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公开(公告)号：CN107723682B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201710686260.2
申请日：2017-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/14 , C23C16/513
Abstract: 本发明提供一种在通过等离子体CVD成膜时，调整基板外周部的膜厚能够获得所期望的膜厚面内均匀性的技术。成膜装置(100)包括：用于收纳晶片(W)的处理容器(1)；在处理容器(1)内载置晶片的基座(2)；与载置在基座(2)的晶片W相对配置，将处理气体向基座(2)上的晶片(W)排出的喷淋头(10)；在喷淋头(10)和基座(2)之间生成等离子体并激发处理气体的高频电源(41)，利用由等离子体激发的处理气体在晶片(W)上形成规定的膜。喷淋头(10)具有与基座(2)相对的气体排出面(17)，在气体排出面(17)形成有多个气体排出孔(15)，气体排出面(17)中的形成有多个气体排出孔(15)的气体排出孔形成区域(18)比气体排出面(17)的与晶片(W)对应的区域小。
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公开(公告)号：CN110504157A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910410303.3
申请日：2019-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。本公开的基板处理方法包括以下工序：第一处理工序，将基板载置台调温至第一温度来对基板进行处理；以及第二处理工序，将所述基板载置台调温至比所述第一温度高的第二温度来对所述基板进行处理，其中，在将所述基板载置台从所述第一温度向所述第二温度进行调温时，使维持所述冷却器的设定温度的第一流量的所述制冷剂从所述冷却器向所述制冷剂流路流通，并且使所述加热器工作，在将所述基板载置台从所述第二温度向所述第一温度进行调温时，使流量比所述第一流量多的第二流量的所述制冷剂从所述冷却器向所述制冷剂流路流通，并且使所述加热器工作、或者使所述加热器停止工作。
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公开(公告)号：CN1885490A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610093184.6
申请日：2006-06-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/203 , H01L21/205 , C23C14/00 , C23C16/00 , C30B25/14
Abstract: 本发明提供一种将中空状的脚部内维持在不发生放电的压力气氛，能防止馈电线之间放电的载置台装置。载置台装置安装结构为将载置台装置安装在可抽真空的处理容器内，该载置台装置具有：设置有加热机构的载置台；支撑它的中空状的脚部；和连接加热机构的馈电线等，该载置台装置安装结构具有：在形成在处理容器底部的开口部上、以密封该开口部的方式设置的底部安装台；设置在脚部的下端部与底部安装台之间、由软质金属材料构成的金属密封部件；将脚部下端部固定在底部安装台侧的固定机构；将惰性气体供给脚部内，使其为馈电线之间不发生放电的压力气氛的惰性气体供给机构；和用于对脚部内气氛一边限制其流量、一边使其排出的脚部内气氛排气机构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111417742A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201880074074.6
申请日：2018-10-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/683
Abstract: 在未形成等离子体的气氛下对基板进行处理时，能够可靠性较高地对该基板进行吸附，在基板的面内进行均匀性较高的处理。构成具备以下构件的装置：直流电源(35)，其正极侧与静电卡盘(3)的电极(32)和导电构件(4)中的一者连接，负极侧与静电卡盘(3)的电极(32)和导电构件(4)中的另一者连接，用于在处理容器(11)内未形成等离子体的状态下向位于与基板(W)相接的处理位置的导电构件(4)和电极(32)之间施加电压，利用由此产生的静电吸附力使基板(W)吸附于静电卡盘(3)的电介质层(31)；以及处理气体供给部(28)，在使基板(W)吸附于电介质层(31)的状态下，向该基板(W)供给处理气体并进行处理。
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公开(公告)号：CN100440425C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610093184.6
申请日：2006-06-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/203 , H01L21/205 , C23C14/00 , C23C16/00 , C30B25/14
Abstract: 本发明提供一种将中空状的脚部内维持在不发生放电的压力气氛，能防止馈电线之间放电的载置台装置。载置台装置安装结构为将载置台装置安装在可抽真空的处理容器内，该载置台装置具有：设置有加热机构的载置台；支撑它的中空状的脚部；和连接加热机构的馈电线等，该载置台装置安装结构具有：形成在处理容器底部的开口部上、以密封该开口部的方式设置的底部安装台；设置在脚部的下端部与底部安装台之间、由软质金属材料构成的金属密封部件；将脚部下端部固定在底部安装台侧的固定机构；惰性气体供给机构，将惰性气体供给脚部内，使脚部内成为馈电线之间不发生放电的压力气氛；和用于对脚部内气体一边限制其流量、一边使其排出的脚部内气体排气机构。
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公开(公告)号：CN110504157B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201910410303.3
申请日：2019-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。本公开的基板处理方法包括以下工序：第一处理工序，将基板载置台调温至第一温度来对基板进行处理；以及第二处理工序，将所述基板载置台调温至比所述第一温度高的第二温度来对所述基板进行处理，其中，在将所述基板载置台从所述第一温度向所述第二温度进行调温时，使维持所述冷却器的设定温度的第一流量的所述制冷剂从所述冷却器向所述制冷剂流路流通，并且使所述加热器工作，在将所述基板载置台从所述第二温度向所述第一温度进行调温时，使流量比所述第一流量多的第二流量的所述制冷剂从所述冷却器向所述制冷剂流路流通，并且使所述加热器工作、或者使所述加热器停止工作。
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公开(公告)号：CN111417742B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201880074074.6
申请日：2018-10-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/683
Abstract: 在未形成等离子体的气氛下对基板进行处理时，能够可靠性较高地对该基板进行吸附，在基板的面内进行均匀性较高的处理。构成具备以下构件的装置：直流电源(35)，其正极侧与静电卡盘(3)的电极(32)和导电构件(4)中的一者连接，负极侧与静电卡盘(3)的电极(32)和导电构件(4)中的另一者连接，用于在处理容器(11)内未形成等离子体的状态下向位于与基板(W)相接的处理位置的导电构件(4)和电极(32)之间施加电压，利用由此产生的静电吸附力使基板(W)吸附于静电卡盘(3)的电介质层(31)；以及处理气体供给部(28)，在使基板(W)吸附于电介质层(31)的状态下，向该基板(W)供给处理气体并进行处理。
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公开(公告)号：CN101529564B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200780038889.0
申请日：2007-08-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 望月隆
IPC: H01L21/31 , B01D1/16 , C23C16/448
CPC classification number: C23C16/4486 , B01B1/005
Abstract: 本发明提供一种通过控制向汽化室吐出的液态原料的液滴的尺寸并抑制液滴尺寸的参差不齐，使液滴确实地得到汽化的汽化器和设有该汽化器的成膜装置。汽化器包括：以规定压力供给液态原料的原料液室(410)；用于吐出原料液室内的液态原料的多个吐出喷嘴(420)；使从多个吐出喷嘴吐出的液态原料汽化而生成原料气体的汽化室(430)；和使原料液室的内部空间的容积周期性地发生变化，向液态原料施加吐出压力的压电元件(440)。
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