公开(公告)号：CN119132975A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411012245.6

申请日：2024-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄友怡 ,  郭佑豪 ,  张巧君 ,  蔡睿轩 ,  林瑀宏 ,  戴世芃 ,  涂纪诚 ,  余振华

IPC: H01L21/50 ,  H01L25/16 ,  H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  G02B6/42

Abstract: 提供一种形成半导体封装的方法。所述方法包括形成从基板的顶表面凹陷的微透镜，微透镜的表面与基板的顶表面之间形成凹形区域。所述方法包括使用旋涂制程沉积填充凹形区域的一部分的第一介电材料。所述方法包括使用化学气相沉积制程沉积填充凹形区域的剩余部分并覆盖基板的顶表面的第二介电材料。所述方法包括平坦化第二介电材料。所述方法包括在平坦化的第二介电材料上以及基板的顶表面之上形成接合层。所述方法包括经由接合层将半导体晶圆接合至基板。

公开(公告)号：CN221926735U

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202420356517.3

申请日：2024-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  黄友怡 ,  尤志豪 ,  颜于婷 ,  戴世芃

IPC: G02B6/42

Abstract: 本实用新型提供光学装置包含:凹面基底，凹面基底包含:支撑材料；第一遮罩材料，不同于支撑材料；及凹面，形成于支撑材料中；接合层，接合至第一遮罩材料；电子集成电路装置，相邻于接合层；以及光学中介层，接合至电子集成电路装置。

公开(公告)号：CN222813598U

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202421197148.4

申请日：2024-05-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗珮瑄 ,  柯志明 ,  洪政男 ,  吴仲融 ,  黄友怡

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/31

Abstract: 一种封装结构，包括形成在第一基底上的第一接合膜以及形成在第一接合膜中的第一对位标记。第一对位标记包括彼此分隔开的多个第一图案。封装结构包括第二接合膜，形成在第二基底上并接合到第一接合膜。封装结构包括第二对位标记，形成在第二接合膜中。第二对位标记包括彼此分隔开的多个第二图案。在俯视图中，第一对位标记与第二对位标记分隔开，并且相邻的第一图案之间的距离小于第一对位标记与第二对位标记之间的距离。

公开(公告)号：CN222690679U

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202421221143.0

申请日：2024-05-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  戴世芃 ,  黄友怡 ,  郭佑豪

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 一种封装结构，包括具有第一表面和第二表面的基底。第二表面相对于第一表面。此封装结构包括形成在基底中的多个基底通孔(TSV)结构。基底通孔结构的宽度从第一表面向第二表面逐渐缩小。封装结构包括接合至基底的第一表面的芯片。封装结构亦包括接合到基底的第一表面并且邻接于芯片的多个晶粒。封装结构还包括形成在芯片和晶粒之间的成型材料。此外，封装结构包括连接至第二表面上的基底通孔结构的多个凸块结构。

公开(公告)号：CN220934056U

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202322346983.1

申请日：2023-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄友怡 ,  王伟民 ,  陈承 ,  余国宠 ,  林瑀宏 ,  戴世芃

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485

Abstract: 一种封装体，包含第一晶圆，包含第一基板；至少一第一介电层，于第一基板上方；第一密封层，于第一晶圆的第一边缘区；以及第一接合层，与至少一第一介电层以及第一密封层两者重叠；以及第二晶圆，接合至第一晶圆，第二晶圆包含第二基板；至少一第二介电层，于第二基板下方；第二密封层，于第二晶圆的第二边缘区；以及第二接合层，与至少一第二介电层以及第二密封层两者重叠，第二接合层接合至第一接合层。