基于单目序列图像的空间目标形状与运动自主估计方法

    公开(公告)号:CN114581484B

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202210118867.1

    申请日:2022-02-08

    Abstract: 一种基于单目序列图像的空间目标形状与运动自主估计方法,包括如下步骤:建立双目视觉测量的基本方程、空间目标点的三维重建方程、基于序列图像的目标运动状态测量方程;设定相机系到前一帧主轴系的转换矩阵等于单位阵,匹配相邻帧图像,得到目标惯性主轴坐标系在相邻帧成像时刻之间的变换矩阵;利用空间目标点的三维重建方程,获得目标特征点在左相机坐标系的位置向量集合和目标特征点在右相机坐标系的位置向量集合;然后统一前后相邻帧的尺度;重新确定目标特征点在左相机坐标系和右相机坐标系的位置向量集合;计算得到相邻帧之间的姿态四元数、自旋角速度和自旋轴方向;通过对目标选择一周的序列图像匹配与计算,即可获得目标的形状估计。

    一种可恢复状态域的受限系统可重构性包络确定方法

    公开(公告)号:CN111169666A

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN202010059763.9

    申请日:2020-01-19

    Abstract: 一种可恢复状态域的受限系统可重构性包络确定方法,属于空间技术领域。本发明通过理论分析与仿真验证,能够在时间与能量的约束条件下,给出航天器系统的最大可重构性包络,对受限系统实现可重构性的量化分析,并可用于优化航天器系统配置和容错控制算法,实现航天器系统健康状态的在轨监测与故障的自主处理,提升航天器系统的自主重构能力。本发明专利与现有方法相比,利用精细积分算法进行航天器系统可重构性包络的求解,具有精度高、计算量小、易于实现等优势,在实际应用中具有足够的灵活性与适用性。

    一种三模冗余防护结构FPGA单粒子翻转失效概率的评估方法

    公开(公告)号:CN104462658B

    公开(公告)日:2017-07-28

    申请号:CN201410638260.1

    申请日:2014-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种三模冗余防护结构FPGA单粒子翻转失效概率的评估方法,根据FPGA器件中划分的功能模块,将待评估的FPGA器件划分成多组,每个组包括三个具有相同比特位数的单元,由此模拟三模冗余防护结构,分别计算器件的单粒子本征翻转率和无防护时的失效率,最后得到带有三模冗余防护结构的失效概率,为抗单粒子效应的评估提供一套实用的理论方法,同时得到的失效概率能够真实反映三模冗余防护结果抗单粒子翻转性能。

    一种基于电路仿真的单粒子翻转效应判别方法

    公开(公告)号:CN104881519B

    公开(公告)日:2017-04-05

    申请号:CN201510217843.1

    申请日:2015-04-30

    Abstract: 一种基于电路仿真的单粒子翻转效应判别方法,结合空间重离子与SRAM器件的物理相互作用过程,建立理论模型。通过电路仿真的形式,获得SRAM器件电信号故障模式的响应结果,能够分析不同重离子类型、不同粒子入射倾角等条件下器件能否发生单粒子翻转效应。本发明方法不需要地面重离子试验,仅仅通过电路仿真的形式即可判定在空间辐射环境下,不同条件下的粒子能否引起电路发生单粒子翻转,判别方法直观简便。

    一种基于电路仿真的单粒子翻转效应判别方法

    公开(公告)号:CN104881519A

    公开(公告)日:2015-09-02

    申请号:CN201510217843.1

    申请日:2015-04-30

    Abstract: 一种基于电路仿真的单粒子翻转效应判别方法,结合空间重离子与SRAM器件的物理相互作用过程,建立理论模型。通过电路仿真的形式,获得SRAM器件电信号故障模式的响应结果,能够分析不同重离子类型、不同粒子入射倾角等条件下器件能否发生单粒子翻转效应。本发明方法不需要地面重离子试验,仅仅通过电路仿真的形式即可判定在空间辐射环境下,不同条件下的粒子能否引起电路发生单粒子翻转,判别方法直观简便。

    一种验证系统级单粒子软错误防护能力的故障注入装置

    公开(公告)号:CN104484255A

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201410720819.5

    申请日:2014-12-02

    Abstract: 本发明公开了一种验证系统级单粒子软错误防护能力的故障注入装置,设置在系统中故障注入目标单机与系统内其他单机之间;低频接口故障注入模块、高频接口故障注入模块根据故障用例库的记载对故障注入目标单机发给系统内其它单机的低频接口数据和高频接口数据进行故障注入;系统防护操作响应模块在监测到系统内其他单机向故障注入目标单机发送故障恢复操作数据时,通知故障注入控制模块停止故障注入操作;并控制低、高频接口故障注入模块做出响应。本发明具有通用性不需要针对不同对象的不同故障进行专门设计,大大减少了工作量;而且本发明加入了对故障恢复操作的响应,从而为从实时性、中断时间等指标上考核系统的故障防护能力提供了基础。

    一种确定元器件单粒子效应试验中的重离子LET值的方法

    公开(公告)号:CN104406998A

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201410637372.5

    申请日:2014-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种确定元器件单粒子效应试验中的重离子LET值的方法,该方法屏蔽层数目不受限制,适应现代器件工艺条件下,金属布线层逐渐增多带来的屏蔽层数目超过8层的问题;可直接得到重离子经过多层屏蔽后在硅材料中的LET值,由于目前主流半导体工艺是基于硅衬底的,单粒子试验中的LET值均指重离子在硅中的LET值,直接输出该结果可避免非粒子物理专业试验人员错误计算LET值,确保了试验参数的正确性。

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