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公开(公告)号：CN113917712A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111210037.3
申请日：2021-10-18
Applicant: 北京邮电大学 , 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及了一种可以消除铌酸锂热电效应的D型光纤M‑Z电光调制器。该调制器包括以下部分：光纤波导区、耦合区、调制区、消除热电效应区、平板波导区、D型光纤波导区。光经光纤波导区传输，逐渐耦合进入耦合区波导，分成两路经调制区波导后产生相位差，经耦合区干涉实现强度调制，并通过耦合区逐渐耦合进入光纤波导。消除热电效应区包裹于D型光纤波导区与平板波导区的Z面，形成回路，将M‑Z电光调制器工作过程中产生的热电荷对外加电场的影响消除掉，帮助器件散热，并有利于实现阻抗匹配，提高调制器效率，保障器件工作稳定。
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公开(公告)号：CN113296293A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110562864.2
申请日：2021-05-21
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开发明了一种基于超薄盖层的竖槽型石墨烯光调制器结构。本发明属于集成光子与硅基光子学领域。该调制器由上往下依次包括超薄盖层、双层石墨烯层、竖槽型光波导、衬底层。其中，竖槽型光波导由硅基波导和狭缝构成。本发明中采用非对称的波导结构设计，将竖槽型光波导厚度减薄的同时引入超薄盖层置于双层石墨烯的上层，可以更好地将光场限制在狭缝上的双层石墨烯层中，有效地提高光场与石墨烯的相互作用，从而提高器件调制效率。超薄盖层为一层硅波导，在制作上只需在双层石墨烯上生长一层硅，而不需要后续的波导结构工艺，因而大大的简化了器件的制作工艺。本发明提出的基于超薄盖层的竖槽型石墨烯光调制器具有调制速率高、结构紧凑、与CMOS兼容工艺简单等优点，可广泛应用于批量化、高速高密度硅基光电子集成系统中。
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公开(公告)号：CN109586146A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201910023024.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种太赫兹波发生器。该发生器包括衬底、N-型DBR反射镜、至少两个激光发射组件、钝化层、N-型电极、P-型电极、光栅层和非线性晶体；激光发射组件用于发射激光；N-型DBR反射镜沉积于衬底的任一端面上；每一激光发射组件沉积于每一凸起结构上；钝化层覆盖沉积在激光发射组件和N-型DBR反射镜表面上，且钝化层的第一部位处设有开口；非线性晶体相对开口、固定置于与开口相距预设距离的位置；N-型电极贯穿钝化层与N-型DBR反射镜电连接；P-型电极环绕开口、贯穿钝化层与激光发射组件电连接；且各个激光发射组件之间的连接方式为串联连接或并联连接。应用本发明实施例提供的发生器具有高的集成度。
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公开(公告)号：CN109192799A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811025273.6
申请日：2018-09-04
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明实施例提供了一种石墨烯-氧化亚铜量子点光电探测器及其制备方法。其中，所述石墨烯-氧化亚铜量子点光电探测器包括：铜衬底、氧化亚铜层、石墨烯层以及欧姆接触电极；所述氧化亚铜层处于所述铜衬底和所述石墨烯层之间；所述欧姆接触电极设置于所述石墨烯层表面。本发明实施例提供的石墨烯-氧化亚铜量子点光电探测器选用以铜作为石墨烯的衬底，将氧化亚铜层作为光吸收面，实现了光电信号的转换，并且石墨烯层、氧化亚铜层以及铜衬底均具有良好的柔性以及电学性质，与现有的集成电路工艺兼容性较好，同时有适用于可能发生较大形变电子设备的潜力，如柔性可穿戴电子设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118943231A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310537848.7
申请日：2023-05-12
