公开(公告)号：CN102754200B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201080054015.6

申请日：2010-12-21

申请人： 古河电气工业株式会社

发明人： 横井启时 ,  冈祥文 ,  矢野正三

IPC分类号： H01L21/683 ,  C09J5/02 ,  C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/6836 ,  C08G18/6229 ,  C08G18/6254 ,  C09J7/20 ,  C09J133/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2433/003 ,  C09J2467/006 ,  C09J2475/003 ,  H01L2221/6834

摘要： 本发明涉及半导体晶片表面保护用胶带，其具有基材树脂膜和隔着中间树脂层位于该基材树脂膜上的直接粘合剂层，所述中间树脂层是由含有丙烯酸聚合物和/或聚氨酯丙烯酸酯的基础树脂成分交联而成的，其中，在特定的条件下对该半导体晶片表面保护用胶带进行测定，由测得的环刚度的负载荷重求出反弹力α，反弹力α为13mN/mm以下，每单位宽度的反弹力α除以基材厚度β的平方所得到的反弹系数γ为100mN/mm3以上，并且，纵向与横向的拉伸断裂伸长率之差为35%以下。

公开(公告)号：CN113675131A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110960126.3

申请日：2016-11-07

申请人： 古河电气工业株式会社

发明人： 横井启时 ,  内山具朗 ,  冈祥文

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/304 ,  H01L21/308 ,  H01L21/52 ,  H01L21/67 ,  H01L21/76 ,  H01L21/78 ,  B23K26/351 ,  B23K26/362 ,  C09J201/00 ,  C09J7/20

摘要： 本发明涉及半导体芯片的制造方法和用于该制造方法的掩模一体型表面保护带。一种半导体芯片的制造方法，其包括下述工序(a)～(d)。(a)在将掩模一体型表面保护带贴合于半导体晶片的图案面侧的状态下，对半导体晶片的背面进行磨削，将晶片固定带贴合于磨削后的背面，利用环形框进行固定的工序；(b)剥离表面保护带而使掩模材料层露出于表面后，使半导体晶片的切割道开口的工序；(c)通过等离子体照射而使半导体晶片单片化为芯片的等离子体切割工序；和(d)通过等离子体照射去除上述掩模材料层的灰化工序。

公开(公告)号：CN107533964B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201680024338.8

申请日：2016-11-07

申请人： 古河电气工业株式会社

发明人： 横井启时 ,  内山具朗 ,  冈祥文

IPC分类号： H01L21/301 ,  B23K26/351 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065

摘要： 一种掩模一体型表面保护膜，其为具有基材膜和设置于该基材膜上的掩模材料层的掩模一体型表面保护膜，其特征在于，上述掩模材料层为乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物树脂、乙烯‑丙烯酸甲酯共聚物树脂或乙烯‑丙烯酸丁酯共聚物树脂，上述掩模材料层的厚度为50μm以下。

公开(公告)号：CN106104767A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580015094.2

申请日：2015-03-20

申请人： 古河电气工业株式会社

发明人： 冈祥文 ,  内山具朗

IPC分类号： H01L21/304 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00

CPC分类号： H01L21/6836 ,  C09J7/38 ,  C09J7/385 ,  C09J201/00 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

摘要： 本发明涉及半导体晶片加工用胶带和半导体晶片的加工方法，该半导体晶片加工用胶带(10)贴合至表面具有高度为80μm以上的凹凸的半导体晶片而用于对该半导体晶片的背面进行磨削的工序，其中，在基材膜(1)上具有粘合剂层(3)，该粘合剂层(3)的厚度为所述半导体晶片表面的凹凸高度的25％～90％，且所述粘合剂层的厚度为所述半导体晶片加工用胶带(10)整体的厚度的25％以下。

公开(公告)号：CN104781912A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201380058726.4

申请日：2013-11-19

申请人： 古河电气工业株式会社

发明人： 横井启时 ,  冈祥文 ,  青山真沙美

IPC分类号： H01L21/301 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/6836 ,  C09J7/243 ,  C09J7/385 ,  C09J2203/326 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381

摘要： 本发明提供一种高精度且简单地制造半导体芯片的方法；及用于上述方法的薄膜研磨用表面保护带，半导体芯片的制造中，进行用于倒装芯片安装工序的具有凸块电极的半导体晶片的背面研磨，同时或者在其后的工序进行芯片化，其中不使用底部填充剂。本发明为一种半导体芯片的制造方法及使用于该方法的薄膜研磨用表面保护带，该半导体芯片的制造方法中，对于形成有半导体电路的半导体晶片，且具有凸块作为电极的附有凸块的晶片内形成改质层后，研磨该半导体晶片的背面，并成批分割成各个芯片，所述制造方法具有如下工序：在形成该改质层后且研磨该半导体晶片的背面之前，将基材膜上具有黏着剂层的黏着带的黏着剂层上层积有粘接膜的薄膜研磨用表面保护带，以上述粘接膜侧贴附于半导体晶片的形成有半导体电路的那侧；和在研磨该半导体晶片的背面后进行拾取时或者转印至拾取用的带时，设置成仅该粘接膜粘接于芯片的状态。

公开(公告)号：CN102754200A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201080054015.6

申请日：2010-12-21

申请人： 古河电气工业株式会社

发明人： 横井启时 ,  冈祥文 ,  矢野正三

IPC分类号： H01L21/683 ,  C09J5/02 ,  C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/6836 ,  C08G18/6229 ,  C08G18/6254 ,  C09J7/20 ,  C09J133/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2433/003 ,  C09J2467/006 ,  C09J2475/003 ,  H01L2221/6834

摘要： 本发明涉及半导体晶片表面保护用胶带，其具有基材树脂膜和隔着中间树脂层位于该基材树脂膜上的直接粘合剂层，所述中间树脂层是由含有丙烯酸聚合物和/或聚氨酯丙烯酸酯的基础树脂成分交联而成的，其中，在特定的条件下对该半导体晶片表面保护用胶带进行测定，由测得的环刚度的负载荷重求出反弹力α，反弹力α为13mN/mm以下，每单位宽度的反弹力α除以基材厚度β的平方所得到的反弹系数γ为100mN/mm3以上，并且，纵向与横向的拉伸断裂伸长率之差为35%以下。