一种复相陶瓷铸型的激光选区快速成型方法及其产品

    公开(公告)号:CN109734425B

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN201910126347.3

    申请日:2019-02-20

    IPC分类号: C04B35/10 C04B35/622

    摘要: 本发明属于陶瓷制备领域,并公开了一种复相陶瓷铸型的激光选区快速成型方法及其产品,该方法包括如下步骤:将不同粒径的Al2O3粉体与环氧树脂E12充分混合后获得Al2O3‑E12复合粉末,利用该粉末进行选择性激光烧结(SLS)快速成型,得到Al2O3‑E12铸型生坯,表面清粉后在真空下进行硅溶胶浸渗处理,然后对其脱脂和预烧得到Al2O3‑SiO2陶瓷铸型生坯,再次在真空下对其进行硅溶胶浸渗处理,最后高温烧结制得所述复相陶瓷铸型。本发明仅需采用简单的机械混合即能确保原料粉体具有良好的流动性能和SLS成型性能,并且通过引入二次硅溶胶真空浸渗工艺,在确保尺寸精度的同时提升所得陶瓷铸型的致密度。

    一种IC装备用静电卡盘AlN陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN111302806A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN202010110066.1

    申请日:2020-02-23

    摘要: 本发明属于陶瓷制备领域,并具体公开了一种IC装备用静电卡盘AlN陶瓷及其制备方法。该制备方法具体为:将AlN、Sm2O3的混合粉末或AlN、Y2O3的混合粉末与有机溶剂混合,并利用湿法球磨工艺进行研磨,以此获得混合浆料;采用蒸馏的方式将混合浆料进行固液分离获得干燥粉末;对干燥粉末进行放电等离子烧结,从而制得IC装备用静电卡盘AlN陶瓷。本发明采用Sm2O3或Y2O3作为烧结助剂,能够保证制得陶瓷中形成一种或多种稀土铝酸盐,从而有效改善其体积电阻率,同时本发明采用的放电等离子烧结工艺能够极大地缩短烧结时间,有效提高AlN陶瓷的相对密度,以此满足IC装备用静电卡盘的基材要求。

    一种复相陶瓷铸型的激光选区快速成型方法及其产品

    公开(公告)号:CN109734425A

    公开(公告)日:2019-05-10

    申请号:CN201910126347.3

    申请日:2019-02-20

    IPC分类号: C04B35/10 C04B35/622

    摘要: 本发明属于陶瓷制备领域,并公开了一种复相陶瓷铸型的激光选区快速成型方法及其产品,该方法包括如下步骤:将不同粒径的Al2O3粉体与环氧树脂E12充分混合后获得Al2O3-E12复合粉末,利用该粉末进行选择性激光烧结(SLS)快速成型,得到Al2O3-E12铸型生坯,表面清粉后在真空下进行硅溶胶浸渗处理,然后对其脱脂和预烧得到Al2O3-SiO2陶瓷铸型生坯,再次在真空下对其进行硅溶胶浸渗处理,最后高温烧结制得所述复相陶瓷铸型。本发明仅需采用简单的机械混合即能确保原料粉体具有良好的流动性能和SLS成型性能,并且通过引入二次硅溶胶真空浸渗工艺,在确保尺寸精度的同时提升所得陶瓷铸型的致密度。