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0312 , H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 发明名称一种基于六角氮化硼二维薄膜的4H‑SiC肖特基辐射探测器及其制备方法摘要本发明提供一种基于六角氮化硼薄膜的4H‑SiC肖特基辐射探测器，可通过六角氮化硼薄膜优化接触界面，进而提高载流子分离输运，提高探测器的器件性能。该射探测器衬底层为碳化硅，在所述衬底层的上表面依次覆盖碳化硅缓冲层、碳化硅灵敏层、六角氮化硼薄膜层、和碳化硅肖特基接触上电极，在所述衬底的下表面形成n型碳化硅欧姆接触下电极。其中的六角氮化硼薄膜作为二维材料，相较于其他体材料能提供均匀、低褶皱的表面，可减小表面界面电荷，优化碳化硅与石墨烯以及金属的接触界面，形成优异的肖特基接触结，进而提高载流子分离输运，提高探测器的器件性能。而且六角氮化硼耐高温、耐辐射等特性，使得器件整体在高温高辐射条件下仍保持良好的器件性能。
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公开(公告)号：CN113381293B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110453120.7
申请日：2021-04-26
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本公开实施例提供了一种贝塞尔光束发射器及贝塞尔光束发射器的制作方法，该贝塞尔光束发射器包括：有源层，有源层包括用于产生光束的发光子层；上分布反射镜层，上分布反射镜层位于有源层的一侧，上分布反射镜层包括偶数数量个第一折射率子层；下分布反射镜层，下分布反射镜层位于有源层的另一侧，下分布反射镜层包括偶数数量个第二折射率子层，第一折射率子层的数量小于第二折射率子层的数量；欧姆接触层，欧姆接触层位于上分布反射镜层的远离有源层的一侧，欧姆接触层用于连接电极；光束转换层，光束转换层位于欧姆接触层远离上分布反射镜层的一侧，有源层产生的光束能够进入光束转换层，光束转换层能够对光束进行转换得到贝塞尔光束。
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公开(公告)号：CN113285346A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110531795.9
申请日：2021-05-14
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于拓扑光子的半导体涡旋光激光器。本发明属于光电子器件领域。该激光器由上往下依次为：p电极层、p型欧姆接触层、二维光子拓扑结构层、折射率引导层、有源层、n型欧姆接触层和n电极层。其中，二维光子拓扑结构是由具有光子自旋‑轨道耦合效应光子晶体阵列构成，光子晶体由电压层和磁压层交替堆叠而成，通过上述二维光子拓扑结构对有源区内的光场相互作用，从而产生涡旋激光光束。本发明通过二维拓扑光子学结构来改变激光输出的自旋特性，有效地实现了高集成的涡旋激光输出。
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公开(公告)号：CN110989216B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201911401292.9
申请日：2019-12-30
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种新型石墨烯光调制器结构设计。本发明属于集成光子与硅基光子学领域。新型石墨烯光调制器结构包括衬底层，人工超材料波导层，双层石墨烯层，超薄光波导层，低折射率盖层和电极。其中人工超材料波导层由高折射率材料和低折射率材料交替构成；双层石墨烯层由两层石墨烯和电介质填充层构成。本发明将人工超材料结构作为光波导结构的一部分，可以有效地调节光场的分布，增强石墨烯与光的相互作用，从而提高调制的深度和调制效率，同时通过控制倏逝波来减小器件间干扰提高器件的集成密度。该器件具有工作带宽大，调制速率高及结构紧凑等优点，对构建大带宽、高密度集成、高速的片上系统提供了一种有效的解决方案。
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公开(公告)号：CN110989216A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911401292.9
申请日：2019-12-30
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种新型石墨烯光调制器结构设计。本发明属于集成光子与硅基光子学领域。新型石墨烯光调制器结构包括衬底层，人工超材料波导层，双层石墨烯层，超薄光波导层，低折射率盖层和电极。其中人工超材料波导层由高折射率材料和低折射率材料交替构成；双层石墨烯层由两层石墨烯和电介质填充层构成。本发明将人工超材料结构作为光波导结构的一部分，可以有效地调节光场的分布，增强石墨烯与光的相互作用，从而提高调制的深度和调制效率，同时通过控制倏逝波来减小器件间干扰提高器件的集成密度。该器件具有工作带宽大，调制速率高及结构紧凑等优点，对构建大带宽、高密度集成、高速的片上系统提供了一种有效的解决方案。
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