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公开(公告)号:CN107500297A
公开(公告)日:2017-12-22
申请号:CN201710858756.3
申请日:2017-09-21
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明涉及晶体硅制备技术领域,旨在解决现有技术中颗粒硅籽晶制备的装置在制备颗粒硅籽晶的过程中极易产生硅粉尘,导致物料损失的问题,提供一种颗粒硅籽晶制备系统及方法。本发明提供的颗粒硅籽晶制备系统,多晶硅棒经破碎装置破碎后,得到多晶硅块料,多晶硅块料经熔融装置加热至熔融状态,得到熔融多晶硅;将熔融多晶硅经分散装置分散为多晶硅液滴;多晶硅液滴在空中进行冷却凝固。液滴在表面张力作用下形成高球形度的球形液滴,球形液滴变为球形多晶硅固体颗粒。在本发明中采用激光器对多晶硅棒或多晶硅块进行破损,在破碎过程中没有引入其它物质,实现无接触式激光破碎,提高多晶硅棒或多晶硅块的纯度,且可得到高球度的多晶硅颗粒。
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公开(公告)号:CN107055552A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201710498237.0
申请日:2017-06-27
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: C01B33/107 , C01B33/03
Abstract: 本发明涉及多晶硅生产中尾气的提纯技术领域,公开了一种四氯化硅的净化方法及应用,四氯化硅的净化方法主要用于净化多晶硅生产中得到的四氯化硅,包括离子化步骤:将含有Cl2、含碳杂质的四氯化硅通入等离子体发生器使Cl2活化得到氯自由基,氯自由基与含碳杂质反应得到含氯化合物。该方法还包括分离步骤:将含氯化合物与四氯化硅分离。该方法能够应用于多晶硅的生产中。本发明的四氯化硅的净化方法能够较好的去除四氯化硅中的含碳杂质。
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公开(公告)号:CN106882809A
公开(公告)日:2017-06-23
申请号:CN201710185869.1
申请日:2017-03-24
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/107
Abstract: 本发明提供一种三氯氢硅的制备方法,属于有机硅和多晶硅的生产技术领域。一种三氯氢硅的制备方法,分别将氢气和聚氯硅烷通入具有催化剂的反应器中反应得到三氯氢硅。将催化剂置于反应器中之前于体积比为0.15~0.25:1的O2和N2气氛中活化4~6h。此方法清洁环保、条件温和、环境安全、能耗较低、工艺简便,易于实现,可实现产业化推广运用。
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公开(公告)号:CN106495165A
公开(公告)日:2017-03-15
申请号:CN201611035782.8
申请日:2016-11-23
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/107
Abstract: 本发明公开了一种以四氯化硅制备三氯氢硅的装置和方法,装置包括密封法兰、可变垫环、高压阻挡圈、电介质、外电极及内电极,内电极位于轴线位置处,内电极两端分别与两密封法兰连接;电介质的两端分别连接两密封法兰并将内电极套在内部,高压阻挡圈套装在电介质上,且与密封法兰紧密贴住,外电极紧密包裹在电介质外表面;一密封法兰具有进气导口,另一密封法兰具有出气导口。本发明结构灵活,能够轻易调整其几何参数,气密性良好,消除了气体泄露产生的危害;能够有效降低击穿电压和使等离子体维持在非平衡状态,能够容易的产生低温等离子体,有效地提高放电间隙内的电子密度;操作范围广,能够在较广的气压、电压、频率及功率下工作。
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公开(公告)号:CN106495163A
公开(公告)日:2017-03-15
申请号:CN201611004218.X
申请日:2016-11-15
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明公开了一种可消除多晶硅碳头料的装置,包括电极、石墨底座、卡瓣组及石墨帽,卡瓣组由石墨部分和多晶硅部分对接而成,石墨部分构成卡瓣组的主体结构并置于石墨底座上,多晶硅部分构成卡瓣组的上部结构,且多晶硅部分对接于石墨部分的顶部上面;在石墨帽的上表面覆盖有一层多晶硅保护壳。本发明具有以下优点:在还原炉内硅沉积到硅芯上的同时也沉积到卡瓣组多晶硅部分上,镶嵌在硅棒中的多晶硅部分无需处理,可直接利用,避免了由于石墨卡瓣造成的碳头料;多晶硅壳避免了硅棒与石墨帽接触,消除了碳污染和造成破损的可能性;石墨部分可循环利用,节约生产成本;提升了产品质量、提高了硅料利用率、节省了人力资源和经济成本。
