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公开(公告)号：CN108269912B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201810019438.2
申请日：2018-01-09
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L41/187 , H01L41/316 , H01L41/319
摘要： 本发明涉及钛铌镁酸铅铁电薄膜氮化镓基外延集成及其制备方法，所述钛铌镁酸铅铁电薄膜是由通过脉冲激光沉积技术依次形成在氮化镓半导体衬底上的TiO2缓冲层、钴酸锶镧缓冲层以及钛铌镁酸铅铁电薄膜构成；所述氮化镓半导体衬底的取向包括（0002）面，所述钛铌镁酸铅铁电薄膜的外延取向为（111）面，所述钴酸锶镧缓冲层的外延取向为（111）面，所述TiO2缓冲层为金红石相、外延取向为（100）面。
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公开(公告)号：CN109449198A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811267168.3
申请日：2018-10-29
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L29/201 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及一种钙钛矿型功能薄膜GaN基异质外延结构及其制备方法，所述钙钛矿型功能薄膜GaN基异质外延结构包括GaN半导体衬底、以及依次生长在GaN半导体衬底表面的TiN界面外延层、SrTiO3缓冲模板层、和钙钛矿型功能薄膜；所述GaN半导体衬底的取向为（0002）面，所述TiN界面外延层的外延取向为（111）面，所述SrTiO3缓冲模板层的外延取向为（111）面，所述钙钛矿型功能薄膜的外延取向为（111）面。
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公开(公告)号：CN108269912A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810019438.2
申请日：2018-01-09
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L41/187 , H01L41/316 , H01L41/319
摘要： 本发明涉及钛铌镁酸铅铁电薄膜氮化镓基外延集成及其制备方法，所述钛铌镁酸铅铁电薄膜是由通过脉冲激光沉积技术依次形成在氮化镓半导体衬底上的TiO2缓冲层、钴酸锶镧缓冲层以及钛铌镁酸铅铁电薄膜构成；所述氮化镓半导体衬底的取向包括（0002）面，所述钛铌镁酸铅铁电薄膜的外延取向为（111）面，所述钴酸锶镧缓冲层的外延取向为（111）面，所述TiO2缓冲层为金红石相、外延取向为（100）面。
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公开(公告)号：CN107555809A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201610511875.7
申请日：2016-07-01
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C03C17/34
摘要： 本发明涉及一种电致变色纳米复合薄膜及其制备方法，包括形成在透明导电衬底上的氧化钛支撑体和形成在所述氧化钛支撑体上的普鲁士蓝，所述氧化钛支撑体包括氧化钛籽晶层和形成在所述氧化钛籽晶层上的氧化钛纳米棒阵列。与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：本发明包含的制备方法工艺稳定可靠，操作简单，成本低廉，易于实现，便于推广应用。
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公开(公告)号：CN107445199A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710452367.0
申请日：2017-06-15
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C01G23/047 , C01G23/053 , B82Y40/00 , H01G9/20 , H01G11/46
摘要： 本发明提供多级结构二氧化钛纳米线阵列及其制备方法，多级结构二氧化钛纳米线阵列是由二氧化钛纳米线形成的阵列，所述二氧化钛纳米线为多级结构，包括二氧化钛单晶纳米线和包覆于所述二氧化钛单晶纳米线表面的二氧化钛纳米颗粒。在二氧化钛单晶纳米线的表面包覆二氧化钛纳米颗粒，由此形成的阵列具有高比表面积和填充密度，由此可以提高阵列的电致变色性能、电容性能和光电性能等。
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公开(公告)号：CN114437721A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202011222077.5
申请日：2020-11-05
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C09K11/67
摘要： 本发明涉及一种稀土离子Tb3+掺杂的LiTaO3多波段发射压力发光材料及其制备方法和应用，所述稀土离子Tb3+掺杂的LiTaO3多波段发射压力发光材料的化学通式为Li1‑xTaO3:xTb3+，其中0.005≤x≤0.03。
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公开(公告)号：CN113640257A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010343788.1
申请日：2020-04-27
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明提供一种阵列样品光谱测试系统，包括：供载置阵列样品的样品台；设置于所述样品台上方以对样品进行光学激发的光源单元，所述光源单元具备并列或阵列排布的多个光源，所述多个光源之间的间距与所述阵列样品之间的间距相匹配；设置于所述样品台上方的多个探测器单元，多个探测器单元之间的间距与所述阵列样品之间的间距相匹配，所述探测器单元对准对应的样品时测试得到样品的光谱数据；以及与所述多个探测器单元连接的主控电脑，所述主控电脑记录并显示所述光谱数据。由本发明可以数倍增加光谱测试的效率，此外，多通道同时测试的数据可同时直观的通过软件显示对比，更增加了测试筛选的直观性和效率。
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公开(公告)号：CN112625678A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201910905713.5
申请日：2019-09-24
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明提供一种复合掺杂锡酸锶的光信息存储材料及其制备方法和应用。所述光信息存储材料的化学通式为Sr2‑x‑ySn1‑zMzO4:xNd3+,yR，R选自Na+、K+、V3+、Dy3+、Ho3+、Er3+和Eu3+中至少一种；M选自Ge4+、Ti4+与Zr4+中至少一种；其中，0.01≤x≤0.1，0.005≤y≤0.05，z为0或0.1。本发明制备的材料较稳定，具有光信息存储特性，光致发光峰位与光激励发光峰位接近一致。所述材料在防伪及光盘信息存储等领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN109352182B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201811348693.8
申请日：2018-11-13
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： G01N1/44
摘要： 本发明所提供的阵列样品激光加热系统包括：输出激光以提供加热能量的激光光源单元，其具备并列或阵列排布的多个激光器；设于所述激光光源单元下游以改变激光光斑尺寸的激光束斑调节单元；用于放置阵列样品的样品台；用于对待加热阵列样品的激光加热温度测温并反馈加热效果的温度测量单元；用于记录实验结果的图像记录单元；与所述激光光源单元、温度测量单元、和图像记录单元等相连接的总控单元。本发明能够实现多光束并行、束斑可调的激光加热，用于对材料基因工程所需的材料阵列样品的快速定向加热。
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公开(公告)号：CN109374395A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811348692.3
申请日：2018-11-13
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 常州蓝泰光电科技有限公司
IPC分类号： G01N1/44
摘要： 本发明所提供的用于阵列样品激光加热系统的样品密封舱包括：容纳所述阵列样品的密封舱主体；以及用于排除加热过程中在所述密封舱主体内生成的气相物质的除气机构；所述密封舱主体的顶部设有视窗。本发明可保持阵列样品不受污染并释放加热过程中生成的气相物质。
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