公开(公告)号：CN104716020A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410764284.1

申请日：2014-12-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥和也 ,  古泽纯和 ,  冈田充弘 ,  米仓大雅

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/67 ,  C30B1/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  C30B29/54 ,  Y10T117/10 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及非晶硅的结晶化方法、结晶化硅膜的成膜方法、半导体装置的制造方法和成膜装置。一种使非晶硅发生结晶化的非晶硅的结晶化方法，其中，在晶体生长慢的第一非晶硅膜上层叠晶体生长快于前述第一非晶硅膜的第二非晶硅膜，对所层叠的前述第一非晶硅膜、第二非晶硅膜实施结晶化处理，使至少前述第二非晶硅膜的非晶硅发生结晶化。

公开(公告)号：CN100372076C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN01822329.X

申请日：2001-12-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菱屋晋吾 ,  古泽纯和 ,  梅泽好太 ,  林輝幸 ,  齐藤美佐子 ,  佐藤昌一

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02046 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109

Abstract: 热处理装置(1)具有：具有升温用加热器(12)的、容放附着有有机物的晶片(10)的反应管(2)；向反应管(2)内供给氧气的第1气体导入管(13)；供给氢气的第2气体导入管(14)。分别通过第1气体导入管(13)和第2气体导入管(14)向反应管(2)内供给氧气和氢气，通过升温用加热器(12)将反应管(2)加热到可使氧气和氢气活化的温度。于是，在反应管(2)内发生燃烧反应，使附着在晶片(10)上的有机物氧化、分解，从而将其除去。

公开(公告)号：CN104347353A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410375010.3

申请日：2014-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  高桥和也 ,  小森克彦 ,  古泽纯和 ,  冈田充弘 ,  林宽之 ,  柿本明修

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  C23C16/24

CPC classification number: C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/76879

Abstract: 本发明涉及硅膜的成膜方法、薄膜的成膜方法以及截面形状的控制方法。硅膜的成膜方法为在具有被处理面的被处理体上形成硅膜的方法，具备：(1)对前述被处理面上供给分子中包含两个以上硅的高阶氨基硅烷系气体，使前述被处理面上吸附硅而形成晶种层的工序；和(2)对前述晶种层上供给不包含氨基的硅烷系气体，使硅沉积在前述晶种层上而形成硅膜的工序，将前述(1)工序的处理温度设为350℃以下且室温(25℃)以上的范围。

公开(公告)号：CN101814431A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN201010115677.1

申请日：2010-02-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 古泽纯和 ,  冈田充弘

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/24 ,  C23C16/28 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 本发明提供一种成膜含锗膜的装置的使用方法，该使用方法按照以下顺序进行以下处理：第一成膜处理，利用CVD在容纳于反应容器内的成品用被处理体上形成含锗的第一成品膜；第一清洁处理，对成膜副产物进行蚀刻；第二清洁处理，去除残留在反应容器内的锗；以及第二成膜处理，利用CVD在容纳于反应容器内的成品用被处理体上形成不含锗的第二成品膜。其中，在第二清洁处理中，一边从未容纳成品用被处理体的反应容器内排气，一边向反应容器内供给包含氧化气体和氢气的第二清洁气体的同时对反应容器内加热来活化第二清洁气体。

公开(公告)号：CN104716020B

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201410764284.1

申请日：2014-12-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥和也 ,  古泽纯和 ,  冈田充弘 ,  米仓大雅

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/67 ,  C30B1/02 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明涉及非晶硅的结晶化方法、结晶化硅膜的成膜方法、半导体装置的制造方法和成膜装置。一种使非晶硅发生结晶化的非晶硅的结晶化方法，其中，在晶体生长慢的第一非晶硅膜上层叠晶体生长快于前述第一非晶硅膜的第二非晶硅膜，对所层叠的前述第一非晶硅膜、第二非晶硅膜实施结晶化处理，使至少前述第二非晶硅膜的非晶硅发生结晶化。

