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公开(公告)号：CN104093802B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201380006924.6
申请日：2013-02-12
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/00 , C09J201/00 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/6836 , C08L2203/206 , C09J7/385 , H01L21/304 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , C08F2220/325 , C08F2220/1858 , C08F220/06 , C08F220/14
Abstract: 一种半导体晶片表面保护用粘合带，其中，在基材膜上具有压敏型粘合剂的粘合剂层，该粘合剂层的厚度为10μm以上，该粘合剂层表面的表面自由能γs为30～35mN/m，对二碘甲烷的接触角θlI为54°～60°，在23℃对SUS280抛光面的粘合力为0.8～4.3N/25mm，且在50℃的加热剥离时的对SUS280抛光面的粘合力相对于在23℃的剥离时的粘合力为50％以下。
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公开(公告)号：CN103733316B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380002367.0
申请日：2013-05-21
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J7/02 , C09J133/08
CPC classification number: C09J133/08 , C09J7/245 , C09J7/385 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体加工用表面保护粘着带，其于基材上具有粘着剂层，其中，该粘着带的探针粘附力B为0.08～0.20(MPa)，且该粘着带的粘着力A(N／25mm)与探针粘附力B(MPa)之比C(A／B)为10(N／25mm／MPa)以上。
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公开(公告)号：CN113675131A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110960126.3
申请日：2016-11-07
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/304 , H01L21/308 , H01L21/52 , H01L21/67 , H01L21/76 , H01L21/78 , B23K26/351 , B23K26/362 , C09J201/00 , C09J7/20
Abstract: 本发明涉及半导体芯片的制造方法和用于该制造方法的掩模一体型表面保护带。一种半导体芯片的制造方法，其包括下述工序(a)～(d)。(a)在将掩模一体型表面保护带贴合于半导体晶片的图案面侧的状态下，对半导体晶片的背面进行磨削，将晶片固定带贴合于磨削后的背面，利用环形框进行固定的工序；(b)剥离表面保护带而使掩模材料层露出于表面后，使半导体晶片的切割道开口的工序；(c)通过等离子体照射而使半导体晶片单片化为芯片的等离子体切割工序；和(d)通过等离子体照射去除上述掩模材料层的灰化工序。
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公开(公告)号：CN107533964B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201680024338.8
申请日：2016-11-07
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/351 , H01L21/304 , H01L21/3065
Abstract: 一种掩模一体型表面保护膜，其为具有基材膜和设置于该基材膜上的掩模材料层的掩模一体型表面保护膜，其特征在于，上述掩模材料层为乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物树脂、乙烯‑丙烯酸甲酯共聚物树脂或乙烯‑丙烯酸丁酯共聚物树脂，上述掩模材料层的厚度为50μm以下。
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公开(公告)号：CN110073470A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201880005072.1
申请日：2018-03-07
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L21/304
Abstract: 一种半导体加工用胶带，其为由基材和设置于该基材的单面的粘合剂层构成的胶带，其特征在于，上述基材由多层结构构成，该多层结构的至少1层为含有80质量％以上环状烯烃聚合物的层A，除该层A之外还具有含有线性低密度聚乙烯或高密度聚乙烯的层B。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104185896B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201380012313.2
申请日：2013-03-12
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J7/02
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/29 , C09J2201/162 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/114 , C09J2423/046 , C09J2423/106 , C09J2431/006 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
Abstract: 本发明涉及半导体晶片表面保护用胶带，其中，在基材膜上具有粘合剂层，基材膜的总厚度为50μm～200μm，高弹性模量层厚度：低弹性模量层厚度之比为1：9～5：5，高弹性模量层配置在粘合剂层的背面，且为由聚丙烯或直链状的聚乙烯构成的厚度10μm以上的层，低弹性模量层由乙酸乙烯酯含有率为5质量％～20质量％、MFR为0.8g/10min～10g/10min的乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物构成，粘合剂层的厚度为10μm～50μm，在50℃加热剥离时相对于SUS280研磨面的粘合力或500mJ的紫外线照射后的粘合力中的任一者为1.0N/25mm以下、且为未加热时或未照射紫外线时的粘合力的50％以下。
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公开(公告)号：CN106104767A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580015094.2
申请日：2015-03-20
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J7/02 , C09J201/00
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/38 , C09J7/385 , C09J201/00 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
Abstract: 本发明涉及半导体晶片加工用胶带和半导体晶片的加工方法，该半导体晶片加工用胶带(10)贴合至表面具有高度为80μm以上的凹凸的半导体晶片而用于对该半导体晶片的背面进行磨削的工序，其中，在基材膜(1)上具有粘合剂层(3)，该粘合剂层(3)的厚度为所述半导体晶片表面的凹凸高度的25％～90％，且所述粘合剂层的厚度为所述半导体晶片加工用胶带(10)整体的厚度的25％以下。
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公开(公告)号：CN104093802A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380006924.6
申请日：2013-02-12
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/00 , C09J201/00 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/6836 , C08L2203/206 , C09J7/385 , H01L21/304 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , C08F2220/325 , C08F2220/1858 , C08F220/06 , C08F220/14
Abstract: 一种半导体晶片表面保护用粘合带，其中，在基材膜上具有压敏型粘合剂的粘合剂层，该粘合剂层的厚度为10μm以上，该粘合剂层表面的表面自由能γs为30～35mN/m，对二碘甲烷的接触角θlI为54°～60°，在23℃对SUS280抛光面的粘合力为0.8～4.3N/25mm，且在50℃的加热剥离时的对SUS280抛光面的粘合力相对于在23℃的剥离时的粘合力为50％以下。
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公开(公告)号：CN103733316A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201380002367.0
申请日：2013-05-21
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J7/02 , C09J133/08
CPC classification number: C09J133/08 , C09J7/245 , C09J7/385 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体加工用表面保护粘着带，其于基材上具有粘着剂层，其中，该粘着带的探针粘附力B为0.08～0.20(MPa)，且该粘着带的粘着力A(N/25mm)与探针粘附力B(MPa)之比C(A/B)为10(N/25mm/MPa)以上。
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公开(公告)号：CN110546739B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201980001937.1
申请日：2019-01-09
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/351 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J133/00 , C09J163/00 , C09J175/04 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/3065
Abstract: 在半导体晶片(1)的磨削后，使半导体晶片晶片(1)固定于静电夹头(9)。接着，在贴合有表面保护带(3)的状态下，在经磨削的半导体晶片(1)的背面(B)形成掩模材料层。接着，从背面(B)侧，对与在图案面(2)适宜形成为格子状等的多个切割道相当的部分照射激光，切断掩模带(11)，将半导体晶片(1)的切割道开口。接着，从背面(B)侧照射SF6等离子体，对在切割道部分露出的半导体晶片(1)进行蚀刻。接着，利用O2等离(1)的表面(S)侧与静电夹头(9)相向，将半导体(56)对比文件CN 107210207 A,2017.09.26CN 107210204 A,2017.09.26CN 103865416 A,2014.06.18CN 107452596 A,2017.12.08
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