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公开(公告)号：CN102347408B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110328387.X
申请日：2011-10-26
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了 GaN基双蓝光波长发光器件及其制备方法。其目的在于解决单蓝光芯片激发黄光荧光粉封装出的白光LED的显色性不足的问题。该GaN基双蓝光波长LED外延片的结构从衬底开始，依次为GaN缓冲层、GaN本征层、n-GaN层、反对称n-AlGaN层、高In组分量子阱、低In组分量子阱和p-GaN层，其特点是在混合多量子阱活性层和n-GaN之间引入反对称n-AlGaN层，同时移去p-GaN侧的p-AlGaN电子阻挡层。并将这种双蓝光波长芯片与黄光荧光粉封装成白光LED。
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公开(公告)号：CN102082214A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010563394.3
申请日：2010-11-29
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种GaN基LED半导体芯片的制备方法。本发明GaN基LED半导体芯片是利用AlInN材料的湿法刻蚀性质，对常规GaN基LED结构中插入一层AlInN牺牲层，实现蓝宝石沉底和外延层的分离，结合芯片粘合技术、电镀等，将GaN外延层转移到电导率、热导率高的铜衬底上，得到GaN基LED半导体芯片。本发明方法制得的GaN基LED半导体芯片光输出功率显著提高，电学性能、发光性能和结构性能明显改善，制作成本低，简单易行，彻底解决了蓝宝石衬底给器件带来的不利影响，适于在LED领域或半导体器件制备中推广使用。
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公开(公告)号：CN101702419A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910193476.0
申请日：2009-10-30
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种GaN基LED芯片结构中p-GaN层或ITO层的表面粗化方法。该方法包括如下步骤：(1)在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、n-GaN层、多量子阱层、p-GaN层的层叠式结构和蒸镀ITO电流扩展层；(2)制备单层镍纳米粒子作为掩模，在p-GaN层或ITO层表面制作粗化结构。本发明方法步骤简单，成本低，粗化效果好；通过本发明方法对GaN基LED的p-GaN层或ITO层进行表面粗化，可以抑制芯片内光子的全反射，提高器件的出光效率。
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公开(公告)号：CN118867010A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410886711.7
申请日：2024-07-03
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/0392 , H01L31/109 , H01L31/18 , G06N3/084 , G06F17/16
Abstract: 本发明提供了一种具有双向光调制的光电突触器件、制备方法及其应用，所述器件基于γ‑石墨二炔和ZnO异质结构成，可实现正光电响应和负光电响应，包括一个铺设在云母衬底上的ZnO薄膜，该硅衬底表面覆盖一层γ‑石墨二炔薄膜，在γ‑石墨二炔薄膜导电层上，覆盖有两个电极，其中第一电极作为供能电极，第二电极作为输出电极，在这两个电极之间施加一个恒定的偏压，并通过照射不同波长的激光光束到沟道上，来操控器件的性能，使器件呈现正向和反向光电响应。该视觉传感器在紫外、可见光、红外波段范围内均有着较好的光响应度，扩宽了光波的响应范围。基于此，本发明实现了光电突出器件在光学逻辑门、图像处理、神经形态计算等方面的应用。
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公开(公告)号：CN109652071B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201811261426.7
申请日：2018-10-26
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种红光发射碳量子点及其家用微波制备方法。该方法包括如下步骤：将柠檬酸铵分散在丙三醇溶剂中，加热搅拌形成溶液，加入甲酰胺，搅拌均匀；放入家用微波炉加热反应，冷却至室温，加入无水乙醇混匀，离心取沉淀，将沉淀分散在无水乙醇中，通过滤头得到初步提纯碳量子点，再进行硅胶柱层析二次提纯得到所述红光发射碳量子点溶液。该红光量子点溶液的发射波长在650 nm，荧光量子效率达23%，具有荧光激发独立的发光特性，在近紫外激发仍处于红光发射。本发明提供的方法具有操作简单、绿色环保、成本低、产量高等优点，得到的碳量子点尺寸均一、纯度高、荧光稳定、无毒无污染特性，在生物医学、光电器件方面具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN114023875A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111180823.3