公开(公告)号：CN108091594A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711097184.8

申请日：2017-11-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 古泽纯和

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/02104

Abstract: 本发明涉及基板处理装置、喷射器以及基板处理方法。即使在进行急剧的气体导入的情况下也能够抑制微粒被带入处理容器内。将基板处理装置构成为具有：处理容器，其用于收容多个基板；气体供给部，其用于将气体供给到所述处理容器内；以及排气部，其用于将所述处理容器内的气体排出。该基板装置还具备用于对所述气体供给部内进行扫气的扫气部，所述气体供给部连接于所述扫气部。

公开(公告)号：CN103578939A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310325943.7

申请日：2013-07-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥和也 ,  古泽纯和 ,  冈田充弘

IPC: H01L21/223

CPC classification number: H01L21/22 ,  H01L21/223 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/3245

Abstract: 本发明提供一种杂质扩散方法，该方法是使用虚设的被处理基板并且使杂质相对于被处理基板所具有的被扩散部位进行气相扩散的杂质扩散方法，其具备：将前述被处理基板及前述虚设的被处理基板载置于基板载置夹具的工序；将载置有前述被处理基板及前述虚设的被处理基板的前述基板载置夹具收纳于处理装置的处理室的工序；以及，在收纳有前述基板载置夹具的前述处理室内，使杂质相对于前述被处理基板的前述被扩散部位进行气相扩散的工序，在前述气相扩散工序中，前述要进行气相扩散的杂质是硼时，使用前述虚设的被处理基板的外表面是具有不吸附硼的性质的物质的基板作为前述虚设的被处理基板。

公开(公告)号：CN104347353B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201410375010.3

申请日：2014-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  高桥和也 ,  小森克彦 ,  古泽纯和 ,  冈田充弘 ,  林宽之 ,  柿本明修

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  C23C16/24

CPC classification number: C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明涉及硅膜的成膜方法、薄膜的成膜方法以及截面形状的控制方法。硅膜的成膜方法为在具有被处理面的被处理体上形成硅膜的方法，具备：(1)对前述被处理面上供给分子中包含两个以上硅的高阶氨基硅烷系气体，使前述被处理面上吸附硅而形成晶种层的工序；和(2)对前述晶种层上供给不包含氨基的硅烷系气体，使硅沉积在前述晶种层上而形成硅膜的工序，将前述(1)工序的处理温度设为350℃以下且室温(25℃)以上的范围。

公开(公告)号：CN101814431B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201010115677.1

申请日：2010-02-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 古泽纯和 ,  冈田充弘

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/24 ,  C23C16/28 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 本发明提供一种成膜含锗膜的装置的使用方法，该使用方法按照以下顺序进行以下处理：第一成膜处理，利用CVD在容纳于反应容器内的成品用被处理体上形成含锗的第一成品膜；第一清洁处理，对成膜副产物进行蚀刻；第二清洁处理，去除残留在反应容器内的锗；以及第二成膜处理，利用CVD在容纳于反应容器内的成品用被处理体上形成不含锗的第二成品膜。其中，在第二清洁处理中，一边从未容纳成品用被处理体的反应容器内排气，一边向反应容器内供给包含氧化气体和氢气的第二清洁气体的同时对反应容器内加热来活化第二清洁气体。

公开(公告)号：CN1783436A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510127114.3

申请日：2001-12-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菱屋晋吾 ,  古泽纯和 ,  梅泽好太 ,  林輝幸 ,  齐藤美佐子 ,  佐藤昌一

IPC: H01L21/306

Abstract: 一种被处理体的处理方法，包括：具有，将附着有由磷酸三丁酯、硅氧烷、邻苯二甲酸二辛酯中的至少一种构成的有机物的被处理体放入反应室内的工序；以及，将所述反应室加热到既定温度并供给处理气体从而将所述有机物从所述被处理体上除去的工序；所述处理气体含有臭氧，将所述反应室的温度加热到可使所述臭氧活化的温度。