上形成膜厚和膜质量的均匀性都很高的优质氧化膜。氧化膜形成方法包括前处理工序和氧化膜形成工序，前处理工序是在减压条件下，利用活性氧化晶种或含有活性氧化晶种的气氛对配置在反应容器内的晶片进行氧化处理，在晶片的表面上形成保护氧化膜；氧化膜形成工序是在减压条件下以规定温度对晶片进行氧化处理，形成氧化膜。氧化膜形成工序最好是在进行前处理工序的反应容器内和前处理工序连续进行。前处理工序最好在比氧化膜形成工序的温度低的温度下进行，而且，最好是在减压程度比氧化膜形成工序高的减压条件下进行。根据该氧化膜形成方法，可形成良好的晶体管元件的栅极绝缘膜。
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公开(公告)号：CN108695200B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201810265221.X
申请日：2018-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 古泽纯和
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及立式热处理装置，在将棚架状地保持晶圆的基板保持器具搬入反应容器内并且在真空环境下对基板进行热处理时，抑制微粒附着于基板。在将多个晶圆以棚架状地保持于作为基板保持器具的晶舟后搬入反应容器内，并且在真空环境下进行热处理，从被设为在反应容器内以沿晶舟的高度方向延伸的、且沿晶舟而形成有多个气体喷出孔的气体喷嘴喷出气体。微粒与气体一并从气体喷出孔喷出，在反应容器的内壁上的、隔着晶舟而与气体喷嘴相向的区域形成带状延伸的突起部，使微粒与突起部碰撞而向上下方向或横向反弹。由此，能够抑制微粒向晶圆侧反弹，因此能够抑制微粒附着于晶圆。
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公开(公告)号：CN108091594B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201711097184.8
申请日：2017-11-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 古泽纯和
Abstract: 本发明涉及基板处理装置、喷射器以及基板处理方法。即使在进行急剧的气体导入的情况下也能够抑制微粒被带入处理容器内。将基板处理装置构成为具有：处理容器，其用于收容多个基板；气体供给部，其用于将气体供给到所述处理容器内；以及排气部，其用于将所述处理容器内的气体排出。该基板装置还具备用于对所述气体供给部内进行扫气的扫气部，所述气体供给部连接于所述扫气部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108695200A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810265221.X
申请日：2018-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 古泽纯和
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67098
Abstract: 本发明涉及立式热处理装置，在将棚架状地保持晶圆的基板保持器具搬入反应容器内并且在真空环境下对基板进行热处理时，抑制微粒附着于基板。在将多个晶圆以棚架状地保持于作为基板保持器具的晶舟后搬入反应容器内，并且在真空环境下进行热处理，从被设为在反应容器内以沿晶舟的高度方向延伸的、且沿晶舟而形成有多个气体喷出孔的气体喷嘴喷出气体。微粒与气体一并从气体喷出孔喷出，在反应容器的内壁上的、隔着晶舟而与气体喷嘴相向的区域形成带状延伸的突起部，使微粒与突起部碰撞而向上下方向或横向反弹。由此，能够抑制微粒向晶圆侧反弹，因此能够抑制微粒附着于晶圆。
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公开(公告)号：CN1270358C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN02809018.7
申请日：2002-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02299 , H01L21/31658 , H01L21/31662 , Y10S438/909
Abstract: 一种氧化膜形成方法，有利于在整个晶片上形成膜厚和膜质量的均匀性都很高的优质氧化膜。氧化膜形成方法包括前处理工序和氧化膜形成工序，前处理工序是在减压条件下，利用活性氧化晶种或含有活性氧化晶种的气氛对配置在反应容器内的晶片进行氧化处理，在晶片的表面上形成保护氧化膜；氧化膜形成工序是在减压条件下以规定温度对晶片进行氧化处理，形成氧化膜。氧化膜形成工序最好是在进行前处理工序的反应容器内和前处理工序连续进行。前处理工序最好在比氧化膜形成工序的温度低的温度下进行，而且，最好是在减压程度比氧化膜形成工序高的减压条件下进行。根据该氧化膜形成方法，可形成良好的晶体管元件的栅极绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1502120A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN01822329.X
申请日：2001-12-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02046 , C30B33/00 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02301 , H01L21/02312 , H01L21/31138 , H01L21/31662 , H01L21/67109
Abstract: 热处理装置(1)具有：具有升温用加热器(12)的、容放附着有有机物的晶片(10)的反应管(2)；向反应管(2)内供给氧气的第1气体导入管(13)；供给氢气的第2气体导入管(14)。分别通过第1气体导入管(13)和第2气体导入管(14)向反应管(2)内供给氧气和氢气，通过升温用加热器(12)将反应管(2)加热到可使氧气和氢气活化的温度。于是，在反应管(2)内发生燃烧反应，使附着在晶片(10)上的有机物氧化、分解，从而将其除去。
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