申请日：2021-10-11
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明涉及人工视觉系统及其制备方法，涉及新型微纳电子材料及功能器件领域。该人工视觉系统包括一种基于光电忆阻器的视觉传感器，所述光电忆阻器包括第一电极、第二电极和AlOx/MLG薄膜介质层，所述AlOx/MLG薄膜介质层夹在第一电极和第二电极之间。该光电忆阻器以AlOx/MLG为中间介质，能够在超低电压下实现双极性光电响应，以此为基础可以实现可重构的光电突触可塑性，为进一步集成以对光信息灵活处理奠定了基础。
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公开(公告)号：CN107808931B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201710861996.9
申请日：2017-09-21
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了TADF材料敏化的多层结构量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管（QD‑LEDs）由阳极至阴极依次包括透明衬底、透明导电薄膜阳极、空穴注入/阳极修饰层、TADF掺杂空穴传输层、量子点活性层、电子传输层和金属阴极。本发明通过在空穴注入/阳极修饰层与量子点活性层之间插入TADF材料掺杂PVK作为空穴传输与TADF敏化层，形成激子捕获层，实现空穴传输与TADF材料激子收集及其向量子点活性层之间的界面能量转移，改善空穴注入，提高量子点发光二极管的效率；同时，全溶液法加工制备TADF敏化多层结构QD‑LEDs，有利于大面积的QD‑LEDs的制备，与热蒸镀方式相比，具有制备简单、成本低的优势。
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公开(公告)号：CN107452884B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201710539426.8
申请日：2017-07-04
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了全溶液加工的磷光分子敏化多层结构量子点发光二极管及其制备方法。该磷光分子敏化多层结构量子点发光二极管由下至上依次包括透明衬底、透明导电薄膜阳极、空穴注入和阳极修饰层、磷光分子掺杂空穴传输层、量子点活性层、电子传输层和金属阴极。本发明采用正交溶剂法，通过在空穴注入和阳极修饰层与量子点活性层之间旋涂一层磷光分子掺杂PVK作为空穴传输与磷光分子敏化层，实现空穴传输与磷光分子敏化层和量子点活性层之间有效的界面能量转移，改善空穴注入，提高量子点发光二极管的效率。本发明制备方法有利于大面积的量子点发光二极管的制备，与热蒸镀方式相比，具有制备简单、成本低的优势。
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公开(公告)号：CN109755357A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811578919.3
申请日：2018-12-24
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种量子点LED封装结构及封装方法，所述封装结构包括：蓝光LED芯片；用于固定所述蓝光LED芯片的条形基板；连接所述蓝光LED芯片和条形基板的电极；固化在所述蓝光LED芯片上表面的AB胶隔热层；固化在所述AB胶隔热层上表面的量子点层；固化在所述量子点层上表面的AB胶保护层；包覆所述蓝光LED芯片、电极、AB胶隔热层、量子点层和AB胶保护层并与条形基板对上述部件进行密封的PMMA透镜封装层；设置在所述条形基板上并将每个蓝光LED芯片串联的共用电极。本发明通过设置透镜封装层以及双层保护胶层，能够阻挡外界水氧对量子点层与LED芯片的侵袭，为量子点提供了一个隔绝水氧的环境，有利于提高量子点的发光效率与使用寿命。
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公开(公告)号：CN107256741B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201710345105.4
申请日：2017-05-16
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种溶剂蒸发退火增强金属纳米线透明导电薄膜性能的方法。该方法利用金属纳米线表面配体PVP一般易溶于极性溶剂的特点，通过低沸点的醇类溶剂蒸发退火方法来去除金属纳米线表面配体PVP，减小金属纳米线间的接触电阻，达到降低金属纳米线透明导电薄膜的方块电阻的目的。本发明方法工艺过程简单、成本低，可通过调节溶剂蒸发退火时间，实现对金属纳米线间接触电阻大小的调节，实现对金属纳米线透明导电薄膜方块电阻的调控；处理后的金属纳米线透明导电薄膜，相比未经处理的初始金属纳米线透明导电薄膜，方块电阻降低了8%~50%。
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