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公开(公告)号：CN111025856A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911356545.5
申请日：2019-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及确定光刻工艺节点禁止周期的方法及仿真方法，属于半导体光刻技术领域，解决了方法存在所找出的禁止周期不准确，无法有效指导版图设计规则的制定，并且在光刻阶段无法判断个别图形光刻质量差的原因的问题。确定光刻工艺节点禁止周期的方法，包括如下步骤：获取测试图形；设置第一光源及仿真参数，利用软件进行仿真；分析仿真结果，做出第一曲线，找出第一曲线中明显低于其他值的周期范围(第一周期范围)；设置第二光源及光源参数，作出第二曲线；找出第二曲线中明显低于其他值的周期范围(第二周期范围)，结合第二周期范围与第一周期范围，来共同确定禁止周期范围。本发明实现了简单、高效、准确地确定该技术节点下的禁止周期。
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公开(公告)号：CN110752180A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911021285.6
申请日：2019-10-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明实施例提供一种基板及其制备方法，涉及半导体领域，可使阻挡层中各个阻挡部的高度一致，从而有利于后续形成栅极。一种基板的制备方法，包括：在衬底上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层背离所述衬底的表面具有间隔设置的多个凹槽；在所述第一绝缘层背离所述衬底一侧依次形成阻挡薄膜、氧化物绝缘薄膜、以及辅助平坦薄膜；所述辅助平坦薄膜的厚度大于所述凹槽的深度；对所述辅助平坦薄膜进行刻蚀，形成辅助平坦层；所述辅助平坦层包括多个平坦块，所述平坦块位于所述凹槽中；利用所述辅助平坦层作为硬掩模，对所述氧化物绝缘薄膜进行刻蚀，形成第二绝缘层；利用所述第二绝缘层作为硬掩模，对所述阻挡薄膜进行刻蚀，形成阻挡层。
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公开(公告)号：CN119960260A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311483422.4
申请日：2023-11-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请提供一种电磁场分布计算方法及装置，包括：获取等离子体光刻成像包括多个目标膜层的目标成像结构。根据入射电磁场分布以及多个目标膜层之间的边界条件计算得到出射面的出射电磁场分布，出射面为沿着光线传播的方向的最后两个目标膜层之间的交界面。而后进一步根据出射电磁场分布以及边界条件按照光线传播的反方向依次计算得到每个目标膜层内任意一个位置的目标电磁场分布，即根据出射电磁场分布分别计算得到目标成像结构内部任意位置处的电磁场分布。这样通过出射电磁场分布计算得到叠层结构的任意位置处的电磁场分布，能够建立高精度的等离子体光刻成像的成像模型，从而提高等离子体光刻成像的成像效果。
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公开(公告)号：CN117687264A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311797320.X
申请日：2023-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于表面等离子体多层膜结构的掩模吸收材料的优化方法，包括以下步骤：S1)构建多组具有不同掩模吸收层参数的多层膜超透镜结构；S2)通过软件建模仿真光在多层膜超透镜结构中的光学行为，获得在基底层上涂覆的光刻胶的中间位置所成空间像的图像对比度；S3)根据图像对比度，确定多层膜超透镜结构的掩模吸收层参数。与现有技术相比，本发明基于多层膜结构，从掩模吸收层的三维参数方面进行优化，结果显示对该多层膜结构的分辨力提高和成像对比度提高起到了显著的作用。
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公开(公告)号：CN116184658A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211665517.3
申请日：2022-12-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种增大表面等离子体超透镜成像对比度的方法及超透镜。本发明对掩模吸收层的材料进行仿真优化，结果显示光刻胶中像的对比度随掩模吸收层材料的改变有明显变化，说明优化掩模吸收层材料可以明显提高该结构下的空间像对比度。可见，本发明为调整光刻精准度提供了另一种技术手段，该技术手段还可以与现有手段相结合，进一步扩大对比度调整的范围，甚至改变分辨力等其他光刻性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115933307A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211489498.3
