-
公开(公告)号：CN103493316A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280019471.6
申请日：2012-02-07
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/3201 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种缩小光封闭性的降低且可实现驱动电压的下降的氮化物半导体激光器。在半导体区域（19）中，发光层（13）的活性层（25）、第一包覆区域（21）及第二包覆区域（23）设置在主面（17a）上。第二包覆区域（23）包含第一p型III族氮化物半导体层（27）及第二p型III族氮化物半导体层（29）。第一p型III族氮化物半导体层（27）由InAlGaN层构成，第二p型III族氮化物半导体层（29）由与该InAlGaN层不同的半导体构成。该InAlGaN层内含各向异性的应变。第一p型III族氮化物半导体层（27）设置在第二p型III族氮化物半导体层（29）与活性层（25）之间。第二p型III族氮化物半导体层（29）的比电阻（ρ29）低于第一p型III族氮化物半导体层（27）的比电阻（ρ27）。
-
公开(公告)号：CN103329368A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201280005963.X
申请日：2012-01-19
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/1082 , H01S5/2009 , H01S5/3202
Abstract: 提供一种可改善振荡成品率的结构的III族氮化物半导体激光元件。在第一及第二割断面（27、29）各自呈现支撑基体（17）的端面（17c）及半导体区域（19）的端面（19c）。激光结构体（13）包括第一及第二面（13a、13b），第一面（13a）为第二面（13b）的相反侧的面。第一及第二割断面（27、29）分别从第一面（13a）的边缘延伸至第二面（13b）的边缘。半导体区域（19）包含InGaN层（24）。半导体区域（19）可包含InGaN层（24）。割断面（29）包括设置于InGaN层（24）的端面（24a）的台阶（26）。台阶（26）沿着从该III族氮化物半导体激光元件（11）的一个侧面（22a）朝向另一个侧面（22b）的方向延伸。台阶（26）在割断面（27、29）中可形成于InGaN层（24）的端面（24a）的一部分或整体上。
-
公开(公告)号：CN103999305A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280062606.7
申请日：2012-09-19
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/30 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 提供能够缩小光封闭性的降低并且降低驱动电压的氮化物半导体激光器。在半导体区域(19)中，发光层(13)的活性层(25)、第一包覆区域(21)以及第二包覆区域(23)设置在主面(17a)上。第二包覆区域(23)包括第一p型III族氮化物半导体层(27)以及第二p型III族氮化物半导体层(29)。第一p型III族氮化物半导体层(27)由AlGaN层构成，第二p型III族氮化物半导体层(29)由与该AlGaN层不同的半导体构成。该AlGaN层内含各向异性的应变。第一p型III族氮化物半导体层(27)设置在第二p型III族氮化物半导体层(29)与活性层(25)之间。第二p型III族氮化物半导体层(29)的电阻率(ρ29)低于第一p型III族氮化物半导体层(27)的电阻率(ρ27)。
-
公开(公告)号：CN103797665A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280041775.2
申请日：2012-04-13
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种具有能够降低由COD引起的动作不良并且还能够减小散热能力下降的构造的III族氮化物半导体激光元件。成为激光谐振器的第1和第2割断面27、29与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光元件11具有在m-n面与半极性面17a的交叉线的方向上延伸的激光波导。割断面27、29与c面、m面或a面等的解理面不同。半导体区域19包含在波导向量LGV方向上延伸的第1～第3区域19b～19d。绝缘膜31的开口31a位于半导体区域19的第3区域19d的脊状构造上。在电极15中，焊垫电极18的第1～第3电极部18b～18d分别设置于半导体区域19的第1～第3区域19b～19d上。第1电极部18b具有到达割断面27边缘的臂部18b_ARM1。
-
公开(公告)号：CN103650263A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280032130.2
申请日：2012-06-29
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01L33/14 , B82Y20/00 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/0421 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种包含无损结晶性而具有比较小的接触电阻及比较高的载流子浓度的p型接触层的III族氮化物半导体元件及其制造方法。该III族氮化物半导体元件包括：接触层(25a)，设置于发光层(17)上；接触层(25b)，设置于接触层(25a)上，与接触层(25a)直接接触；及电极(37)，设置于接触层(25b)上，与接触层(25b)直接接触。接触层(25a)及接触层(25b)由p型的相同氮化镓系半导体构成，接触层(25a)的p型掺杂剂的浓度低于接触层(25b)的p型掺杂剂的浓度，接触层(25a)与接触层(25b)的界面J1自与沿c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面(Sc)以50度以上且小于130度的角度倾斜，接触层(25b)的膜厚为20nm以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102549781B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201080043799.2
