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公开(公告)号：CN114136908B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202111459965.3
申请日：2021-12-02
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程化学(中国)有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： G01N21/35 , G01N21/3563
摘要： 本申请涉及光刻胶树脂技术领域，提供了一种测试缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂保护率的方法，通过获得已知保护率缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂样品中醚键的特征峰高度和苯环对位取代基的特征峰高度的比值，建立得到标准曲线的回归方程；将缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂待测样品中醚键的特征峰高度和苯环对位取代基的特征峰高度的比值代入上述回归方程，即可计算得到待测样品的保护率；该方法能够准确获得缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂待测样品的保护率，且不需要使用毒性较大的良溶剂，具有简便、分析速度快、准确度高、误差小、检测成本低、安全环保等优势。
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公开(公告)号：CN113419404B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110731453.1
申请日：2021-06-29
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
摘要： 本申请提供一种光刻胶组合物，属于光刻技术领域。光刻胶组合物包括：100重量份化学放大正性光刻胶基体树脂、0.2～30重量份光致产酸剂和0.01～5重量份碱性添加剂。光致产酸剂包括三嗪类化合物，碱性添加剂包括含有氧原子的胺类化合物。本申请将三嗪类光致产酸剂与含有氧原子的胺类化合物配合，能够使得化学放大正性光刻胶的加工窗口DOF显著提升。同时，三嗪类光致产酸剂与含有氧原子的胺类化合物配合还能够改善光刻胶的顶部形貌，降低顶部损失，降低粗糙度。
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公开(公告)号：CN115616860A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211258412.6
申请日：2022-10-14
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
摘要： 本发明涉及光刻胶技术领域，尤其是涉及一种深紫外化学放大正型光刻胶组合物和图案形成方法。深紫外化学放大正型光刻胶组合物，包括如下组分：聚合物、含有苯基的化合物、光致产酸剂、含氮化合物、表面活性剂和溶剂；聚合物包括聚合物A，聚合物A具有如式(I)所示的结构：式中，R1选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、环戊基和环己基中的任一种；R2选自氢、甲基和乙基中的任一种；结构单元x与结构单元y的摩尔百分比为65～80mol％：20～35mol％。该光刻胶具有光刻工艺窗口大、曝光宽容度大和焦深大的特点，在无抗反射底层保护的高反射基底上光刻可获得无驻波、CD波动小和侧壁角呈直角的光刻胶图案。
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公开(公告)号：CN113804867A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111138814.8
申请日：2021-09-27
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程化学(中国)有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： G01N33/44
摘要： 本申请提供了一种测试光刻胶树脂组分的方法，通过获得光刻胶树脂中保护基团R的结构及分子量，采用凝胶渗透色谱获得光刻胶树脂经衍生化处理前后的重均分子量，并经本申请的公式计算，获得光刻胶树脂中保护基团R的保护率，进而获得光刻胶树脂中各单体的组分；所述方法能够准确获得光刻胶树脂中各单体的组分，为确定光刻胶树脂的性能提供了理论依据，且所述方法具有简便、灵敏度高、分析速度快、准确率高、误差小等优势。
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公开(公告)号：CN113419404A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110731453.1
申请日：2021-06-29
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
摘要： 本申请提供一种光刻胶组合物，属于光刻技术领域。光刻胶组合物包括：100重量份化学放大正性光刻胶基体树脂、0.2～30重量份光致产酸剂和0.01～5重量份碱性添加剂。光致产酸剂包括三嗪类化合物，碱性添加剂包括含有氧原子的胺类化合物。本申请将三嗪类光致产酸剂与含有氧原子的胺类化合物配合，能够使得化学放大正性光刻胶的加工窗口DOF显著提升。同时，三嗪类光致产酸剂与含有氧原子的胺类化合物配合还能够改善光刻胶的顶部形貌，降低顶部损失，降低粗糙度。