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公开(公告)号:CN106391258A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201611009573.6
申请日:2016-11-16
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
Abstract: 发明提供一种多晶硅棒破碎方法及多晶硅棒破碎装置,属于多晶硅技术领域。破碎方法包括将多晶硅棒置于破碎装置中,并将破碎装置的破碎触头与多晶硅棒的表面接触。调整破碎触头的振动频率与多晶硅棒的固有频率一致,在多晶硅棒破碎之前,保持破碎触头始终与多晶硅棒接触。破碎装置中破碎触头连接有驱动装置,驱动装置用于驱动破碎触头沿设定的方向运动以使工作面始终与多晶硅棒接触。调频振动模块与破碎触头连接并用于调节破碎触头的振动频率,检测模块与调频振动模块电连接。通过此破碎装置实施的破碎方法,使多晶硅块大小可控,有效减少碎料和微粉的产生,满足大批量生产的多晶硅的破碎,节省人力,节省时间,提高破碎效率。
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公开(公告)号:CN105158322A
公开(公告)日:2015-12-16
申请号:CN201510310832.8
申请日:2015-06-09
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于多晶硅中痕量杂质分析的前处理装置,包括置于加热板上且设有密封外罩的样品瓶。密封外罩的顶部设有混合气体出口,其下部设有水平布置的环形氮气吹扫管线;环形氮气吹扫管线上设有氮气接口Ⅱ,该氮气接口Ⅱ连有带氮气加热器开关的氮气加热装置;氮气加热装置连有干燥器的出气口Ⅰ,该干燥器的进气口Ⅰ连有金属离子过滤器的出气口Ⅱ;金属离子过滤器的进气口Ⅱ经尘埃过滤器连有氮气管路;混合气体出口连有气体缓冲器的进气口Ⅲ,该气体缓冲器的出气口Ⅲ连有吸收塔;吸收塔的顶部设有连自来水进口的喷淋头,其下部一侧设有废液出口。本发明操作方便、重现性好,实现了多晶硅中痕量元素的快速、准确分析。
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公开(公告)号:CN109052410B
公开(公告)日:2020-01-10
申请号:CN201810983500.X
申请日:2018-08-27
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: C01B33/107
Abstract: 本发明涉及多晶硅制备技术领域,公开了一种三氯氢硅生产方法及其应用。在三氯氢硅生产方法中,采用两级气固分离。第一气固分离步骤能够将细硅粉排出至四氯化硅低温氢化炉外,第二气固分离步骤将排出氢化炉外的细硅粉作为三氯氢硅合成步骤的原料,解决了传统工艺中细硅粉被浪费的问题,可以实现硅粉的高度利用。这样,即可以保持低温氢化反应中四氯化硅的高转化率,也可以保证硅粉的利用率,同时还可以降低尾气中的硅粉含量,进而可以减缓最终尾气分离回收时的处理压力,能够避免管道结垢和堵塞问题。本发明实施例中的三氯氢硅生产方法能够应用于多晶硅的生产中。
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公开(公告)号:CN108439413B
公开(公告)日:2019-10-25
申请号:CN201810467385.0
申请日:2018-05-16
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/107
Abstract: 本发明提供一种四氯化硅的氢化方法,属于多晶硅生产技术领域。四氯化硅的氢化方法是向填充有电磁场调整材料和负载金属催化剂的气体放电反应器内通入四氯化硅和氢气,在电磁场的作用下反应。此方法能够提高四氯化硅低温氢化的效率,降低反应体系的温度。
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公开(公告)号:CN110125138A
公开(公告)日:2019-08-16
申请号:CN201910338525.9
申请日:2019-04-25
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: B09B3/00
Abstract: 本发明提供了一种废旧太阳能光伏组件的回收利用方法,包括废旧太阳能电池的绝缘处理和在废旧太阳能电池上设置连接结构。本发明的废旧太阳能光伏组件的回收利用方法,采用绝缘处理可以使废旧太阳能光伏组件成为不带电的材料,通过连接结构的设置,方便相互间进行连接,从而实现回收利用废旧太阳能光伏组件的作用,而且该利用改造少,无须进行内部拆解,环保安全,具有非常高的经济性。
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