公开(公告)号：CN111508928A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010052914.8

申请日：2020-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑淑蓉 ,  余振华 ,  刘重希 ,  蔡豪益 ,  潘国龙 ,  郭庭豪 ,  赖季晖

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/498

Abstract: 一种封装装置包括封装。所述封装包括：多个管芯；包封体，包封所述多个管芯；以及重布线结构，位于所述多个管芯及包封体之上。所述封装装置还包括：第一插座，结合到重布线结构的顶表面；以及刚性/柔性衬底，结合到重布线结构的顶表面。所述刚性/柔性衬底包括：第一刚性部分；第二刚性部分；以及柔性部分，夹置在第一刚性部分与第二刚性部分之间。所述封装装置还包括：第二插座，结合到刚性/柔性衬底的第一刚性部分；以及连接件模块，结合到刚性/柔性衬底的第二刚性部分。

公开(公告)号：CN111508920A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201911015739.9

申请日：2019-10-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖季晖 ,  余振华 ,  刘重希 ,  蔡豪益 ,  潘国龙 ,  郭庭豪 ,  郑淑蓉

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L25/16 ,  H01L21/56 ,  H01L21/98

Abstract: 在实施例中，一种封装装置包括封装组件，所述封装组件包括：第一集成电路管芯；包封体，至少局部地环绕第一集成电路管芯；重布线结构，位于包封体上，所述重布线结构与第一集成电路管芯进行实体耦合及电耦合；第一模块插座，贴合到重布线结构；中介层，与第一模块插座相邻地贴合到重布线结构，所述中介层的最外界限延伸超出重布线结构的最外界限；以及外部连接件，贴合到中介层。

公开(公告)号：CN119517907A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411542030.5

申请日：2024-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖季晖 ,  陈扬哲 ,  陆湘台 ,  林伟睿 ,  廖则玮 ,  李明骏

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体结构包括：第一衬底，具有器件区域和围绕器件区域的环区域；第一互连结构，位于第一衬底上方，第一互连结构包括第一通孔塔和第二通孔塔；第一接合层，位于第一互连结构上方并且包括第一金属接合部件；第二接合层，位于第一接合层上方并且包括与第一金属接合部件接触的第二金属接合部件；以及第二互连结构，位于第二接合层上方，第二互连结构包括第三通孔塔，第三通孔塔延伸穿过第二互连结构并且设置在环区域正上方。第一通孔塔通过第一金属线电耦接到第二通孔塔。第一通孔塔通过第一金属接合部件和第二金属接合部件电耦接到第三通孔塔。本公开的实施例还提供了器件结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN110957295B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201910162856.1

申请日：2019-03-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戴志轩 ,  赖季晖 ,  曾英诚 ,  吴邦立 ,  郭婷婷 ,  黄育智 ,  刘家宏 ,  蔡豪益 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 半导体封装件包括半导体器件，该半导体器件包括第一UBM结构，其中第一UBM结构包括：多个第一导电条，第一导电条沿第一方向延伸；多个第二导电条，多个第二导电条与多个第一导电条分离并交错，第二导电条沿第一方向延伸，其中多个第一导电条在第一方向上与多个第二导电条偏移第一偏移距离；以及衬底，包括：第二UBM结构，第二UBM结构包括多个第三导电条，多个第三导电条中的每一个接合到多个第一导电条中的一个或多个第二导电条中的一个。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN112864137A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011320455.3

申请日：2020-11-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  刘重希 ,  蔡豪益 ,  郭庭豪 ,  赖季晖

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/367 ,  H01L23/40

Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种封装器件。实施例包含第一封装组件，第一封装组件包含第一集成电路管芯和至少部分地包围第一集成电路管芯的第一密封体。器件还包含位于第一密封体上且耦合到第一集成电路管芯的重布线结构。器件还包含耦合到第一集成电路管芯的第一热模块。器件还包含接合到第一封装组件的第二封装组件，第二封装组件包含附接到第一封装组件的电源模块，电源模块包含有源器件。器件还包含耦合到电源模块的第二热模块。器件还包含从第二热模块的顶部表面延伸到第一热模块的底部表面的机械支架，机械支架物理接触第一热模块和第二热模块。

公开(公告)号：CN112436001A

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN202010868186.8

申请日：2020-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  潘国龙 ,  郑淑蓉 ,  赖季晖 ,  郭庭豪 ,  蔡豪益 ,  刘重希

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/98

Abstract: 一种封装件包括：封装衬底；中介层，位于封装衬底上方并且接合至封装衬底；第一晶圆，位于中介层上方并且接合至中介层；以及第二晶圆，位于第一晶圆上方并且接合至第一晶圆。第一晶圆中具有独立的无源器件管芯。第二晶圆中具有有源器件管芯。本发明的实施例还涉及封装件的形成方法。

公开(公告)号：CN110957229A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910912553.7

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江宗宪 ,  黄育智 ,  郭婷婷 ,  戴志轩 ,  吴邦立 ,  曾英诚 ,  赖季晖 ,  刘家宏 ,  蔡豪益 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

Abstract: 在实施例中，半导体器件包括：传感器管芯，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，传感器管芯在第一表面处具有输入/输出区域和第一感测区域；密封剂，至少横向地密封传感器管芯；导电通孔，延伸穿过密封剂；以及前侧再分布结构，位于传感器管芯的第一表面上，前侧再分布结构连接至导电通孔和传感器管芯，前侧再分布结构覆盖传感器管芯的输入/输出区域，前侧再分布结构具有暴露传感器管芯的第一感测区域的第一开口。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN109755192A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811292332.6

申请日：2018-11-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄育智 ,  赖季晖 ,  吴邦立 ,  曾英诚 ,  郭婷婷 ,  戴志轩 ,  蔡豪益 ,  王垂堂 ,  刘重希 ,  余振华 ,  刘家宏

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/528 ,  H01L23/498

Abstract: 半导体封装件包括集成无源器件(IPD)，集成无源器件(IPD)包括位于第一衬底上方的一个或多个无源器件；以及位于一个或多个无源器件上方并且电连接至一个或多个无源器件的金属化层，其中，金属化层的最顶部金属化层包括多个第一导电图案；以及与导电图案的多个第一导电图案交错的多个第二导电图案。IPD也包括位于最顶部金属化层上方的第一凸块下金属(UBM)结构，其中，第一UBM结构包括多个第一导电带，多个第一导电带的每个均电连接至多个第一导电图案中的相应的一个；多个第二导电带与多个第一导电带交错，多个第二导电带的每个均电连接至多个第二导电图案中的相应的一个。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN220774370U

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202321799906.5

申请日：2023-07-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖季晖 ,  林伟睿 ,  陈扬哲 ,  陆湘台

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/544 ,  H01L23/528

Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置。所述半导体装置包括第一电路区、第二电路区、内部切割道以及连接密封结构。第一电路区设置于衬底的上方且被第一密封环结构环绕。第二电路区设置于衬底的上方且被第二密封环结构环绕。内部切割道设置于第一电路区与第二电路区之间。连接密封结构连接第一密封环结构和第二密封环结构，使得第一密封环结构的部分、第二密封环结构的一部分和连接密封结构环绕内部切割道。本实用新型可以在装置开发阶段减少光掩模的数量。