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公开(公告)号：CN118191694A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410435258.8
申请日：2024-04-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明提供一种待测超导器件物性测试装置及测试方法，待测超导器件物性测试装置包括：上位机、源表、开关切换模块和N通道低通滤波阵列；其中N为大于1的自然数；上位机电连接源表的控制端和开关切换模块的控制端；上位机控制源表输出相应的激励信号范围，并控制开关切换模块选择对应工作通道；源表与开关切换模块电连接，开关切换模块通过N通道低通滤波阵列电连接到对应的测试端口；源表输出的激励信号范围传输至待测超导器件，待测超导器件反馈的测试信号传输至源表。本发明能够达到低电流输入测试，同时也可以实现低噪声，使得测试的精度进一步提高，提高低温测试效率；同时还极大减小了测试过程中低温的液氦和液氮等冷质的浪费，降低成本。
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公开(公告)号：CN117172326A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310426590.3
申请日：2023-04-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06N10/60
Abstract: 本发明涉及一种基于测量淬火的SSH模型量子模拟信息传感方法，包括以下步骤：构建一维SSH模型链，所述一维SSH模型链的基态具有偶宇称的特性；对所述一维SSH模型链上的任意一个超导量子比特进行自旋x或者自旋y方向测量，将整个一维SSH模型链从稳定的基态塌缩到不稳定的半激发态，得到一条所述超导量子比特的自旋x或者自旋y方向的期望值随时间的变化曲线，通过查看所述超导量子比特时域演化对应的频率成分来标定所述一维SSH模型链的能谱图。本发明不仅可以最小化退相干的引入，还可以简化实验过程。
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公开(公告)号：CN119932703A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510118366.7
申请日：2025-01-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C30B23/02 , C30B29/02 , C23C14/18 , C23C14/16 , C23C14/35 , H01B12/00 , H10N60/01 , H10N60/85 , G06N10/40
Abstract: 本发明提供一种基于种子层的α相钽超导薄膜、制备方法及其应用，制备方法包括以下步骤：S1、提供衬底；S2、采用直流磁控溅射法，于所述衬底上表面生长铌金属种子层；S3、采用直流磁控溅射法，于所述铌金属种子层远离所述衬底的一面生长α相钽超导薄膜。本发明采用直流磁控溅射工艺依次在衬底上生长铌金属种子层、α相钽超导薄膜，通过引入铌金属种子层，能达到减小α相钽超导薄膜的层间晶格失配，实现室温下制备单一(110)晶相生长的α相钽超导薄膜；本发明还可使用多溅射镀膜腔室的直流磁控溅射设备，采用直流磁控溅射工艺在室温下依次进行溅射，大大降低了设备成本，工艺稳定性高，为超导量子计算的发展提供更为可靠的材料基础。
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公开(公告)号：CN113937212B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202111194146.0
申请日：2021-10-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种可抑制准粒子中毒的超导数字电路结构及其制造方法，电路结构包括衬底、超导结构和正常金属层；所述超导结构设置在所述衬底上，所述正常金属电连接所述超导结构的底电极，所述正常金属层用于抑制超导数字电路制造中产生的准粒子，所述准粒子为库伯对被拆开后的电子。本发明的超导数字电路能够有效的抑制超导数字电路中准粒子中毒。
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公开(公告)号：CN118860057A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410886093.6
申请日：2024-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05F3/08
Abstract: 本发明提供一种超导偏置电路及超导电路系统，其中，超导偏置电路包括电流传递模块及电流互感模块；电流传递模块包括n个传递单元，串联于基准电流源和参考地之间，用于接收基准电流并进行传递；电流互感模块包括n个互感单元，分别与n个传递单元一一对应并构成n个偏置组，互感单元基于互感耦合将基准电流转换为偏置电流；其中，n为大于或等于1的自然数。通过本发明提供的超导偏置电路及超导电路系统，解决了现有基于电压源及偏置电阻提供偏置电流的技术方案存在高损耗的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118137993A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410327391.1
