公开(公告)号：CN222690679U

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202421221143.0

申请日：2024-05-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  戴世芃 ,  黄友怡 ,  郭佑豪

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 一种封装结构，包括具有第一表面和第二表面的基底。第二表面相对于第一表面。此封装结构包括形成在基底中的多个基底通孔(TSV)结构。基底通孔结构的宽度从第一表面向第二表面逐渐缩小。封装结构包括接合至基底的第一表面的芯片。封装结构亦包括接合到基底的第一表面并且邻接于芯片的多个晶粒。封装结构还包括形成在芯片和晶粒之间的成型材料。此外，封装结构包括连接至第二表面上的基底通孔结构的多个凸块结构。

公开(公告)号：CN221102061U

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202322506061.2

申请日：2023-09-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余国宠 ,  林家慧 ,  戴世芃

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/50 ,  H01L23/52

Abstract: 一种封装体，包含第一装置及附接于第一重分布结构的第二装置。第二装置包含第二重分布结构、设置于第二重分布结构上方的第一裸片、沿着第一裸片的侧壁延伸的第一封装胶、延伸穿过第一封装胶的第一通孔、设置于第一封装胶上方并包含连接至第一通孔的第一金属化图案的第三重分布结构、设置于第三重分布结构上方的第二裸片及沿着第二裸片的侧壁延伸的第二封装胶，第一裸片和第二置裸片没有基板通孔。封装体也包含设置于第一重分布结构上方并围绕第一半导体装置与第二半导体装置的侧壁的第三封装胶。第二封装胶的顶面与第三封装胶的顶面齐平。

公开(公告)号：CN220934056U

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202322346983.1

申请日：2023-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄友怡 ,  王伟民 ,  陈承 ,  余国宠 ,  林瑀宏 ,  戴世芃

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485

Abstract: 一种封装体，包含第一晶圆，包含第一基板；至少一第一介电层，于第一基板上方；第一密封层，于第一晶圆的第一边缘区；以及第一接合层，与至少一第一介电层以及第一密封层两者重叠；以及第二晶圆，接合至第一晶圆，第二晶圆包含第二基板；至少一第二介电层，于第二基板下方；第二密封层，于第二晶圆的第二边缘区；以及第二接合层，与至少一第二介电层以及第二密封层两者重叠，第二接合层接合至第一接合层。

公开(公告)号：CN220253241U

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202320910348.9

申请日：2023-04-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  戴世芃 ,  余国宠 ,  余振华 ,  王伟民

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/52

Abstract: 一种半导体装置，所述半导体装置包括第一半导体晶粒、第二半导体晶粒、热硅衬底以及包封体。第二半导体晶粒设置于第一半导体晶粒上且电性连接至第一半导体晶粒。热硅衬底设置于第一半导体晶粒上，其中热硅衬底与第二半导体晶粒间隔开。包封体设置于第一半导体晶粒上。包封体对第二半导体晶粒及热硅衬底进行包封。包封体包括填充材料层及绝缘体，其中填充材料层设置于第一半导体晶粒上且位于第二半导体晶粒与热硅衬底之间，且填充材料层藉由绝缘体而与第二半导体晶粒及热硅衬底间隔开。