一种四氯化硅的氢化方法

    公开(公告)号:CN108439413A

    公开(公告)日:2018-08-24

    申请号:CN201810467385.0

    申请日:2018-05-16

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 本发明提供一种四氯化硅的氢化方法,属于多晶硅生产技术领域。四氯化硅的氢化方法是向填充有电磁场调整材料和负载金属催化剂的气体放电反应器内通入四氯化硅和氢气,在电磁场的作用下反应。此方法能够提高四氯化硅低温氢化的效率,降低反应体系的温度。

    一种棒状多晶硅和颗粒多晶硅的联合生产方法

    公开(公告)号:CN108862281A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201810786559.X

    申请日:2018-07-17

    IPC分类号: C01B33/035 C01B33/03

    摘要: 本发明涉及晶体硅制备技术领域,具体涉及一种棒状多晶硅和颗粒多晶硅的联合生产方法。本发明提供的棒状多晶硅和颗粒多晶硅的联合生产方法,采用包括三氯氢硅的原料制备棒状多晶硅,将制备棒状多晶硅的尾气中产生含有的二氯二氢硅作为颗粒硅制备步骤的原料,同时,所述颗粒多晶硅制备步骤所得的尾气中包含有用于制备所述棒状多晶硅的原料三氯氢硅。相较于传统的单独棒状多晶硅或颗粒多晶硅生产工艺,本发明所述方法可以联合生产棒状多晶硅和颗粒多晶硅,具有工艺流程短、工艺共容、产业化成本低的优势。本发明产生的两种多晶硅产品具有强烈互补性,可以提升晶体生长环节的生产效率。本发明所述方法是一种绿色节能的多晶硅生产方法。

    混合液中轻组分的分离方法及该分离方法使用的精馏塔

    公开(公告)号:CN107823907B

    公开(公告)日:2018-11-20

    申请号:CN201711118192.6

    申请日:2017-11-13

    IPC分类号: B01D3/14 B01D3/34

    摘要: 本发明提供一种混合液中轻组分的分离方法及该分离方法使用的精馏塔,属于物料分离技术领域。分离方法是将含有混合液的精馏塔中通入不溶于混合液和不与混合液发生反应的气体。其中:轻组分的质量浓度为:(30‑600)μg/ml;轻组分是指混合液中沸点最低的组分。上述分离方法使用的精馏塔,包括从上到下依次连通的塔顶、精馏段和塔釜,精馏段设置有进料口和进气口。其设备简单,在进行精馏的时候,由于通入气体,气体会与混合液中充分接触,将混合液中的微量轻组分传质到气体中,从而达到将微量轻组分进行分离的效果。

    一种光纤级四氯化硅的制备方法及多晶硅生产中还原尾气的处理方法

    公开(公告)号:CN107720759A

    公开(公告)日:2018-02-23

    申请号:CN201711115897.2

    申请日:2017-11-13

    IPC分类号: C01B33/107 C01B3/50 C01B7/07

    摘要: 本发明涉及电子材料生产技术领域,公开了一种光纤级四氯化硅的制备方法及多晶硅生产中还原尾气的处理方法。光纤级四氯化硅的制备方法包括从还原尾气中分离出氯硅烷混合液、从氯硅烷混合液中分离出初级四氯化硅以及对初级四氯化硅进行提纯。其最大限度地利用中间产物,极大地降低生产体系对外界的依赖程度,成本较低。多晶硅生产中还原尾气的处理方法包括利用上述的光纤级四氯化硅的制备方法对多晶硅生产中还原尾气进行处理,并将前两次分离步骤所得的氢气、氯化氢、二氯二氢硅及三氯氢硅作为多晶硅生产的原料进行贮存,较大的利用中间产物,生产的三废排放量显著减小,利用中间产物生产出光纤级四氯化硅,创造了较大的经济效益。

    一种二氧化碳低温等离子氢化法甲醇制备工艺

    公开(公告)号:CN106748647A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611035803.6

    申请日:2016-11-23

    摘要: 本发明公开了一种二氧化碳低温等离子氢化法甲醇制备工艺,按以下步骤进行,预混合;预加热:加热温度为15~50℃;反应:导入至DBD集成反应器中进行反应;分离:将反应后所得产物,包括甲醇、水以及未反应的二氧化碳和氢气在分离单元中进行分离;提纯,纯甲醇以液体形式进入产品罐中。本发明具有以下优点和有益效果:第一,可以将二氧化碳高效地转化为甲醇,驱动能源可以选择太阳能等清洁能源;第二,可以在接近室温条件下完成反应,反应条件温和,二氧化碳转化效率高,对设备要求低,成本更低;第三,气体放电过程中会产生大量的光辐射,当DBD与催化剂协同使用时,可以有效利用光辐射,极大促进二氧化碳的转化。

    粉体材料的等离子体掺杂方法

    公开(公告)号:CN106449343A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201610783573.5

    申请日:2016-08-31

    IPC分类号: H01J37/32 H01L21/223

    CPC分类号: H01J37/32412 H01L21/2236

    摘要: 本发明属于等离子体掺杂领域,尤其涉及粉体材料的等离子体掺杂方法。其特征是将受主粉体材料加入至等离子体掺杂腔室中,然后向等离子体掺杂腔室导入施主气,通过控制施主气的流量,使受主粉体材料处于稳定流化态,之后,启动激励电源通过介质阻挡放电使施主气活化并形成非平衡等离子体,非平衡等离子体中的活性粒子会进入至受主粉体材料中,完成掺杂,受主粉体材料在电场和磁场作用下活化,其本征性能亦会得到加强。本发明方法工艺简单、灵活度好、掺杂效率高,可以在温和条件下获得掺杂均匀性高、缺陷丰富的粉体材料,其应用前景十分广阔。

    一种去除氯硅烷中杂质的方法及装置

    公开(公告)号:CN109279611A

    公开(公告)日:2019-01-29

    申请号:CN201811455065.X

    申请日:2018-11-30

    IPC分类号: C01B33/107 B01D3/14 B01D3/32

    摘要: 本发明提供一种去除氯硅烷中杂质的方法及装置,其将氯硅烷通入精馏塔内,通过含物理吸附剂的吸附脱附段对氯硅烷中的杂质进行处理,并结合精馏和提馏完成整个生产过程;其中物理吸附剂包括第一组分,第一组分为含羧基的化合物、含氨基的化合物、聚合氯化铝中的一种或多种。本发明采用物理吸附剂的选择吸附功能,能够有效去除氯硅烷中的痕量杂质,特别是碳有机杂质,除杂效率高,环保性好,进一步提升和稳定了氯硅烷的品质。

    一种流化床反应器
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109012514A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201811003189.4

    申请日:2018-08-30

    IPC分类号: B01J8/24 B01J8/18

    摘要: 本发明公开了一种流化床反应器,包括反应腔和位于反应腔下端的底面进气结构;所述反应腔四周设有进气腔,靠近反应腔的进气腔内壁设有多个倾斜设置的导流板,进气腔内壁在其与每个导流板连接处的下方设有一个以上的透气孔,且透气孔连通进气腔和反应腔。本申请通过在反应腔四周设置进气腔,使一部分工艺气体进入进气腔内,并沿导流板改变角度,向上倾斜穿过透气孔吹入反应腔内,从而避免了介质沉积在反应器内壁,导致反应器磨损的情况。