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公开(公告)号：CN114927509A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210064434.2
申请日：2022-01-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/538 , H01L23/16 , H01L21/50
Abstract: 一种方法包括将第一层器件管芯接合至载体，形成第一间隙填充区域以密封第一层器件管芯，在第一层器件管芯上方形成第一再分布结构，并且第一再分布结构电连接至第一层器件管芯，以及将第二层器件管芯接合至第一层器件管芯。第二层器件管芯位于第一层器件管芯上方，并且第二层器件管芯横向延伸超出第一层器件管芯的相应边缘。该方法还包括形成第二间隙填充区域以密封第二层器件管芯，去除载体，以及形成穿透第一间隙填充区域的介电通孔。介电通孔与第二层器件管芯重叠并且电连接至第二层器件管芯。形成第二再分布结构，其中第一再分布结构和第二再分布结构位于第一层器件管芯的相对侧上。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN112530930A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010017306.3
申请日：2020-01-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例公开半导体封装。一种半导体封装包括集成电路、第一管芯及第二管芯。第一管芯包括第一接合结构及第一密封环。第一接合结构接合到集成电路且设置在第一管芯的第一侧处。第二管芯包括第二接合结构。第二接合结构接合到集成电路且设置在第二管芯的第一侧处。第一管芯的第一侧向第二管芯的第一侧。第一密封环的第一部分设置在第一侧与第一接合结构之间，且第一部分的宽度小于第一密封环的第二部分的宽度。
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公开(公告)号：CN111863801A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910588978.7
申请日：2019-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供集成电路封装及其形成方法。一种集成电路封装包括集成电路结构、第一管芯堆叠及虚设管芯。第一管芯堆叠包括多个第一管芯结构且在第一管芯堆叠的第一侧处结合到集成电路结构。虚设管芯包括多个衬底穿孔，位于第一管芯堆叠旁边且在第一管芯堆叠的第一侧处电连接到集成电路结构。在一些实施例中，虚设管芯的衬底穿孔的高度与第一管芯堆叠的高度相同。
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公开(公告)号：CN111211058A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201911139975.1
申请日：2019-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/768 , H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 一种方法，包括：抛光第一管芯的半导体衬底以露出延伸至所述半导体衬底中的第一通孔、在所述半导体衬底上形成第一介电层、以及在所述介电层中形成多个接合焊盘。所述多个接合焊盘包括有源接合焊盘和伪接合焊盘。所述有源接合焊盘电耦接至所述第一通孔。所述第一管芯接合至第二管芯，所述有源接合焊盘和所述伪接合焊盘均接合至所述第二管芯中的对应的接合焊盘。本发明的实施例涉及形成封装的方法、以及集成电路器件的封装。
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公开(公告)号：CN116344509A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202210861195.3
申请日：2022-07-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/60
Abstract: 一种形成封装件的方法包括将第一多个有源管芯接合到晶圆中的第二多个有源管芯。第二多个有源管芯在晶圆的内部区域中。第一多个伪管芯接合到晶圆中的第二多个伪管芯。第二多个伪管芯在晶圆的外围区域中，并且外围区域包围内部区域。根据本申请的其他实施例，还提供了其他形成封装件的方法。
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公开(公告)号：CN115692376A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210938467.5
申请日：2022-08-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/535 , H01L23/31 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L21/50
Abstract: 实施例利用桥接管芯，桥接管芯直接接合至两个或多个器件管芯并且桥接两个或多个器件管芯。每个器件管芯可以具有堆叠在其上的附加器件管芯。在一些实施例中，桥接管芯可以桥接设置在桥接管芯下方和上方的器件管芯。在一些实施例中，几个桥接管芯可以用于将器件管芯桥接至其他邻近的器件管芯。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN111211058B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201911139975.1
申请日：2019-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/768 , H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 一种方法，包括：抛光第一管芯的半导体衬底以露出延伸至所述半导体衬底中的第一通孔、在所述半导体衬底上形成第一介电层、以及在所述介电层中形成多个接合焊盘。所述多个接合焊盘包括有源接合焊盘和伪接合焊盘。所述有源接合焊盘电耦接至所述第一通孔。所述第一管芯接合至第二管芯，所述有源接合焊盘和所述伪接合焊盘均接合至所述第二管芯中的对应的接合焊盘。本发明的实施例涉及形成封装的方法、以及集成电路器件的封装。
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公开(公告)号：CN110034103B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201811440519.6
申请日：2018-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L21/98
Abstract: 本发明实施例公开一种半导体结构，包括第一管芯及第二管芯。所述第一管芯包括其中设置有第一多个结合垫的第一氧化物结合层及设置在所述第一氧化物结合层中的第一密封环。所述第一氧化物结合层在所述第一密封环之上延伸。所述第二管芯包括其中设置有第二多个结合垫的第二氧化物结合层。所述第一多个结合垫结合到所述第二多个结合垫。所述第一氧化物结合层结合到所述第二氧化物结合层。夹置在所述第一密封环与所述第二氧化物结合层之间的区域不含结合垫。
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公开(公告)号：CN112687657A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010026095.X
申请日：2020-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522
Abstract: 一种半导体封装包括第一管芯及第二管芯。第一管芯包括电感器的第一螺旋段及第一结合金属。第一结合金属连接到第一螺旋段。第二管芯结合到第一管芯。第二管芯包括电感器的第二螺旋段及第二结合金属。第二结合金属连接到第二螺旋段。电感器从第一管芯延伸到第二管芯。
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公开(公告)号：CN110034103A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811440519.6
申请日：2018-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L21/98
Abstract: 本发明实施例公开一种半导体结构，包括第一管芯及第二管芯。所述第一管芯包括其中设置有第一多个结合垫的第一氧化物结合层及设置在所述第一氧化物结合层中的第一密封环。所述第一氧化物结合层在所述第一密封环之上延伸。所述第二管芯包括其中设置有第二多个结合垫的第二氧化物结合层。所述第一多个结合垫结合到所述第二多个结合垫。所述第一氧化物结合层结合到所述第二氧化物结合层。夹置在所述第一密封环与所述第二氧化物结合层之间的区域不含结合垫。
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