公开(公告)号：CN119465097A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411490145.4

申请日：2019-11-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤里敏章 ,  望月隆 ,  鸟屋大辅 ,  铃木公贵 ,  鲁和俊

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50

Abstract: 本发明提供基板保持机构、成膜装置及成膜方法。该基板保持机构能够在利用等离子CVD或等离子ALD成膜导电性膜时静电吸附被处理基板，该成膜装置使用了该基板保持机构。基板保持机构包括：载物台，其由电介质构成，用于支承被处理基板；吸附电极，其设于载物台内；以及加热器，其加热载物台，利用约翰逊·拉别克力将被处理基板静电吸附于载物台的表面，载物台具有：密合区域，其呈环状，位于载物台的表面的与被处理基板的外周相对应的位置，与被处理基板密合，而具有阻止用于成膜导电性膜的原料气体迂回到所述被处理基板的背面侧的功能；以及槽部，其呈环状设于载物台的表面的比密合区域靠外侧的部分，能够累积由原料气体生成的导电性沉积膜。

公开(公告)号：CN111218671A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201911173253.8

申请日：2019-11-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤里敏章 ,  望月隆 ,  鸟屋大辅 ,  铃木公贵 ,  鲁和俊

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50

Abstract: 本发明提供基板保持机构和成膜装置。该基板保持机构能够在利用等离子CVD或等离子ALD成膜导电性膜时静电吸附被处理基板，该成膜装置使用了该基板保持机构。基板保持机构包括：载物台，其由电介质构成，用于支承被处理基板；吸附电极，其设于载物台内；以及加热器，其加热载物台，利用约翰逊·拉别克力将被处理基板静电吸附于载物台的表面，载物台具有：密合区域，其呈环状，位于载物台的表面的与被处理基板的外周相对应的位置，与被处理基板密合，而具有阻止用于成膜导电性膜的原料气体迂回到所述被处理基板的背面侧的功能；以及槽部，其呈环状设于载物台的表面的比密合区域靠外侧的部分，能够累积由原料气体生成的导电性沉积膜。

公开(公告)号：CN107723682A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710686260.2

申请日：2017-08-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈部真也 ,  望月隆 ,  山崎英亮 ,  平松永泰 ,  传宝一树

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/14 ,  C23C16/513

Abstract: 本发明提供一种在通过等离子体CVD成膜时，调整基板外周部的膜厚能够获得所期望的膜厚面内均匀性的技术。成膜装置(100)包括：用于收纳晶片(W)的处理容器(1)；在处理容器(1)内载置晶片的基座(2)；与载置在基座(2)的晶片W相对配置，将处理气体向基座(2)上的晶片(W)排出的喷淋头(10)；在喷淋头(10)和基座(2)之间生成等离子体并激发处理气体的高频电源(41)，利用由等离子体激发的处理气体在晶片(W)上形成规定的膜。喷淋头(10)具有与基座(2)相对的气体排出面(17)，在气体排出面(17)形成有多个气体排出孔(15)，气体排出面(17)中的形成有多个气体排出孔(15)的气体排出孔形成区域(18)比气体排出面(17)的与晶片(W)对应的区域小。

公开(公告)号：CN101529564A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780038889.0

申请日：2007-08-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 望月隆

IPC: H01L21/31 ,  B01D1/16 ,  C23C16/448

CPC classification number: C23C16/4486 ,  B01B1/005

Abstract: 本发明提供一种通过控制向汽化室吐出的液态原料的液滴的尺寸并抑制液滴尺寸的参差不齐，使液滴确实地得到汽化的汽化器和设有该汽化器的成膜装置。汽化器包括：以规定压力供给液态原料的原料液室(410)；用于吐出原料液室内的液态原料的多个吐出喷嘴(420)；使从多个吐出喷嘴吐出的液态原料汽化而生成原料气体的汽化室(430)；和使原料液室的内部空间的容积周期性地发生变化，向液态原料施加吐出压力的压电元件(440)。