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公开(公告)号：CN119916648A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202311432856.1
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请提供一种全局散射矩阵计算方法及装置，包括：获取等离子体光刻成像包括多个目标膜层的目标成像结构。确定多个目标膜层和初始成像结构的多个初始膜层之间相同的第二目标膜层。初始膜层的初始散射矩阵存储在数据库中，可以根据初始散射矩阵直接确定第二目标膜层的第二散射矩阵。单独计算目标成像结构中和初始膜层不同的第一目标膜层的第一散射矩阵，根据第一散射矩阵和第二散射矩阵计算得到全局散射矩阵。通过直接利用初始散射矩阵就能够直接得到第二目标膜层的第二散射矩阵，无需单独计算第二目标膜层的散射矩阵，提高了全局散射矩阵的计算效率，仅需要利用较少的计算资源计算第一目标膜层进而得到全局散射矩阵，降低计算时间。
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公开(公告)号：CN112817212B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202110034008.X
申请日：2021-01-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明能够提供用于优化光刻工艺窗口的方法及装置、计算机存储介质。用于优化光刻工艺窗口的方法包括：获取理想光刻条件下的理想光源信息和理想掩模信息，依据理想光源信息和理想掩模信息生成理想光刻条件下的工艺窗口信息；基于工艺窗口信息得到用于优化当前光刻工艺窗口的像差系数组合；其中，在当前光刻过程中使用与理想光源信息对应的光源以及与理想掩模信息对应的掩模。本发明能够快速地确定像差系数组合，以利用该像差系数组合提高光刻成像质量，进而提高半导体器件制造的良率。本发明能够有效解决非理想光刻机系统或非理想工艺条件下的光刻工艺匹配问题，可达到与理想光刻机、理想光刻工艺相当的工艺窗口。
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公开(公告)号：CN110752180B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201911021285.6
申请日：2019-10-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明实施例提供一种基板及其制备方法，涉及半导体领域，可使阻挡层中各个阻挡部的高度一致，从而有利于后续形成栅极。一种基板的制备方法，包括：在衬底上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层背离所述衬底的表面具有间隔设置的多个凹槽；在所述第一绝缘层背离所述衬底一侧依次形成阻挡薄膜、氧化物绝缘薄膜、以及辅助平坦薄膜；所述辅助平坦薄膜的厚度大于所述凹槽的深度；对所述辅助平坦薄膜进行刻蚀，形成辅助平坦层；所述辅助平坦层包括多个平坦块，所述平坦块位于所述凹槽中；利用所述辅助平坦层作为硬掩模，对所述氧化物绝缘薄膜进行刻蚀，形成第二绝缘层；利用所述第二绝缘层作为硬掩模，对所述阻挡薄膜进行刻蚀，形成阻挡层。
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公开(公告)号：CN110989289A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911356420.2
申请日：2019-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种提高版图光刻性能的方法、修正后的版图及仿真方法，属于半导体光刻技术领域，解决了现有技术中无法有效抑制禁止周期效应和密集周期线条相互制约，传统OPC(光学临近效应修正)难以平衡解决，导致整个版图的工艺窗口变小，光刻质量显著变差的问题。提高光刻性能的方法包括如下步骤：通过仿真得出对光刻性能影响显著的图形类别中最具代表性的图形；增加禁止周期侧边单独线条的宽度；固定密集周期线条中间线条的位置，并保持所述中间线条的尺寸不变；将密集周期线条侧边线条的外侧边缘edge3向外展宽一定距离Δedge3，得到调整修正后的图形。本发明实现了低成本、低风险提升版图的光刻性能。
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公开(公告)号：CN108919601A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810967757.6
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种掩模参数的优化方法及装置中，通过获取测试图形、初始光源参数和初始掩模三维参数，其中初始掩模三维参数包括初始掩模厚度和初始掩模侧壁角，根据初始掩模三维参数，可以获取多组可行掩模三维参数，其中可行掩模三维参数包括可行掩模厚度和可行掩模侧壁角，基于测试图形和初始光源参数，得到每组可行掩模三维参数对应的可行光刻工艺窗口，将可行光刻工艺窗口作为衡量参考，其中，可行光刻工艺窗口最大值对应的可行掩模三维参数即可认为是本次优化的最优掩模三维参数。本申请实施例中，对初始掩模三维参数以及初始光源参数进行了优化，可以获得更高的光刻分辨率，因此得到更大的光刻工艺窗口和更好的曝光分辨率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119165734A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202310726527.1