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公开(公告)号：CN115974880A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211695259.3
申请日：2022-12-28
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： C07D487/04 , G03F7/004
摘要： 本申请提供一种交联剂及其制备方法、光刻胶，属于光刻技术领域。光刻胶包括溶质和第一溶剂，其中，溶质包括70wt％～95wt％碱溶性树脂、1wt％～30wt％光致产酸剂、0.1wt％～15wt％酸淬灭剂和5wt％～20wt％上述的交联剂，第一溶剂的质量为碱溶性树脂的质量的1倍～10倍。本申请的交联剂能够用于添加到光刻胶中，并使得光刻胶的基体树脂的交联反应更加均匀，减少或避免局部分子量太大引起的形貌缺陷，得到的图形线条边缘更加垂直，且窗口更大。
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公开(公告)号：CN113234194A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110725188.6
申请日：2021-06-29
申请人： 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： C08F222/40 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F8/12 , C09J135/00 , G03F7/42
摘要： 本申请提供一种共聚物、底层胶组合物、双层体系及其在双层剥离工艺中的应用。属于半导体技术领域。共聚物由N取代马来酰亚胺单体、溶解速率控制单体、丙烯酸酯疏水性单体和丙烯酸羟乙酯亲水性单体聚合得到。本申请的共聚物不溶解于传统光刻胶的溶剂，可以溶解于碱性溶液中，不溶于水，且具有较高的玻璃化转变温度，并具有较好的化学稳定性和抗刻蚀能力，能够作为双层剥离工艺的底层树脂材料。双层体系包括顶层光刻胶和共聚物形成的底层胶。双层体系能够用于双层剥离工艺，且只需要单次显影和单次显影就可以得到目标光刻图案，大大提高光刻效率。
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公开(公告)号：CN112630336A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011489899.X
申请日：2020-12-16
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程化学(中国)有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
摘要： 本申请涉及定量检测的技术领域，更具体地说，它涉及一种酚醛树脂中酚的检测方法，具体包括以下步骤：制备树脂溶液；制备标准液；检测：利用裂解‑气相色谱联用对所述树脂溶液和所述标准液进行检测；计算：根据检测结果，按照公式（一）进行计算；式中：Moli,%‑酚单体i的摩尔百分比；Ai‑酚单体i在气相色谱图中的积分面积；Mi‑酚单体i的摩尔质量。本申请为酚醛树脂的分析提供一种更加便捷的技术手段，检测快速准确，具有高灵敏度和高准确性。
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公开(公告)号：CN115947648A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211695370.2
申请日：2022-12-28
申请人： 北京彤程创展科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
摘要： 本申请提供一种交联剂及其制备方法、光刻胶，属于光刻技术领域。光刻胶包括溶质和第一溶剂，其中，溶质包括70wt％～95wt％碱溶性树脂、1wt％～30wt％光致产酸剂、0.1wt％～15wt％酸淬灭剂和5wt％～20wt％上述的交联剂，第一溶剂的质量为碱溶性树脂的质量的1倍～10倍。本申请的交联剂能够用于添加到光刻胶中，并使得光刻胶的基体树脂的交联反应更加均匀，减少或避免局部分子量太大引起的形貌缺陷，得到的图形线条边缘更加垂直，且窗口更大。
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公开(公告)号：CN115925645A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211695383.X
申请日：2022-12-28
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： C07D251/70 , G03F7/004 , G03F7/038
摘要： 本申请提供一种交联剂及其制备方法、光刻胶，属于光刻技术领域。光刻胶包括溶质和第一溶剂，其中，溶质包括70wt％～95wt％碱溶性树脂、1wt％～30wt％光致产酸剂、0.1wt％～15wt％酸淬灭剂和5wt％～20wt％上述的交联剂，第一溶剂的质量为碱溶性树脂的质量的1倍～10倍。本申请的交联剂能够用于添加到光刻胶中，并使得光刻胶的基体树脂的交联反应更加均匀，减少或避免局部分子量太大引起的形貌缺陷，得到的图形线条边缘更加垂直，且窗口更大。
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