申请日：2010-09-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01S5/0014 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种可将活性层的压电极化的朝向选择为适宜方向的制作半导体发光元件的方法。在步骤S104中，一面对基板产物施加偏压，一面进行基板产物的光致发光的测定，而获得基板产物的光致发光的偏压依赖性，该基板产物通过以所选择的一个或多个倾斜角生长用于发光层的量子阱构造、p型及n型氮化镓系半导体层而形成。在步骤S105中，根据偏压依赖性进行基板主面的所选择的各倾斜角各自在发光层的压电极化的朝向的预测。在步骤S106中，基于预测而判断应使用与基板主面对应的倾斜角及与基板主面的背面对应的倾斜角的哪一个，从而选择用以制作半导体发光元件的生长基板的面取向。将用于半导体发光元件的半导体叠层形成于生长基板的主面上。
-
公开(公告)号：CN102549860B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201080043448.1
申请日：2010-09-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种对于COD具有较大耐性的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第1端面(C+侧)(26)上的第1电介质多层膜(43a)的厚度比第2端面(C-侧)(28)上的第2电介质多层膜(43b)的厚度薄。
-
公开(公告)号：CN102177593B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN200980139859.8
申请日：2009-10-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/16 , H01S5/22 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/3404 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种具有可提高偏光度的结构的氮化镓系半导体发光元件。发光二极管(11a)包括半导体区域(13)、InGaN层(15)及活性层(17)。半导体区域(13)具有表现出半极性的主面(13a)，且包含GaN或者AlGaN。半导体区域(13)的主面(13a)相对于与该主面(13a)的[0001]轴方向的基准轴Cx正交的平面Sc以角度α倾斜。半导体区域(13)的厚度D13大于InGaN层(15)的厚度DInGaN，且InGaN层(15)的厚度DInGaN为150nm以上。InGaN层(15)设置于半导体区域(13)的主面13a的正上方，且与主面(13a)相接。活性层(17)设置于InGaN层(15)的主面15a上，且与该主面(15a)接触。活性层(17)包含InGaN阱层(21)。
-
公开(公告)号：CN102474076B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201080031731.2
申请日：2010-07-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/22 , H01S5/3054 , H01S5/3202
Abstract: 本发明提供包含低电阻化的p型氮化镓基半导体层的III族氮化物半导体光元件。支撑体13的主面13a相对于基准平面Sc形成40度以上且140度以下的角度ALPHA，基准平面Sc正交于在该III族氮化物半导体的c轴的方向上延伸的基准轴Cx。主面13a显示出半极性及无极性中的任一种。n型GaN基半导体层15设置在支撑体13的主面13a上。n型GaN基半导体层15、有源层19及p型GaN基半导体层17排列在法线轴Nx的方向上。p型GaN基半导体层17中添加有镁作为p型掺杂剂，p型GaN基半导体层17含有碳作为p型掺杂剂。p型GaN基半导体层17的碳浓度为2×1016cm-3以上且1×1019cm-3以下。
-
公开(公告)号：CN102668281B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201080059063.4
申请日：2010-11-11
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/2201 , H01S5/3202
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能实现低阈值电流的激光谐振器且具有能提高振荡合格率的构造。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，激光波导路在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸，因此可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，且与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。波导路向量(LGV)与投影分量(VCP)所成的偏移角(AV)可在-0.5度以上+0.5度以下的范围。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
114
records
(took 0.036 seconds)