申请日：2023-06-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20 , G06F30/27 , G06F111/14
Abstract: 本申请实施例提供一种等离子体光刻成像的训练方法及装置，包括：获取等离子体光刻成像的训练成像结构，训练成像结构包括呈二维周期性变化的多个训练掩模图形，根据训练成像结构构建仿真模型，根据仿真模型模拟得到训练掩模图形对应的训练等离子体光刻成像。之后根据训练掩模图形和训练等离子体光刻成像对快速成像模型进行训练，得到针对二维周期性变化的训练掩模图形的快速成像模型。由此可见，通过建立针对二维周期性变化的掩模图形的快速成像模型，利用快速成像模型可以直接得到每个掩模图形的训练等离子体光刻成像，实现利用快速成像模型快速成像，满足后续对于等离子体光刻技术的研究需求。
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公开(公告)号：CN112327575B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202011181868.8
申请日：2020-10-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及光刻工艺技术领域，具体涉及一种光刻仿真中斜线图形的光源掩模优化方法、工艺窗口形成方法以及光刻方法，包括以下步骤：将待优化的斜线图形朝第一旋转方向旋转，直至每根线条处于X方向或者Y方向，得到第一图形，进行光源优化处理，得到第一优化光源；对所述斜线图形进行均匀规则的曼哈顿台阶化处理，以将每根线条的两侧直线式边缘处理成均匀规则的曼哈顿台阶，得到第二图形；将第一优化光源朝第二旋转方向旋转，得到第二优化光源；将所述第二图形作为初始掩模图形，使用第二优化光源对其进行掩模优化处理。本申请的优化方法可以得到更好的工艺窗口和更好的曝光结果，从而降低了斜线评估方法带来的困扰。
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公开(公告)号：CN111025856B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201911356545.5
申请日：2019-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及确定光刻工艺节点禁止周期的方法及仿真方法，属于半导体光刻技术领域，解决了方法存在所找出的禁止周期不准确，无法有效指导版图设计规则的制定，并且在光刻阶段无法判断个别图形光刻质量差的原因的问题。确定光刻工艺节点禁止周期的方法，包括如下步骤：获取测试图形；设置第一光源及仿真参数，利用软件进行仿真；分析仿真结果，做出第一曲线，找出第一曲线中明显低于其他值的周期范围(第一周期范围)；设置第二光源及光源参数，作出第二曲线；找出第二曲线中明显低于其他值的周期范围(第二周期范围)，结合第二周期范围与第一周期范围，来共同确定禁止周期范围。本发明实现了简单、高效、准确地确定该技术节点下的禁止周期。
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公开(公告)号：CN112817212A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110034008.X
申请日：2021-01-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明能够提供用于优化光刻工艺窗口的方法及装置、计算机存储介质。用于优化光刻工艺窗口的方法包括：获取理想光刻条件下的理想光源信息和理想掩模信息，依据理想光源信息和理想掩模信息生成理想光刻条件下的工艺窗口信息；基于工艺窗口信息得到用于优化当前光刻工艺窗口的像差系数组合；其中，在当前光刻过程中使用与理想光源信息对应的光源以及与理想掩模信息对应的掩模。本发明能够快速地确定像差系数组合，以利用该像差系数组合提高光刻成像质量，进而提高半导体器件制造的良率。本发明能够有效解决非理想光刻机系统或非理想工艺条件下的光刻工艺匹配问题，可达到与理想光刻机、理想光刻工艺相当的工艺窗口。
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公开(公告)号：CN112327575A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011181868.8
申请日：2020-10-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及光刻工艺技术领域，具体涉及一种光刻仿真中斜线图形的光源掩模优化方法、工艺窗口形成方法以及光刻方法，包括以下步骤：将待优化的斜线图形朝第一旋转方向旋转，直至每根线条处于X方向或者Y方向，得到第一图形，进行光源优化处理，得到第一优化光源；对所述斜线图形进行均匀规则的曼哈顿台阶化处理，以将每根线条的两侧直线式边缘处理成均匀规则的曼哈顿台阶，得到第二图形；将第一优化光源朝第二旋转方向旋转，得到第二优化光源；将所述第二图形作为初始掩模图形，使用第二优化光源对其进行掩模优化处理。本申请的优化方法可以得到更好的工艺窗口和更好的曝光结果，从而降低了斜线评估方法带来的困扰。
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