公开(公告)号：CN106574397B

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201580041319.1

申请日：2015-07-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  玄番润 ,  伊东洋典 ,  畑山智亮 ,  土井秀之

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/32 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 一种外延晶片(100)，包括具有第一主表面(101)的碳化硅膜(120)。凹槽部(20)形成在第一主表面(101)中。凹槽部(20)沿第一主表面(101)在一个方向上延伸。而且，凹槽部(20)在该一个方向上的宽度是凹槽部(20)在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。而且，凹槽部(20)距第一主表面(101)的最大深度不大于10nm。

公开(公告)号：CN106574397A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580041319.1

申请日：2015-07-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  玄番润 ,  伊东洋典 ,  畑山智亮 ,  土井秀之

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/32 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 一种外延晶片(100)，包括具有第一主表面(101)的碳化硅膜(120)。凹槽部(20)形成在第一主表面(101)中。凹槽部(20)沿第一主表面(101)在一个方向上延伸。而且，凹槽部(20)在该一个方向上的宽度是凹槽部(20)在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。而且，凹槽部(20)距第一主表面(101)的最大深度不大于10nm。

公开(公告)号：CN102782823A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180011867.1

申请日：2011-10-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 伊藤里美 ,  原田真 ,  玄番润 ,  藤川一洋

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/808

Abstract: 缓冲层（31）设置在衬底（30）上，由包含杂质的碳化硅制成，并且具有大于1μm且小于7μm的厚度。漂移层（32）设置在缓冲层（31）上，并且由具有比缓冲层（31）的杂质浓度小的杂质浓度的碳化硅制成。以此方式，能够提供一种包括具有所期望的杂质浓度和高结晶性的漂移层（32）的碳化硅半导体器件。