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公开(公告)号：CN104406998A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410637372.5
申请日：2014-11-06
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G01N23/20 , G01N23/225
Abstract: 本发明公开了一种确定元器件单粒子效应试验中的重离子LET值的方法,该方法屏蔽层数目不受限制，适应现代器件工艺条件下，金属布线层逐渐增多带来的屏蔽层数目超过8层的问题；可直接得到重离子经过多层屏蔽后在硅材料中的LET值，由于目前主流半导体工艺是基于硅衬底的，单粒子试验中的LET值均指重离子在硅中的LET值，直接输出该结果可避免非粒子物理专业试验人员错误计算LET值，确保了试验参数的正确性。
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公开(公告)号：CN109974526B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910355987.1
申请日：2019-04-29
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
Abstract: 一种基于组装盾的载人登月辐射防护方法，涉及深空探测技术领域；包括如下步骤：步骤一、将防护盾折叠后放入登月舱中的航天员睡眠舱中；步骤二、当航天员出舱在月球表面执行任务时，将防护盾从睡眠舱取下随身携带；步骤三、当航天员接收到地面站传来的辐射预警后；并根据辐射预警内容，判断是否打开防护盾对自身进行遮蔽防辐射处理；同时判断是否继续执行任务；步骤四、航天员实现自身辐射防护的同时，完成任务；本发明实现了航天员在月面出舱活动时进行便捷有效的应急防护，同时也可兼顾任务期内其他时段的辐射防护。
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公开(公告)号：CN112304365A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011026809.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明涉及一种在轨微小空间碎片多参数测量探头及测量方法，本发明属于空间碎片监测测量领域，涉及一种在轨被动微小碎片尺寸、速度、质量多个参数测量方法，用于航天器在轨空间碎片测量载荷。本发明的包括前后薄膜传感器、前后电荷收集电极、电荷测量放大器以及高频脉冲计数器。前后薄膜上镀有金属膜，前薄膜后、后薄膜前装有等间距电荷收集丝，收集电极与薄膜间加负直流电压，用于收集微小碎片撞击到前后薄膜产生的电荷信号。前后薄膜产生的电荷被收集电极收集，并由电荷放大器放大为电压脉冲信号，由高频脉冲计数器测量前后薄膜上的撞击信号的时间差，获得速度和方向信息。由电荷量信号获得撞击碎片能量，结合速度可以得到空间碎片的质量。
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公开(公告)号：CN109974526A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910355987.1
申请日：2019-04-29
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
Abstract: 一种基于组装盾的载人登月辐射防护方法，涉及深空探测技术领域；包括如下步骤：步骤一、将防护盾折叠后放入登月舱中的航天员睡眠舱中；步骤二、当航天员出舱在月球表面执行任务时，将防护盾从睡眠舱取下随身携带；步骤三、当航天员接收到地面站传来的辐射预警后；并根据辐射预警内容，判断是否打开防护盾对自身进行遮蔽防辐射处理；同时判断是否继续执行任务；步骤四、航天员实现自身辐射防护的同时，完成任务；本发明实现了航天员在月面出舱活动时进行便捷有效的应急防护，同时也可兼顾任务期内其他时段的辐射防护。
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公开(公告)号：CN104406998B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410637372.5
申请日：2014-11-06
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G01N23/20 , G01N23/225
Abstract: 本发明公开了一种确定元器件单粒子效应试验中的重离子LET值的方法,该方法屏蔽层数目不受限制，适应现代器件工艺条件下，金属布线层逐渐增多带来的屏蔽层数目超过8层的问题；可直接得到重离子经过多层屏蔽后在硅材料中的LET值，由于目前主流半导体工艺是基于硅衬底的，单粒子试验中的LET值均指重离子在硅中的LET值，直接输出该结果可避免非粒子物理专业试验人员错误计算LET值，确保了试验参数的正确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105893664A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610192270.6
申请日：2016-03-30
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明公开了一种系统级单粒子效应影响表征参数及评价方法：根据系统功能分析，建立以元器件为底事件的系统功能模型，结合元器件单粒子敏感性分析，建立系统单粒子效应影响功能模型；基于单粒子效应试验数据，计算分析敏感元器件的单粒子事件率，采用故障注入、重离子辐照试验法或系统历史数据分析方法确定系统各层次间单粒子效应影响传递因子；基于单粒子事件的叠加性原理，计算系统单粒子事件率；结合单粒子效应影响中断时间，计算系统单粒子效应危害度和可用性。本发明采用定量的方法表征单粒子效应对系统的影响，并评价系统单粒子效应的影响后果，该方法可用于指导系统级单粒子效应风险的量化控制。
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公开(公告)号：CN104461808B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410636120.0
申请日：2014-11-06
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G06F11/26
Abstract: 本发明公开了一种FPGA单粒子软错误影响评估方法，能够针对未采取防护措施的SRAM型FPGA的具体配置，综合考虑SRAM型FPGA的设计结构和资源占用量，获得了FPGA内部单元单粒子软错误故障的传递概率，并分析得到单粒子软错误对SRAM型FPGA的整体影响，使得卫星电子产品设计师能够掌握单粒子软错误对SRAM型FPGA的整体影响，有利于指导SRAM型FPGA的抗单粒子软错误设计。
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公开(公告)号：CN104764421A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510146078.9
申请日：2015-03-30
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G01B15/02
CPC classification number: G06F19/00
Abstract: 本发明涉及一种重离子加速器单粒子试验降能片厚度快速确定方法，步骤如下：根据加速器重离子类型和初始能量，确定重离子在硅中的初始射程；根据加速器重离子类型和要求的重离子LET值，确定对应的重离子在硅中的射程；根据重离子初始射程和与要求重离子LET值对应的重离子在硅中的射程，确定当降能片材料为硅时，屏蔽材料的厚度；确定硅材料厚度与降能片厚度的厚度转换系数；将硅材料的厚度转化为降能片的厚度。本发明快速确定降能片的厚度，节省了成本，提高了效率。
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公开(公告)号：CN115685307A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211201618.5
申请日：2022-09-29
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
Abstract: 一种基于粒子输运分析的月表中子来源的月壤深度追踪方法，包括：获取月球表面的高能粒子谱；建立粒子输运模型；根据高能粒子谱和粒子输运模型，向月壤模型发射初始粒子，进入月壤后与月壤相互作用形成事件和径迹；先形成初始轨迹记录，并传递给事件记录集；中子径迹按步进行输运，根据该作用造成中子的性质变化更新当前事件记录；中子在月壤中进行弹性碰撞运动，到中子输运结束，形成末尾径迹记录，将其传递给事件记录集；本事件全部输运结束，输出事件记录集中的全部信息；根据高能粒子谱统计得到月球表面不同能量中子所来源的月壤深度，为月表寻水钻取深度设计提供依据。
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公开(公告)号：CN110077629B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201910291477.2
申请日：2019-04-12
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: B64G1/54
Abstract: 本发明涉及一种利用人工磁场屏蔽航天器局部低能电子环境的方法及系统，属于空间辐射技术领域。本发明的技术方案为：根据螺线管线圈的匝数、电流等参数确定其磁场强度及空间分布；在航天器上不同位置设置一定数目的螺线管线圈，并分析在磁场作用下，航天器局部低能电子辐射环境的变化情况；调整螺线管线圈的参数、位置和布局，确保所关注的局部部位的低能电子辐射环境降低到可接受的水平。
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