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公开(公告)号：CN103353380A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310309389.3
申请日：2013-07-22
申请人： 北京理工大学
摘要： 本发明公开了一种阿基米德螺旋线推扫滤光差分气体泄漏红外成像方法，适用于红外焦平面探测器，包括如下具体步骤：1,设计包括背景滤光片、泄漏气体滤光片以及两片挡光片的阿基米德螺旋线滤光盘；滤光片和挡光片交替布设；2,利用该滤光盘推扫探测器，获得泄漏气体图像、背景图像和挡光图像A、B；3,将泄漏气体图像分别与A和B差分，差分结果取平均为去除盲元的泄漏气体图像；将背景图像分别与A和B差分，差分结果取平均为去除盲元的背景图像；4,使用A和B计算非均匀校正模型，对3中结果进行非均匀性校正；5,将校正后的泄漏气体图像和背景图像进行差分运算，获得最终图像。本发明适用于泄漏气体的差分红外成像。
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公开(公告)号：CN101793675A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200910224059.8
申请日：2010-03-26
申请人： 北京理工大学
摘要： 本发明涉及一种薄膜应力在线测试系统，属于物理领域里的光学分领域。该系统包括镀膜机、应力仪、晶控仪和计算机；在所测量样品镀膜开始前，先将计算机的数据采集与处理模块初始化并设定阈值。当外部高亮度光源发出的光从应力仪的光纤入射经分光棱镜分光，通过物镜后垂直入射到样品表面，平行光被测量样品表面反射后，再经中继透镜转换成平行光，然后经哈特曼透镜阵列成像到CMOS接收器感光面，通过调节外部光源，使得光斑尽量落于CMOS感光面中心区域。当电子枪轰击坩埚中的膜料，使其激发出膜料分子，膜料分子沉积到样品表面，镀膜开始。同时计算机开始对应力仪和晶控仪的数据进行采集，实现对薄膜应力变化的实时跟踪，绘制出薄膜应力随膜厚的变化曲线。
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公开(公告)号：CN111413290B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202010218335.6
申请日：2020-03-25
申请人： 北京理工大学
IPC分类号： G01N21/3504 , G01N21/25 , G06K9/62
摘要： 本发明公开了一种被动红外滤光成像稀疏光谱气体识别装置和方法，该方法包括如下步骤：设计宽带长通滤光片组；获取目标气体的稀疏光谱；基于SVM的稀疏光谱识别算法。本发明能够通过成像迅速判断泄漏源位置，同时可以对泄漏气体的种类进行识别，成本相对其他方法较为低廉、系统构成较简单，适用于未知气体目标的可视化识别和多种气体泄漏的监测，适用于石油化工领域、工业生产领域的有毒有害气体检测，以及军事领域的毒气检测。
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公开(公告)号：CN104614889B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201510018677.2
申请日：2015-01-14
申请人： 北京理工大学
IPC分类号： G02F1/1333
摘要： 本发明公开了一种利用疏水、亲水表面进行PI高厚度自组装涂覆的方法，通过在面板的非显示区域制造粗糙结构或利用高表面能物质进行表面修饰提高非显示区域的疏水性，并采用将面板沉浸在溶液槽或利用喷嘴刮涂的方式涂覆PI液，本发明的有益效果在于，通过在非显示区域制造疏水结构，而显示区域保持亲水结构从而实现PI液的自组装涂覆，并且本发明采用沉浸式或刮涂式的方法进行PI液涂覆，与传统的使用转印版涂覆PI液的方法相比，不会受到转印版的限制，节省了成本，而且可以实现高厚度PI的涂覆，可有效的提升产线良率。
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公开(公告)号：CN106887386A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201611226821.2
申请日：2016-12-27
申请人： 北京理工大学
IPC分类号： H01L21/268
CPC分类号： H01L21/268
摘要： 本发明主要属于半导体基板加工工艺领域，具体涉及准分子激光退火制备桥式沟道多晶硅薄膜的方法。利用图案化使薄膜形成桥式结构，利用准分子激光退火使非晶硅薄膜形成多晶硅薄膜。此方法形成的多晶硅薄膜用做多晶硅薄膜晶体管的有源层，可有效降低晶体管关态漏电流，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN103698018A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310712947.0
