公开(公告)号：CN101024511A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200610059026.9

申请日：2006-02-24

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 邹建平 ,  郭国聪 ,  陈文通

IPC: C01G13/00 ,  C01G11/00 ,  C01B19/00

Abstract: 一种制备碲镉汞红外材料的新方法，涉及固相合成法制备碲镉汞红外材料。采用氰化汞、高纯碲粉和镉粉为原料，真空加热升温至500－550℃，恒温以使反应充分，再以2～4℃/h的速率降温至250℃，恒温，再以2～5℃/h的速率降温至100℃。本方法采用氰化汞作为起始物，突破了以往工艺采用汞单质或有机汞作为起始物的局限性，这将有利于运输和储存，减少对设备的污染。

公开(公告)号：CN1858002A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200510067199.0

申请日：2005-05-01

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 邹建平 ,  郭国聪 ,  陈文通 ,  蔡丽珍 ,  赵振乾

IPC: C01G19/00 ,  C30B29/48 ,  C30B25/02

Abstract: 汞铟碲锑化合物及其单晶材料、薄膜材料，涉及新型红外材料。该化合物由HgTe与InSb采用真空中高温固相合成法得到。其晶体结构为闪锌矿结构。其单晶材料生长生长温度为550～650℃，控制坩埚下降速度为10～50mm/h。其薄膜材料采用分子束外延方法生长。汞铟碲锑化合物及其单晶材料、薄膜材料是一种带隙在较宽范围内可调整，结构稳定，组分均匀，制备工艺相对简单，性能可与MCT材料相媲美的新型红外材料。

公开(公告)号：CN1705139A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200410044325.6

申请日：2004-05-25

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 陈文通 ,  郭国聪 ,  李强 ,  王明盛 ,  徐玲 ,  蔡丽珍

IPC: H01L31/0296 ,  C30B29/10

Abstract: 一系列半导体材料，涉及新型半导体材料系列CdHg5Q5X4(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)及其制备方法。CdHg5Q5X4(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)空间群为Cmm2(No35)，单胞参数为a＝16.7～17.9，b＝8.8～10.0，c＝9.1～10.2，α＝β＝γ＝90°，Z＝4，单胞体积V＝1500～20003。该晶体用于直流输电、太阳能电池以及光电开关等领域。

公开(公告)号：CN101210177B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200610135387.7

申请日：2006-12-27

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 王明盛 ,  郭国聪 ,  陈文通 ,  徐刚 ,  吴科俊 ,  周薇薇

IPC: C09K11/63 ,  G09F9/30

CPC classification number: Y02B20/181

Abstract: 系列单发射源白光荧光粉及其制备方法，涉及系列白光荧光粉及其制备。本发明制备的化合物为AnBxOy(n＝1-10，x＝3-20，y＝3-31，A为质子化的脂肪胺)。该系列化合物以B和O为框架构造元素，以脂肪胺为模板剂。所述的质子化的脂肪胺为含碳1～10个的脂肪胺。该系列材料采用溶剂热法合成，应用于发光和显示技术。

公开(公告)号：CN1857993A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200510067200.X

申请日：2005-05-01

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 邹建平 ,  郭国聪 ,  陈文通 ,  蔡丽珍 ,  赵振乾

IPC: C01B19/00 ,  C30B29/48 ,  C30B15/00 ,  C30B25/02

Abstract: 碲化汞、碲化镉和锑化铟共晶结构化合物及其单晶材料和薄膜材料，涉及一类新型红外材料。其化合物以HgTe、CdTe和InSb为原料，采用真空中高温固相合成法。其单晶生长温度为700～850℃，控制坩埚下降速度为5～30mm/h。其薄膜材料采用分子束外延方法制备。本类材料是一种带隙在较宽范围内可调整，结构相对稳定，组分均匀，且制备工艺相对简单，低汞含量而响应波长在中长波段的且性能可与MCT红外半导体材料相媲美的新型红外材料。