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公开(公告)号：CN102763293B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201080005492.3
申请日：2010-11-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/2201 , H01S5/3202
Abstract: 本发明提供一种在六方晶系第III族氮化物的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器的第III族氮化物半导体激光元件、及稳定制作该第III族氮化物半导体激光元件的方法。在位于第III族氮化物半导体激光元件(11)的阳极侧的第一面(13a)的四个角部，分别形成有缺口部(113a)等缺口部。缺口部(113a)等为为了分离元件(11)而设的刻划槽的一部分。刻划槽为由激光刻划器而形成，刻划槽的形状为通过控制激光刻划器而调整。例如，缺口部(113a)等的深度与第III族氮化物半导体激光元件(11)的厚度之比为0.05以上0.4以下，缺口部(113a)的端部的侧壁面的倾斜度为45度以上85度以下，缺口部(113b)的端部的侧壁面的倾斜度为10度以上30度以下。
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公开(公告)号：CN103329368A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201280005963.X
申请日：2012-01-19
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/1082 , H01S5/2009 , H01S5/3202
Abstract: 提供一种可改善振荡成品率的结构的III族氮化物半导体激光元件。在第一及第二割断面（27、29）各自呈现支撑基体（17）的端面（17c）及半导体区域（19）的端面（19c）。激光结构体（13）包括第一及第二面（13a、13b），第一面（13a）为第二面（13b）的相反侧的面。第一及第二割断面（27、29）分别从第一面（13a）的边缘延伸至第二面（13b）的边缘。半导体区域（19）包含InGaN层（24）。半导体区域（19）可包含InGaN层（24）。割断面（29）包括设置于InGaN层（24）的端面（24a）的台阶（26）。台阶（26）沿着从该III族氮化物半导体激光元件（11）的一个侧面（22a）朝向另一个侧面（22b）的方向延伸。台阶（26）在割断面（27、29）中可形成于InGaN层（24）的端面（24a）的一部分或整体上。
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公开(公告)号：CN103208740A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310003877.1
申请日：2013-01-06
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼公司
CPC classification number: H01S5/3013 , B82Y20/00 , H01S5/0035 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了激光二极管以及制造激光二极管的方法，一种激光二极管包括：半导体基底，由六方晶系III族氮化物半导体制成并且具有沿{2,0,-2,1}方向定向的半极性面；外延层，包括形成激光的光波导的发光层，并且形成在半导体基底的半极性面上，所述外延层使得激光的传播方向在光波导面内相对于c轴在光波导面上的投影方向以在大约8°至大约12°或者大约18°至大约29°的范围内的角度倾斜，所述光波导面包括激光的传播方向并且与半极性面平行；两个谐振器端面；第一电极；以及第二电极。
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公开(公告)号：CN102341977B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201080010475.9
申请日：2010-11-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/1082 , H01S5/3202 , H01S5/3211
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支持基体的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器。激光构造体(13)中，第1面(13a)为第2面(13b)的相反侧的面，第1及第2割断面(27、29)从第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。而且，在例如第1割断面(27)的一端，具有从边缘(13c)延伸至边缘(13d)的刻划痕(SM1)，刻划痕(SM1)等具有从边缘(13c)延伸至边缘(13d)的凹形状。割断面(27、29)并非由干式蚀刻形成，与c面、m面或者a面这些目前为止的裂面不同。可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。
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公开(公告)号：CN104737394A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380053924.1
申请日：2013-07-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 高木慎平
IPC: H01S5/343 , G01B11/26 , H01L21/301 , H01S5/02
CPC classification number: H01S5/34333 , G01N21/958 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/0206 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/32341
Abstract: 在III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的基板的半极性面上具有能够减少反馈光的扰乱的激光谐振器的III族氮化物半导体激光器中，在角度ALPHA为71度以上且79度以下的范围时，角度α1为10度以上且25度以下的范围，角度β1为0度以上且5度以下的范围。在与外延面靠近的第一面附近的第一端面中，在m-n面内，第一法线矢量ENV1与c+轴矢量VC+所成的角度具有接近角度α1的值(例如10度以上且25度以下的范围)。在基板背面附近的第一端面中，在m-n面内，第二法线矢量ENV2与c+轴矢量VC+所成的角度具有接近角度β1的值(例如0度以上且5度以下的范围)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102668282B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201080059085.0
