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公开(公告)号：CN110359027B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201910220826.1
申请日：2019-03-22
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/14 , C23C16/455 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及钨膜的成膜方法及控制装置。本发明的课题是提供能够在沟槽或孔的内部不产生空隙地成膜为钨膜的技术。基于本公开的一个方式的钨膜的成膜方法是在贯穿部成膜为钨膜的成膜方法，所述贯穿部设置在形成于基底表面的膜上以使基底的表面露出，所述钨膜的成膜方法具备如下工序：在前述贯穿部形成由过渡金属的氮化物形成的阻挡金属膜，以使其在前述基底的露出面上比在前述贯穿部的侧壁上还厚地成膜的工序；和，供给氯化钨气体及对氯化钨气体进行还原的还原气体，在前述基底的露出面选择性地形成钨膜的工序。
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公开(公告)号：CN107723682A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710686260.2
申请日：2017-08-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/14 , C23C16/513
摘要： 本发明提供一种在通过等离子体CVD成膜时，调整基板外周部的膜厚能够获得所期望的膜厚面内均匀性的技术。成膜装置(100)包括：用于收纳晶片(W)的处理容器(1)；在处理容器(1)内载置晶片的基座(2)；与载置在基座(2)的晶片W相对配置，将处理气体向基座(2)上的晶片(W)排出的喷淋头(10)；在喷淋头(10)和基座(2)之间生成等离子体并激发处理气体的高频电源(41)，利用由等离子体激发的处理气体在晶片(W)上形成规定的膜。喷淋头(10)具有与基座(2)相对的气体排出面(17)，在气体排出面(17)形成有多个气体排出孔(15)，气体排出面(17)中的形成有多个气体排出孔(15)的气体排出孔形成区域(18)比气体排出面(17)的与晶片(W)对应的区域小。
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公开(公告)号：CN107723682B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201710686260.2
申请日：2017-08-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/14 , C23C16/513
摘要： 本发明提供一种在通过等离子体CVD成膜时，调整基板外周部的膜厚能够获得所期望的膜厚面内均匀性的技术。成膜装置(100)包括：用于收纳晶片(W)的处理容器(1)；在处理容器(1)内载置晶片的基座(2)；与载置在基座(2)的晶片W相对配置，将处理气体向基座(2)上的晶片(W)排出的喷淋头(10)；在喷淋头(10)和基座(2)之间生成等离子体并激发处理气体的高频电源(41)，利用由等离子体激发的处理气体在晶片(W)上形成规定的膜。喷淋头(10)具有与基座(2)相对的气体排出面(17)，在气体排出面(17)形成有多个气体排出孔(15)，气体排出面(17)中的形成有多个气体排出孔(15)的气体排出孔形成区域(18)比气体排出面(17)的与晶片(W)对应的区域小。
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公开(公告)号：CN110359027A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910220826.1
申请日：2019-03-22
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/14 , C23C16/455 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及钨膜的成膜方法及控制装置。本发明的课题是提供能够在沟槽或孔的内部不产生空隙地成膜为钨膜的技术。基于本公开的一个方式的钨膜的成膜方法是在贯穿部成膜为钨膜的成膜方法，所述贯穿部设置在形成于基底表面的膜上以使基底的表面露出，所述钨膜的成膜方法具备如下工序：在前述贯穿部形成由过渡金属的氮化物形成的阻挡金属膜，以使其在前述基底的露出面上比在前述贯穿部的侧壁上还厚地成膜的工序；和，供给氯化钨气体及对氯化钨气体进行还原的还原气体，在前述基底的露出面选择性地形成钨膜的工序。
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公开(公告)号：CN111554577B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202010078882.9
申请日：2020-02-03
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/205 , C23C16/02 , C23C16/14
摘要： 本发明提供一种使低电阻的钨膜成膜的基板处理方法和成膜系统。一种基板处理方法，其具备如下工序：准备在表面形成有自然氧化膜的基板的工序；实施作为去除所述自然氧化膜的处理的前处理的工序；以及将载置所述基板的载物台的温度加热到预定的温度，向实施了所述前处理之后的所述基板供给氯化钨气体和还原气体而在所述基板直接使钨膜成膜的工序。
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公开(公告)号：CN111554577A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010078882.9
申请日：2020-02-03
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/205 , C23C16/02 , C23C16/14
摘要： 本发明提供一种使低电阻的钨膜成膜的基板处理方法和成膜系统。一种基板处理方法，其具备如下工序：准备在表面形成有自然氧化膜的基板的工序；实施作为去除所述自然氧化膜的处理的前处理的工序；以及将载置所述基板的载物台的温度加热到预定的温度，向实施了所述前处理之后的所述基板供给氯化钨气体和还原气体而在所述基板直接使钨膜成膜的工序。
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