申请日：2022-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供一种掩模吸收层厚度优化方法、装置、电子设备及存储介质。方法包括：利用仿真软件构建多层膜超透镜结构的仿真模型；获取第一掩模参数，第一掩模参数包括掩模侧壁角和初始掩模吸收层厚度；根据第一掩模参数，生成多组第二掩模参数；所述多组第二掩模参数包括相同的掩模侧壁角和不同的掩模吸收层厚度；基于所述仿真模型进行仿真计算，得到每组第二掩模参数对应的成像对比度；根据成像对比度，从所述多组第二掩模参数中选取所述掩模侧壁角对应的最优掩模吸收层厚度，从而根据成像对比度找到同一掩模侧壁角对应的最优掩模吸收层厚度。从而，通过对多层膜超透镜中的掩模吸收层厚度进行优化，提高了多层膜超透镜的成像对比度和分辨力。
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公开(公告)号：CN110989289B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201911356420.2
申请日：2019-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种提高版图光刻性能的方法、修正后的版图及仿真方法，属于半导体光刻技术领域，解决了现有技术中无法有效抑制禁止周期效应和密集周期线条相互制约，传统OPC(光学临近效应修正)难以平衡解决，导致整个版图的工艺窗口变小，光刻质量显著变差的问题。提高光刻性能的方法包括如下步骤：通过仿真得出对光刻性能影响显著的图形类别中最具代表性的图形；增加禁止周期侧边单独线条的宽度；固定密集周期线条中间线条的位置，并保持所述中间线条的尺寸不变；将密集周期线条侧边线条的外侧边缘edge3向外展宽一定距离Δedge3，得到调整修正后的图形。本发明实现了低成本、低风险提升版图的光刻性能。
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公开(公告)号：CN116068859A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111288483.6
申请日：2021-11-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种表面等离子体光刻图形的修正方法，包括：在测试掩模上形成多个测试图形，每个测试图形至少由第一测试参数和与第一测试参数相关的第二测试参数表征；利用含有测试图形的测试掩模对光刻胶层进行曝光，形成多个光刻胶图形，每个光刻胶图形至少由第一曝光参数和与第一曝光参数相关的第二曝光参数表征；基于测试图形的第一测试参数和第二测试参数和光刻胶图形的第一曝光参数和第二曝光参数的对应关系建立第一数据表；根据第一曝光参数对第一数据表进行处理得到第二数据表；基于第二数据表对多个设计图形的第二测试参数进行修正，得到修正后设计图形，利用修正后设计图形制作用于曝光的掩模。
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公开(公告)号：CN114137792A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111274722.2
申请日：2021-10-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种掩模参数优化方法，方法包括：获取测试图形、光源参数、初始掩模参数，初始掩模参数包括掩模厚度和初始掩模侧壁角；根据初始掩模参数中的初始掩模侧壁角生成多组候选掩模参数；多组候选掩模参数包括的不同的掩模侧壁角和相同的掩模厚度；基于测试图形和光源参数得到每组候选掩模参数的成像对比度；根据成像对比度从多组候选掩模参数中选取最优掩模侧壁角。通过生成多组包括不同掩模侧壁角和相同掩模厚度的掩模参数，并对这些组掩模参数分别进行模拟，以得到每组掩模参数的成像对比度，从而根据成像对比度找到最优掩模侧壁角。从而，通过对多层膜透镜结构的掩模参数进行优化，也可以显著改善成像对比度，并提升成像分辨力。
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公开(公告)号：CN113990743A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111228709.3
申请日：2021-10-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/768 , G03F7/09 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F9/00
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体器件的制造方法，在待引出结构上形成光刻涂层，光刻涂层包括第一膜层、光刻膜层和第二膜层，第一膜层和第二膜层的折射率都小于1，以便光刻涂层形成一个反射系数较高的光学结构，利用目标波长的光和掩模对光刻涂层进行曝光，待引出结构被光刻涂层进行反射，将待引出结构作为掩模成像至光刻膜层，同时将掩模的图形也成像至光刻膜层，即待引出结构和掩模的图形都成像至光刻膜层的目标区域，目标区域对应待引出结构，实现了待引出结构的图层与接触孔所在图层的自对准，只有在一次曝光过程中待引出结构和掩模的图形同时在光刻膜层成像的重叠区域才会对应待引出结构，能够提高不同的图层之间的对准精度，降低对准误差。
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