申请日：2010-11-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/3202 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有表现出用于谐振镜的高质量且可实现低阈值电流的激光谐振器。成为激光谐振器的切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件11具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导路。因此，可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)通过在支撑基体背面具有刻划痕迹、以及来自外延面的挤压而形成。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻而形成，与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。
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公开(公告)号：CN103959579A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280059413.6
申请日：2012-11-30
Applicant: 索尼公司 , 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/02 , H01L21/301 , H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3013 , H01L33/0062 , H01S5/0202 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/32341 , H01S2304/04
Abstract: 根据用于制造半导体激光器元件(100)的这个方法，切割导向槽(104)形成在生产基板(110)的表面上，其中，在具有半极性平面(1a)的六方晶系Ⅲ族氮化物半导体基板(1)上形成包括发光层(14)的外延层(2)。沿着位于共振器端面侧(102，103)的半导体激光器器件(100)的划线(BL1)延伸并且具有V型横截面的切割导向槽(104)形成在位于划线(BL1)上并且包括半导体激光器器件(100)的至少一个拐角的局部区域中。沿着划线(BL1)切割具有形成在其上的切割导向槽(104)的生产基板(110)。
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公开(公告)号：CN102696158B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201080060965.X
申请日：2010-11-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , G01N21/62 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/20 , H01S5/2009 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器、并在用于该激光谐振器的元件端部具有可缩小芯片宽度的端部构造。激光器构造体(13)在一个切断面(27)上具有设于第1面(13a)的边缘(13c)的一部分的凹部(28、30)。凹部(28、30)各自包含残留在各个半导体元件上的刻划痕迹，这些半导体元件通过刻划槽所导引的切断而分离。凹部(28)具有位于第1面(13a)上的端部(28b)，而且凹部(30)具有位于第1面(13a)上的端部(30b)。第1凹部(28)的端部(28b)与激光条纹间的第1间隔(W1)，小于第2凹部(30)的端部(30b)与激光条纹间的第2间隔(W2)。
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公开(公告)号：CN103797667A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280044409.2
申请日：2012-07-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 高木慎平
CPC classification number: H01S5/0202 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/34333
Abstract: 一种制作III族氮化物半导体激光器件的方法，其通过利用半极性面使能实现稳定地供应具有低激光阈值电流的激光腔镜。刀片（5g）下压第一区域（ER1），以保持第一区域（ER1）连同与第一区域（ER1）接触的保护片材（TF）的一部分一起被挤压在支撑部件（H2）和可移动部件（H1）之间，同时利用可移动部件（H1）增加在与第一区域（ER1）接触的保护片材（TF）的区域中产生的张力，直至在第一区域（ER1）的端面（EG1）处半极性主面（SF）相对于第二区域（ER2）的半极性主面（SF）倾斜了偏转角THETA，并且从而在与朝向第一区域（ER1）的刀片（5g）的行进方向相反的方向上在第一区域（ER1）中产生力。例如，角度ALPHA在71度至79度的范围内，偏转角THETA在11度至19度的范围内。
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公开(公告)号：CN103797665A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280041775.2
申请日：2012-04-13
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种具有能够降低由COD引起的动作不良并且还能够减小散热能力下降的构造的III族氮化物半导体激光元件。成为激光谐振器的第1和第2割断面27、29与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光元件11具有在m-n面与半极性面17a的交叉线的方向上延伸的激光波导。割断面27、29与c面、m面或a面等的解理面不同。半导体区域19包含在波导向量LGV方向上延伸的第1～第3区域19b～19d。绝缘膜31的开口31a位于半导体区域19的第3区域19d的脊状构造上。在电极15中，焊垫电极18的第1～第3电极部18b～18d分别设置于半导体区域19的第1～第3区域19b～19d上。第1电极部18b具有到达割断面27边缘的臂部18b_ARM1。
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