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公开(公告)号：CN118281130A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410306005.0
申请日：2024-03-18
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于半导体发光薄膜制备领域，公开了一种用于白光发射的Mn2+掺杂CsEuI3薄膜及其制备方法，该薄膜为Mn2+掺杂CsEuI3薄膜，薄膜中对应的CsI:EuI2:MnI2的摩尔比为1:1:(0.001～0.1)。本发明通过对薄膜的组成进行改进，向CsEuI3薄膜中引入Mn2+掺杂，并将掺杂比例控制为CsI:EuI2:MnI2摩尔比1:1:(0.001～0.1)，得到的Mn掺杂全无机钙钛矿结构白光发射薄膜(即CsEuI3:Mn2+薄膜)，除了具有白光发射且无毒的特点，还具有工作寿命长的特点，能够在长期工作下光谱形状保持不变。并且，本发明可通过三源共蒸发沉积方法得到上述CsEuI3:Mn2+薄膜，制备方法操作简易、工艺重复性高、生产效率高，适用于大规模产业化生产。
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公开(公告)号：CN112103396B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202011052262.4
申请日：2020-09-29
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于电致发光领域，公开了一种电致蓝光薄膜器件及其制备方法，其发光层材料的组分满足A2(BEuX3)n‑1EuX4，其中，A为长链或含有苯环的有机阳离子或其组合；B为有机阳离子、碱金属离子中的一种或多种离子任意比例的组合；Eu为二价铕离子；X为Cl、Br、I中的一种或多种卤素离子任意比例的组合；n取大于1的任意值。本发明通过对发光层材料及其薄膜制备工艺进行改进，采用含有二价铕离子的有机‑无机杂化结构作为发光层材料，相应得到的p‑n结型电致蓝光薄膜器件，通过施加低场直流电可实现蓝光发射，其蓝光峰位标准(440nm‑470nm)，光谱稳定性好，半峰宽窄，辐射效率高；并且，器件结构简单，工艺简便，设备投入低，兼容现有的集成电路工艺，可实现全彩化显示。
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公开(公告)号：CN113488596A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110741110.3
申请日：2021-06-30
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于光电器件领域，公开了一种Ce3+基卤化物电致发光器件，自上而下依次包括顶电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和底电极，其中，所述发光层采用的材料为Ce3+基卤化物材料，其结构通式为AmCenXk，其中A为Na，K，Rb，Cs中的一种或多种，X为Cl，Br，I中的一种或多种，Ce的化学价态为+3，m+3n＝k；该类Ce基卤化物材料具有高效光致发光效率、优良的热稳定性和较短的激发态寿命，可用于电致发光器件。所述空穴传输层和电子传输层分别用于将空穴和电子注入到发光层中。该电致发光器件具有制备工艺简单、成本更低、毒性低的特点。
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公开(公告)号：CN112457843A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011328007.8
申请日：2020-11-24
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于晶体材料应用技术领域，公开了卤化物钙钛矿材料在高能射线探测中的应用及其制备方法，其中的应用是将卤化物钙钛矿材料在高能射线探测中的应用，该卤化物钙钛矿材料的化学式为PEA2PbBrxCl(4‑x)，其中，PEA代表苯乙胺，x为满足4≥x≥0的任意实数；所述高能射线的能量>1keV。本发明通过对钙钛矿材料的组成、结构进行改进，采用特定组成的卤化物钙钛矿材料PEA2PbBrxCl(4‑x)应用于高能射线探测，利用卤素钙钛矿优异的发光性质，可以将高能射线高效转化成可探测的可见光信号，同时发光寿命短，从而可用于PET和CT等高能射线成像中。
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公开(公告)号：CN108649128A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810388893.X
申请日：2018-04-27
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种单组分电致白光器件及其制备方法，该器件是以单组分的钙钛矿材料作为发光活性层，通过传输层电注入载流子，在活性层产生受限激子态的发光，其电致发光光谱可覆盖整个可见光区域。本发明通过引入一种新的机理进入电致白光领域，与现有技术相比制备工艺简单，仅需一个发光层即可实现宽光谱白光，并能够有效解决现有电致白光光谱不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN106711272B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201611071705.8
申请日：2016-11-29
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G01T1/24
CPC分类号： H01L31/032 , H01L31/10 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于Bi基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器及其制备方法，涉及半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。所述的半导体辐射探测器结构包括以Bi基四元卤化物单晶作为射线吸光层，电子选择性接触选择层，空穴选择性接触层，分别贴合在所述吸光层的两面，两个电极分别与两个选择性电荷接触层接触，作为器件的正极和负极。本发明的半导体辐射探测器具备高灵敏度，环境友好，稳定等优点。
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公开(公告)号：CN116199634A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310141554.2
申请日：2023-02-21
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： C07D235/12 , A61B6/03 , C07C209/00 , C07C211/07 , C07C211/27 , C09K11/06
摘要： 本发明公开了一种制备二维钙钛矿闪烁体和PET设备的方法。将BX2和AX溶解在有机溶剂中，在室温下混合8～24h，得到A2BX4前驱体溶液；其中，B为二价金属阳离子，X为卤素阴离子，A为有机长链胺；从A2BX4前驱体溶液中生长得到二维钙钛矿晶体。由于二维钙钛矿闪烁体的成本较低，仅2.09元/g(LYSO:Ce的成本约15元/g)，根据测算，每台PET设备需要的闪烁体重量约160Kg，故节省了大量闪烁体成本。二维钙钛矿闪烁体的光产额更高，比如苯乙胺铅溴(PEA2PbBr4)光产额约38800photons/MeV，高于LYSO:Ce的33200photons/MeV，因而提高了探测效率。二维钙钛矿闪烁体的衰减时间比LYSO更短，因而缩短了二维钙钛矿闪烁体的符合时间，二维钙钛矿闪烁体实测的符合时间比LYSO:Ce的符合时间更短，因而也提高了PET图像重建的精度。
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公开(公告)号：CN112467515A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011256036.8
申请日：2020-11-11
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于光电器件领域，公开了一种深蓝光激光器，该激光器是以铕基卤化物材料作为增益介质，利用该增益介质的荧光特性，通过谐振腔的选模作用，能够实现激光器输出激光波长在深蓝光波段发射。本发明首次使用铕基卤化物材料作为增益介质，利用铕基卤化物发光效率高、发光纯度高等特点，通过谐振腔的选模作用，能够实现低阈值、高效率的深蓝光激光器，可广泛应用于彩色显示、白光照明、高密度数据存储、生物医学、水下通讯等领域。
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公开(公告)号：CN112103396A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011052262.4
申请日：2020-09-29
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于电致发光领域，公开了一种电致蓝光薄膜器件及其制备方法，其发光层材料的组分满足A2(BEuX3)n‑1EuX4，其中，A为长链或含有苯环的有机阳离子或其组合；B为有机阳离子、碱金属离子中的一种或多种离子任意比例的组合；Eu为二价铕离子；X为Cl、Br、I中的一种或多种卤素离子任意比例的组合；n取大于1的任意值。本发明通过对发光层材料及其薄膜制备工艺进行改进，采用含有二价铕离子的有机‑无机杂化结构作为发光层材料，相应得到的p‑n结型电致蓝光薄膜器件，通过施加低场直流电可实现蓝光发射，其蓝光峰位标准(440nm‑470nm)，光谱稳定性好，半峰宽窄，辐射效率高；并且，器件结构简单，工艺简便，设备投入低，兼容现有的集成电路工艺，可实现全彩化显示。
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