公开(公告)号：CN118795034A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202411284619.X

申请日：2024-09-13

Applicant: 之江实验室

Inventor： 徐英明 ,  施钧辉 ,  郑志超 ,  阮永都 ,  王钰琪 ,  陈睿黾 ,  李驰野 ,  洪悦 ,  王海涛 ,  戚定定

IPC: G01N29/24 ,  G01N21/17

Abstract: 本发明提供了一种基于双探测器相位成像的声场探测系统、方法、电子设备、介质，包括：平行光场发射模块，用于产生脉冲平行光场以照明声场介质，脉冲平行光场经声场介质进行波前调制，经成像模块放大成像，经分束器将脉冲平行光场分束为透射波前和反射波前，通过第一光场探测器记录透射波前对应的第一光场强度分布，通过第二光场探测器记录反射波前对应的第二光场强度分布；超声换能器模块，用于产生待测高频声场；控制及计算模块，用于控制平行光场发射模块和第一光场探测器、第二光场探测器的同步，存储第一光场强度分布以及第二光场强度分布以计算待测的高频声场的复振幅分布。

公开(公告)号：CN117877975A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410274495.0

申请日：2024-03-11

Applicant: 之江实验室

Inventor： 夏志强 ,  马欣艳 ,  刘玲玲 ,  洪悦 ,  王海涛 ,  李湘 ,  余辉

IPC: H01L21/311

Abstract: 本申请提供一种利用ICP刻蚀二氧化硅的方法。该方法包括：向抽真空后的反应腔内通入第一刻蚀气体、第二刻蚀气体和掺杂气体，控制刻蚀压力达到1~20mTorr后，开启并控制ICP功率为500~2500w，偏压功率为30~500w，对二氧化硅进行刻蚀，所述第一刻蚀气体为含氟化合物，所述含氟化合物中氟的分子量大于3，所述第二刻蚀气体为含有氟和碳的化合物，氟与碳的分子量之比小于3，所述第一刻蚀气体、第二刻蚀气体和掺杂气体三者的体积流量之比为1：（2~4）：（5~10）。该方案可以刻蚀出陡直且光滑的二氧化硅侧壁形貌。

公开(公告)号：CN117410300A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311350658.0

申请日：2023-10-18

Applicant: 之江实验室

Inventor： 张晓航 ,  张明珠 ,  杨丽慧 ,  余诗玲 ,  宋艳汝 ,  朱洪力 ,  洪悦 ,  王海涛 ,  穆堂杰 ,  邹黎明 ,  翟仁爽 ,  王轶文 ,  赵志峰 ,  冯毅 ,  段然 ,  李菂

IPC: H01L27/146 ,  G01J1/42

Abstract: 本发明公开了一种基于超透镜的超导动态电感探测器，包括硅衬底；超导动态电感像素单元阵列，所述超导动态电感像素单元阵列沉积在所述硅衬底表面；和超透镜阵列，所述超透镜阵列通过以超导动态电感像素单元阵列为基准采用背面光刻对准工艺刻蚀所述硅衬底背面得到，所述超透镜阵列用于将垂直入射光聚焦到所述超导动态电感像素单元阵列上，通过所述超导动态电感像素单元阵列将聚焦的入射光转化为电信号从而完成对入射光的探测。该超导动态电感探测器能够将入射光准确的聚焦到超导动态电感像素单元阵列上从而能够准确的探测入射光。本发明还公开了该基于超透镜的超导动态电感探测器的制备方法。