申请日：2024-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种低温串联超导量子干涉器件阵列微波放大器及其制备方法，该微波放大器包括：输入阻抗匹配网络、超导量子干涉器件阵列、输入终端匹配电阻及输出阻抗匹配网络，其中输入阻抗匹配网络的输入端与信号输入外电路电连接；超导量子干涉器件阵列包括多个串联的直流超导量子干涉器件，直流超导量子干涉器件包括超导环路、与超导环路耦合的输入耦合线圈及磁通偏置线圈，输入端电连接输入阻抗匹配网络输出端；输入终端匹配电阻两端分别与输入耦合线圈终端及接地平面电连接；输出阻抗匹配网络输入端与超导量子干涉器件阵列输出端电连接，输出端与信号输出外电路电连接。本发明的微波放大器器件增益提升，系统复杂度降低，便于大规模集成应用。
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公开(公告)号：CN116192079A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310202777.5
申请日：2023-03-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H3/10 , H03H9/25 , H03H9/145 , H10N30/067 , H10N30/87
Abstract: 本发明提供一种高频声表面波谐振器及制备方法，采用直写光刻及干法刻蚀相结合的工艺制备所述金属电极，与传统剥离方案相比具有工艺流程稳定易控制、步骤少、重复性高和良品率高等优点，且所述金属电极低温下超导，从而可与超导集成电路工艺兼容，使得其在声表面波器件与超导量子器件集成耦合、高性能高频率声表面波谐振器及滤波器等研究或工业制造方面具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115994579A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310134815.8
申请日：2023-02-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海科技大学
IPC: G06N10/20
Abstract: 本发明提供一种两比特门电路、超导芯片、量子计算系统及控制方法，包括：脉冲信号发生模块，第一量子比特、第二量子比特以及耦合模块；脉冲信号发生模块输入端分别连接微波信号和直流信号，输出端连接第一量子比特；耦合模块分别连接第一量子比特以及第二量子比特的控制端；其中，第一量子比特为第三激发态且第二量子比特为第零激发态的系统能级与第一量子比特为第二激发态且第二量子比特为第一激发态的系统能级对准；脉冲信号频率设置为第一跃迁频率与第二跃迁频率之间。本发明通过使用特定的脉冲序列激活两比特门，与单比特门共用XY控制线，节约了室温下的微波器件和4K到mK温区的布线数量，完善了基于超导数字电路的普适门操作。
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公开(公告)号：CN113934680A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111192941.6
申请日：2021-10-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种片上两比特门系统及其实现方法，包括两比特门、DC/SFQ转换器、分路器、控制单元和模计数单元；DC/SFQ转换器将微波信号转换输出为SFQ脉冲序列；分路器将SFQ脉冲序列复制成两路SFQ子脉冲序列；控制单元包括两个逻辑与门，逻辑与门根据偏置电流控制SFQ子脉冲序列的输出；模计数单元包括两个模N计数器，每个模N计数器接收SFQ子脉冲序列并对SFQ子脉冲序列进行周期变换输出SFQ输出脉冲序列；两比特门的第一量子比特和第二量子比特分别基于SFQ输出脉冲序列被调控，再通过调节耦合量子比特的频率进行两比特耦合强度调控，从而实现可集成于片上的两比特门操作。本发明能够降低微波线路的硬件消耗。
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公开(公告)号：CN113839644A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111172715.1
申请日：2021-10-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于压电薄膜的声表面波与超导量子比特耦合器件，包括：制备于AlN压电薄膜上的透射型声表面波谐振腔，及制备于蓝宝石衬底上的超导Transmon量子比特、微波读出谐振腔、磁通偏置线及微波馈线电路，通过将透射型声表面波谐振腔与超导Transmon量子比特分别制备在AlN压电薄膜及蓝宝石衬底上，采用低损耗的蓝宝石衬底消除了压电材料对超导Transmon量子比特的弛豫，并通过第一耦合电容将透射型声表面波谐振腔与超导Transmon量子比特连接，实现两者之间的强耦合和高相干的效果，突破了体压电材料的高损耗限制，从而达到在实现声子与超导量子比特的强耦合的同时提高超导Transmon量子比特退相干时间，为最终实现微波与光量子转换的超导量子网络连接提供了可行性。
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