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公开(公告)号：CN111384043A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911358692.6
申请日：2019-12-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/485 , H01L23/528 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 公开了封装的半导体器件及其形成方法，封装的半导体器件包括设置在电源模块和包含集成电路的封装件之间的包含集成无源器件的封装组件。在实施例中，一种器件包括：第一封装组件，包括第一集成电路管芯；第一密封剂，至少部分地围绕第一集成电路管芯；以及再分布结构，位于第一密封剂上并且耦合至第一集成电路管芯；第二封装组件，接合到第一封装组件，第二封装组件包括集成无源器件；以及第二密封剂，至少部分地围绕集成无源器件；以及电源模块，通过第二封装组件附接到第一封装组件。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN110957229B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201910912553.7
申请日：2019-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在实施例中，半导体器件包括：传感器管芯，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，传感器管芯在第一表面处具有输入/输出区域和第一感测区域；密封剂，至少横向地密封传感器管芯；导电通孔，延伸穿过密封剂；以及前侧再分布结构，位于传感器管芯的第一表面上，前侧再分布结构连接至导电通孔和传感器管芯，前侧再分布结构覆盖传感器管芯的输入/输出区域，前侧再分布结构具有暴露传感器管芯的第一感测区域的第一开口。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN113053761A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011524118.6
申请日：2020-12-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L23/31
Abstract: 一种方法包括将多个封装组件密封在密封剂中；以及在多个封装组件上方形成电耦合至多个封装组件的多个第一再分布层。多个第一再分布层具有多个电源/接地焊盘堆叠件，多个电源/接地焊盘堆叠件中的每个都具有位于多个第一再分布层中的每个中的焊盘。多个电源/接地焊盘堆叠件包括多个电源焊盘堆叠件和多个接地焊盘堆叠件。在多个第一再分布层上方形成至少一个第二再分布层。第二再分布层包括电连接至多个电源/接地焊盘堆叠件的电源线和电接地线。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN112436001B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202010868186.8
申请日：2020-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种封装件包括：封装衬底；中介层，位于封装衬底上方并且接合至封装衬底；第一晶圆，位于中介层上方并且接合至中介层；以及第二晶圆，位于第一晶圆上方并且接合至第一晶圆。第一晶圆中具有独立的无源器件管芯。第二晶圆中具有有源器件管芯。本发明的实施例还涉及封装件的形成方法。
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公开(公告)号：CN110970387B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910608348.1
申请日：2019-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L27/08 , H01L21/48 , H01L21/768 , H01L21/82
Abstract: 半导体器件包括无源电子组件，位于衬底中；以及互连结构，位于无源电子组件上方，互连结构的导电部件电耦合到无源电子组件。互连结构的导电部件包括：第一导线，位于衬底上方；导电凸块，位于第一导线上方，其中，在平面图中，导电凸块具有第一细长形状并且完全设置在第一导线的边界内；以及第一通孔，位于第一导线和导电凸块之间，第一通孔电连接到第一导线和导电凸块，其中，在平面图中，第一通孔具有第二细长形状并且完全设置在导电凸块的边界内。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110970387A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910608348.1
申请日：2019-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L27/08 , H01L21/48 , H01L21/768 , H01L21/82
Abstract: 半导体器件包括无源电子组件，位于衬底中；以及互连结构，位于无源电子组件上方，互连结构的导电部件电耦合到无源电子组件。互连结构的导电部件包括：第一导线，位于衬底上方；导电凸块，位于第一导线上方，其中，在平面图中，导电凸块具有第一细长形状并且完全设置在第一导线的边界内；以及第一通孔，位于第一导线和导电凸块之间，第一通孔电连接到第一导线和导电凸块，其中，在平面图中，第一通孔具有第二细长形状并且完全设置在导电凸块的边界内。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN110957295A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910162856.1
申请日：2019-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 半导体封装件包括半导体器件，该半导体器件包括第一UBM结构，其中第一UBM结构包括：多个第一导电条，第一导电条沿第一方向延伸；多个第二导电条，多个第二导电条与多个第一导电条分离并交错，第二导电条沿第一方向延伸，其中多个第一导电条在第一方向上与多个第二导电条偏移第一偏移距离；以及衬底，包括：第二UBM结构，第二UBM结构包括多个第三导电条，多个第三导电条中的每一个接合到多个第一导电条中的一个或多个第二导电条中的一个。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113053761B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202011524118.6
申请日：2020-12-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L23/31
Abstract: 一种方法包括将多个封装组件密封在密封剂中；以及在多个封装组件上方形成电耦合至多个封装组件的多个第一再分布层。多个第一再分布层具有多个电源/接地焊盘堆叠件，多个电源/接地焊盘堆叠件中的每个都具有位于多个第一再分布层中的每个中的焊盘。多个电源/接地焊盘堆叠件包括多个电源焊盘堆叠件和多个接地焊盘堆叠件。在多个第一再分布层上方形成至少一个第二再分布层。第二再分布层包括电连接至多个电源/接地焊盘堆叠件的电源线和电接地线。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN111384043B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201911358692.6
申请日：2019-12-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/485 , H01L23/528 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 公开了封装的半导体器件及其形成方法，封装的半导体器件包括设置在电源模块和包含集成电路的封装件之间的包含集成无源器件的封装组件。在实施例中，一种器件包括：第一封装组件，包括第一集成电路管芯；第一密封剂，至少部分地围绕第一集成电路管芯；以及再分布结构，位于第一密封剂上并且耦合至第一集成电路管芯；第二封装组件，接合到第一封装组件，第二封装组件包括集成无源器件；以及第二密封剂，至少部分地围绕集成无源器件；以及电源模块，通过第二封装组件附接到第一封装组件。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN109755192B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201811292332.6
申请日：2018-11-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/528 , H01L23/498
Abstract: 半导体封装件包括集成无源器件(IPD)，集成无源器件(IPD)包括位于第一衬底上方的一个或多个无源器件；以及位于一个或多个无源器件上方并且电连接至一个或多个无源器件的金属化层，其中，金属化层的最顶部金属化层包括多个第一导电图案；以及与导电图案的多个第一导电图案交错的多个第二导电图案。IPD也包括位于最顶部金属化层上方的第一凸块下金属(UBM)结构，其中，第一UBM结构包括多个第一导电带，多个第一导电带的每个均电连接至多个第一导电图案中的相应的一个；多个第二导电带与多个第一导电带交错，多个第二导电带的每个均电连接至多个第二导电图案中的相应的一个。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法。
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