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公开(公告)号：CN114335160A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111612531.2
申请日：2021-12-27
申请人： 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
发明人： 孟虎
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/12
摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、基板，属于薄膜晶体管技术领域。其中，薄膜晶体管，包括：基底；设置在所述基底上的栅极；位于所述栅极远离所述基底一侧的绝缘层；位于所述绝缘层远离所述基底一侧的有源层，所述有源层至少包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述基底平行，所述第二部分与所述基底成第一角度，所述第一角度大于0°小于等于90°，所述第一部分在所述基底上的正投影与所述栅极在所述基底上的正投影重叠；与所述有源层分别连接的源极和漏极。本发明的技术方案能够提高薄膜晶体管的耐压范围。
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公开(公告)号：CN111403329A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010223663.5
申请日：2020-03-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
发明人： 孟虎
IPC分类号： H01L21/683 , H01L27/15 , G09F9/33
摘要： 本申请公开了一种微发光二极管的转移方法、显示面板及其制备方法，用以提高微发光二极管的转移效率，同时避免损伤微发光二极管。本申请实施例提供的一种微发光二极管的转移方法，所述方法包括：在衬底基板上形成微发光二极管阵列并在所述微发光二极管之上形成氢化非晶层；将所述氢化非晶层与转移基板贴合，并将所述微发光二极管阵列从所述衬底基板剥离；将所述转移基板的所述微发光二极管阵列与目标基板对准贴合；对所述氢化非晶层采用退火工艺，以使所述氢化非晶层释放氢气，将所述转移基板剥离。
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公开(公告)号：CN110521010A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201980000904.5
申请日：2019-06-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
发明人： 孟虎
摘要： 一种发光二极管及其制作方法、显示装置，其中，发光二极管包括：第一半导体层；第二半导体层；发光层，设置于第一半导体层和第二半导体层之间；阻挡层，设置于第一半导体层和第二半导体层中的至少一者的侧面的至少部分区域上，阻挡层被配置为在阻挡层与所述侧面的至少部分区域之间形成电荷耗尽区。
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公开(公告)号：CN109301023A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811160076.5
申请日：2018-09-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
发明人： 孟虎
IPC分类号： H01L31/102 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种光电二极管及其制备方法、平板探测器，该光电二极管包括：衬底；所述衬底上依次形成有工作电极、中间绝缘层、有源层、钝化层和输出电极，其中，所述输出电极通过贯穿所述中间绝缘层、所述有源层和所述钝化层的过孔与所述工作电极电连接，所述有源层包括非晶硅层和晶化半导体层。该光电二极管响应速度更快，对可见光具有更高的吸收率，且具有更宽的吸收光谱范围。
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公开(公告)号：CN117826497A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211205437.X
申请日：2022-09-29
申请人： 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1675 , G02F1/1676 , G09G3/34
摘要： 本申请提供了一种显示面板及其驱动方法，显示装置，涉及显示技术领域。该显示面板包括：基底；驱动单元，位于所述基底的一侧；调光器件，与所述驱动单元电连接，所述调光器件包括沿背离所述基底方向上依次设置的第一电极集流体，第一电极，固态电解质和第二电极集流体；其中，所述调光器件被配置为能够在所述驱动单元的控制下调节透光率。本申请提供的显示面板，保持显示状态不需要外部额外供电，并且制备成本较低，易于在工业上实现。
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公开(公告)号：CN117673166A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211015613.3
申请日：2022-08-23
申请人： 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/423
摘要： 本申请公开了一种薄膜晶体管及传感器，其中，薄膜晶体管应用于传感器，包括衬底；第一栅极层，形成于所述衬底上；无机介电层，形成于所述第一栅极层上；源漏图案层，形成于所述无机介电层上；有源层，形成于所述源漏图案层上；有机介电层，形成于所述有源层上，至少对所述有源层进行静电调控；第二栅极层，形成于所述有机介电层上。上述方案，通过在有源层上形成有机介电层，有机介电层可以对有源层进行静电调控，使得有源层的导电性可以提高并被有效控制，使得有源层输出电流相对于输入电流有几倍的增长，随着输出电流的增长，其检测灵敏度也相应提高。同时，在有源层与第二栅极层之间形成有机介电层，其制备工艺相对简单。
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公开(公告)号：CN112599555B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202011488564.6
申请日：2020-12-16
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
发明人： 孟虎
IPC分类号： H10N39/00 , H01L29/423 , H01L21/84
摘要： 本发明公开一种压电薄膜器件及其制备方法，压电薄膜器件，包括：驱动基板，所述驱动基板包括衬底层和所述衬底层上设置的多个薄膜晶体管；压电薄膜层，设置在多个所述薄膜晶体管远离所述衬底层的一侧；浮栅层，设置在多个所述薄膜晶体管与所述压电薄膜层之间，所述浮栅层在所述压电薄膜层受到应力时产生电荷变化，所述电荷变化引起所述薄膜晶体管的沟道电流发生变化。能够改善现有压电元件感应应力的灵敏度较低，限制现有压电元件的应用范围的问题。
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公开(公告)号：CN117397044A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280001165.3
申请日：2022-05-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 本公开提供了一种薄膜晶体管，包括：基底；栅极；有源层，包括：第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案包括：第一有源子图案，第一有源子图案包括第一有源区和第一源漏接触区，第一源漏接触区通过第一有源区与第二有源图案相连，第一有源图案的材料包括金属氧化物半导体、低温多晶硅、非晶硅中至少之一，第二有源图案的材料包括半导体碳纳米管；源极和漏极，二者间隔设置且分别与有源层相连；钝化层，位于第二有源图案远离基底一侧。本公开实施例还提供了一种薄膜晶体管的制备方法和电路。
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公开(公告)号：CN114937917A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210555341.X
申请日：2022-05-20
申请人： 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本公开提供了一种光学设备、激光光源及制作方法，属于激光技术领域。该激光光源包括驱动背板，包括第一衬底基板和设于所述第一衬底基板一侧的驱动电路层，所述驱动电路层包括多个像素电路；激光层，设于所述驱动电路层远离所述第一衬底基板的一侧，所述激光层包括多个垂直腔体表面发射激光器，所述垂直腔体表面发射激光器与所述像素电路一一对应连接，所述像素电路用于驱动所述垂直腔体表面发射激光器发光。本公开提供的激光光源，通过驱动背板的像素电路实现对激光光源的动态控制，为形成线光源、面光源和动态扫描等提供了结构基础。
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公开(公告)号：CN114864665A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210657971.8
申请日：2022-06-10
申请人： 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本公开提供一种晶体管、电控鼓和打印机。该晶体管中，有源层包括沿第一源漏极指向第二源漏极的方向上依次设置的第一重掺杂区、第一高阻区、与栅极重叠设置的沟道区、第二高阻区、以及第二重掺杂区，第一重掺杂区与第一源漏极电接触、第二重掺杂区与第二源漏极电接触，第一高阻区和第二高阻区二者在基底上的正投影与栅极在基底上的正投影均无交叠。该晶体管的耐高压能力提升，有助于电控鼓的性能稳定。
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