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公开(公告)号：CN114265465B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202110988416.9
申请日：2021-08-26
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所 , 中国航天时代电子有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供了一种带隙基准电路，包括启动电路、偏置电路、基准核心电路和输出级。启动电路可以启动偏置电路，偏置电路可以启动基准核心电路并且产生初级受电源电压影响较小的稳定的电压，用于内部电路供电。基准核心电路产生受工艺和温度影响较小的基准电压，采用启动电路产生的电压，提高了PSRR。本设计在三极管的选择上选择了NPN型的三极管，并将衬底引入的噪音转换成运放的共模输入，大大减小了衬底噪声对基准电压的影响。基准核心电路采用电流镜供电，简化了电路结构，其供电电压与外部输入电压隔离，提高了PSRR。输出级通过电阻分压产生需要的参考电压，经过RC滤波，提高抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN115617112A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211177467.4
申请日：2022-09-26
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明涉及一种低噪声高PSRR的LDO电路，属于模拟集成电路技术领域；包括带隙基准电路、误差放大器EA、滤波电路、缓冲级BUF、PSRR增强电路、MOS管MP1、MOS管MP2、电阻Ra、电阻Rb、电容CL、电阻RL和电阻Resr；采用由MOS管构成的有源电阻和一个电容组成的RC低通滤波结构，滤除带隙基准和误差放大器的输出噪声功率。误差放大器、输出缓冲级和功率级共同构成三级运放结构，以保证输出电压的稳定。同时采用的PSRR增强电路保证了LDO具有良好的电源抑制比。本发明所述的低噪声高PSRR的LDO电路引入滤波电路和PSRR增强电路，滤除带隙基准和误差放大器的输出噪声，增强了LDO的PSRR。
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公开(公告)号：CN113659965A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110830718.3
申请日：2021-07-22
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H03K5/24
摘要： 本发明公开了一种具有可修调滤波功能的比较器电路，包括：比较器用于比较基准电流Iref和输入电流Iin的大小，当基准电流Iref大于输入电流Iin时输出高电平，否则输出低电平；滤波整流电路，用于采用施密特触发器实现滤波抗干扰的功能，当输入信号Iin的变化时长大于施密特触发器的滞回时长，在比较器产生的比较结果可以通过施密特触发器；当输入信号的变化时长小于施密特触发器的滞回时长，在比较器产生的比较结果无法通过施密特触发器，实现了过滤毛刺的功能；修调电路，用于改变滤波整流电路的工作电流，从而改变施密特触发器的滞回时长。
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公开(公告)号：CN113672024B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110824920.5
申请日：2021-07-21
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G05F3/26
摘要： 本发明涉及一种应用于低功耗LDO的漏电流补偿电路及方法。LDO工作于高温、大输入电压和极低负载电流的情况下漏电流补偿电路打开，在电路典型工作状态下本漏电流补偿电路停止工作。本发明中漏电流供应源用于成比例地实时监测和跟随功率管的漏电流，开关控制电路用于实时地监测电路的工作状态,在电路工作在高温、大输入电压和极低负载电流时，打开漏电流供应管。漏电流供应管用于向LDO提供漏电流，使得LDO的负载电流在与功率晶体管漏电流数量级相近时仍然能保持正确的输出。
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公开(公告)号：CN112416047B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011126043.6
申请日：2020-10-20
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G05F1/575
摘要： 本发明公开了一种高电源抑制比和高抗干扰能力的基准电路，包括：偏置电路、预处理电路、基准核心电路、运算放大器和输出级；其中，偏置电路产生偏置电压，用于预处理电路和运算放大器；预处理电路产生初级的不受输入电压影响的稳定电压，将稳定电压输出给基准核心电路和运算放大器；基准核心电路产生零温电压，将零温电压输出给输出级和运算放大器；运算放大器电路使得三极管集电极电压相等，使得基准核心电路正常工作；输出级通过电阻分压，产生不同的基准电压。本发明通过采用偏置电路，进行合理的结构设计，同时引入预处理电路，产生受电源电压影响较小的初级电压，提高低频和高频下的电源抑制比。在敏感节点加入滤波电路，提高抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN112485507A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011299323.7