申请日：2013-12-20
申请人： 北京理工大学
IPC分类号： G01J5/00
摘要： 本发明公开了一种带电子倍增的铂硅红外焦平面探测器，属于红外成像领域。本发明包括铂硅红外焦平面列阵和电子倍增结构；其中铂硅红外焦平面列阵用于将探测红外信号并将红外信号转换为电信号，电子倍增结构用于将电信号进行倍增放大；所使用的铂硅红外焦平面列阵具有铂硅肖特基势垒型光敏元、垂直移位寄存器以及水平移位寄存器；电子倍增结构是在所述铂硅红外焦平面列阵的硅衬底上扩展一块长条形区域，该长条形区域上具有n个倍增区；电子倍增结构的一端通过在硅衬底上布线与水平移位寄存器的信号输出端连接或者与垂直移位寄存器的信号输出端连接。本发明适用于提高铂硅红外焦平面探测器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN101726471A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910250013.3
申请日：2009-12-01
申请人： 北京理工大学
摘要： 本发明涉及一种基于哈特曼传感器的薄膜应力测量装置，属于物理领域里的光学分领域。该装置包括自准直成像系统和哈特曼传感器；自准直成像系统由分光棱镜、物镜、中继透镜构成。分光棱镜为消偏振分光直角棱镜，棱镜的；物镜和中继透镜均为双胶合透镜。哈特曼传感器由哈特曼透镜阵列、CMOS接收器构成。哈特曼透镜阵列由一批焦距、口径相同的平凸透镜通过粘连、切割等手段制作而成，透镜阵列位于中继透镜的像空间。该装置能够以自适应形式避免由于镀膜设备振动而造成的较大误差，测量精度高、操作简便、价格低廉并且在线、离线均能使用。
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公开(公告)号：CN101162271A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710177833.5
申请日：2007-11-21
申请人： 北京理工大学
摘要： 本发明公开了一种旋转监控片的光学薄膜自动监控装置，涉及一种薄膜产品制备过程中的监控设备。本发明包括：光源发射系统、驱动电机、工件架、晶控仪探头、监控片旋转机构、信号接收系统、信号转换系统、晶控仪、计算机、真空室和监控片。监控片旋转机构和晶控仪探头设置在真空室内，光源发射系统发出光信号，入射到真空室内，在监控片上形成光斑，由信号接收系统接收后，经过信号转换和计算机处理，监控薄膜厚度，控制材料的蒸发速率。本发明采用把监控片旋转机构设计成内环和外环，中间采用细钢丝连接，这样的结构避免了监控片旋转时对晶控仪探头的遮挡，实现了旋转监控片状态下的光控系统和晶控仪对镀膜过程的联动控制。
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公开(公告)号：CN111413290A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010218335.6
申请日：2020-03-25
申请人： 北京理工大学
IPC分类号： G01N21/3504 , G01N21/25 , G06K9/62
摘要： 本发明公开了一种被动红外滤光成像稀疏光谱气体识别装置和方法，该方法包括如下步骤：设计宽带长通滤光片组；获取目标气体的稀疏光谱；基于SVM的稀疏光谱识别算法。本发明能够通过成像迅速判断泄漏源位置，同时可以对泄漏气体的种类进行识别，成本相对其他方法较为低廉、系统构成较简单，适用于未知气体目标的可视化识别和多种气体泄漏的监测，适用于石油化工领域、工业生产领域的有毒有害气体检测，以及军事领域的毒气检测。
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公开(公告)号：CN107154405B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201710322780.5
申请日：2017-05-09
申请人： 北京理工大学
摘要： 本发明公开了金属自容触控基板的过孔刻蚀方法，在不增加额外工艺过程的前提下，通过变更掩膜结构或者变更TFT(薄膜场效应晶体管)结构，改善金属自容触控基板触控过孔搭接不良的问题。方案一是通过改变掩膜板的结构，即在掩膜版上用于加工触控过孔的图形与触控绑定金属之间设置设定厚度的光刻胶，使栅线过孔和触控过孔同时被刻蚀成型，从而避免两种类型过孔过大的厚度差异会造成过孔成型不良。另一种方案是通过在触控绑定金属底层放置数据线金属缓冲层，改善现有触控过孔过刻导致搭接不良的现象。
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