申请日：2020-11-18
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G01R19/25
摘要： 本发明一种用于菊花链通信电路传输电流测试的方法，单颗被测电路配置为slave模式；使用直流电源串联二极管、限流电阻对菊花链输入端口施加电压，构成可控电流源；使用电流表对被施加电压端口的电流进行观测，同时使用电流表观测该端口对应输出端口的电流；逐步调节施加电压大小，观测输入输出端口的电流。本发明有效地解决了菊花链电路通信电流难以测试的问题，不需要级联方式仅用单颗电路以及普通的仪器即可实现；此方法可以观测到通信过程中逻辑高、逻辑低以及翻转阈值电流值，通过此测试结果能直观反映菊花链通信电路的抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN212112261U
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201922108925.9
申请日：2019-11-29
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 一种基于双极工艺的LDO过温保护电路，包括温度检测电路、采样比较电路，温度检测电路包括NPN管Q4、电阻R3、电阻R4，采样比较电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R5、电阻R6、电阻R7、NPN管Q1、NPN管Q2、NPN管Q3、NPN管Q6，NPN管Q4基极与外部带隙电路输出端相连作为输入端，NPN管Q6集电极作为电路输出端作为输出端，温度检测电路与采样比较电路串联进行过温保护输出。
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公开(公告)号：CN206291915U
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201621316348.2
申请日：2016-12-02
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G01D5/12
摘要： 一种霍尔式的多圈编码器，包括转轴、外壳、旋转圆盘、永磁体、电路板、后盖、两个开关型霍尔传感器和N个线性霍尔传感器以及轴承。轴承外圈固定在外壳内，转轴穿过轴承内圈，且与轴承内圈固定，旋转圆盘固定在转轴的底部，永磁体固定在旋转圆盘下表面，转轴与外部驱动机构连接。开关型霍尔传感器和线性霍尔传感器焊接在电路板上，开关型霍尔传感器和线性霍尔传感器的感应面位于永磁体形成的磁场中；电路板固定在外壳上。永磁体跟随转轴同步旋转时，霍尔传感器会输出变化的电压信号，据此能够得到转轴旋转方向、角度大小和旋转圈数。本实用新型能够实现多圈测量，可靠性高，且结构简单，易于装配。
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公开(公告)号：CN209949077U
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201822138514.X
申请日：2018-12-19
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 一种频率稳定的方波发生电路，包括延时电路、整形电路、反馈环路、开关电路、控制电路，其中延时电路，采用电流源对电容充放电的模式，和开关电路共同实现所需要的振荡频率；整形电路采用RS触发器结构，将三角波整形为方波；控制电路，根据外部控制信号实现电路主动导通、关断；反馈环路，将输出电压恰当地反馈给具有开关特性的器件。该方波发生电路结构简单，频率不受电源电压变化范围和温度的影响，能够实现频率的稳定。
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公开(公告)号：CN207515803U
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201721097525.7
申请日：2017-08-30
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G01D5/244
摘要： 一种宽温度范围的多圈磁电编码器，包括转轴、外壳、轴承、磁编码盘、电路板、后盖、焊接在电路板上的贴片开关型霍尔传感器和两个直插开关型霍尔传感器。转轴与轴承内圈固定连接，外壳套在转轴和轴承外侧，轴承外圈固定在外壳内，磁编码盘固定在转轴的底部，转轴与外部驱动机构连接。贴片开关型霍尔传感器布置在过电路板中心一侧的同一条直线上，第i个贴片开关型霍尔传感器位于磁编码盘第i个磁圈在电路板上的投影处，电路板固定在外壳上，后盖用于密封外壳的底部开口。本实用新型通过霍尔传感器实现多圈测量，获得转轴的旋转角度、旋转方向，且精度不受温度影响，有较宽的工作温度范围，可靠性高，结构简单。
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