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公开(公告)号：CN117634320A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202410096904.2
申请日：2024-01-24
Applicant: 合肥工业大学
IPC: G06F30/27 , G06F17/18 , G06F111/06 , G06F119/02
Abstract: 本发明提出一种基于深度强化学习的三相高频变压器多目标优化设计方法，基于DDPG算法进行多目标寻优。利用人工神经网络替代复杂的漏感计算公式，可以快速准确地得到漏感参数，结合DDPG算法进行多目标寻优，节省计算资源，提高变压器的功率密度、效率和可靠性，并使寄生参数快速准确获得，进而精准控制寄生参数，为后续的工程设计提供支持。
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公开(公告)号：CN116629184B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310904625.X
申请日：2023-07-24
Applicant: 合肥工业大学
IPC: G06F30/373 , G06N3/006 , G06N3/126 , G06N3/0499 , H02M7/537 , G06F111/06
Abstract: 本发明提供了一种逆变器系统的多目标优化方法，属于电力电子技术领域。该优化方法首先以效率、功率密度为目标函数，建立双目标优化模型；利用NSGA‑II算法求解双目标优化模型，得到优秀子代种群；利用前馈型人工神经网络检验子代种群中个体的共模噪声抑制是否达标；将达标的个体在上述双目标优化模型中求得效率‑功率密度解集；根据需要选择实施方案。本发明优化方法，不仅能快速得到所需优化目标的解集，避免计算时间过长的问题，而且能全面评价系统中不同目标的性能特别是共模噪声抑制情况，更符合实际，从而得到可行的逆变器系统设计方案。
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公开(公告)号：CN113793841B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202111090202.6
申请日：2021-09-16
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L23/498 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种平衡多芯片并联功率模块电流的DBC基板结构，属于模块封装技术领域。该DBC基板结构从上至下依次为顶部铜层、陶瓷层和底部铜层。其中顶部铜层中的SiC半导体芯片为两组并联SiC半导体芯片，在矩形DBC基板上平行直线排布，且在直线布局中还设置了排布均匀的缓冲区，可以平衡DBC基板的热应力，减少翘曲现象的发生。同时，本发明运用对称等距的思想方法，根据电路的功率等级，可以扩展SiC半导体芯片并联数量，设计相同的电流路径以及合适的端口位置和数量，使DBC基板上贴装的SiC半导体芯片具有均衡的电流分布，提高模块使用寿命。
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公开(公告)号：CN113916930B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202111176138.3
申请日：2021-10-09
Applicant: 合肥工业大学 , 清华大学深圳国际研究生院
Abstract: 一种半晶态聚合物复合材料中各相的相对含量的检测方法，包括：采用差示扫描量热仪测试晶相的结晶热焓；计算晶相的结晶热焓与聚合物基体于物理论上完全结晶释放的热焓的比，得到晶相的相对含量；通过宽频介电谱仪识别界面相、无受限分子链的柔性非晶相、及片晶层附近受限分子链的刚性非晶相的松弛峰；于介电谱线中确认界面相、片晶层间受限分子链的刚性非晶相、及无受限分子链的柔性非晶相的松弛峰，并拟合出界面相、片晶层附近受限分子链的刚性非晶相、及无受限分子链的柔性非晶相的松弛峰的强度比；基于松弛峰强度比及多相模型理论，计算出界面相、片晶层附近受限分子链的刚性非晶相、及无受限分子链的柔性非晶相的相对含量。
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公开(公告)号：CN112821794B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110033944.9
申请日：2021-01-11
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H02M7/487
Abstract: 本发明提供了一种单相有源中点钳位三电平软开关逆变器电路及调制策略，属于单相逆变器技术领域。本发明软开关逆变器电路包括单相有源中点钳位逆变主电路、辅助电路、滤波电路以及负载。与传统的交流侧软开关零电压开通拓扑相比，本发明的辅助电路仅包含一个开关管，所需开关管数量较少；本发明提供的电路及其调制策略在没有使用额外电流传感器的情况下，解决了辅助电路电流正向下降至零之后会反向增加的问题；辅助电路在使用定时间充电的情况下，由于电路拓扑自身的特性，辅助电路电流与负载电流自适应，轻载下辅助电路损耗很低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113916930A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111176138.3
申请日：2021-10-09
Applicant: 合肥工业大学 , 清华大学深圳国际研究生院
Abstract: 一种半晶态聚合物复合材料中各相的相对含量的检测方法，包括：采用差示扫描量热仪测试晶相的结晶热焓；计算晶相的结晶热焓与聚合物基体于物理论上完全结晶释放的热焓的比，得到晶相的相对含量；通过宽频介电谱仪识别界面相、无受限分子链的柔性非晶相、及片晶层附近受限分子链的刚性非晶相的松弛峰；于介电谱线中确认界面相、片晶层间受限分子链的刚性非晶相、及无受限分子链的柔性非晶相的松弛峰，并拟合出界面相、片晶层附近受限分子链的刚性非晶相、及无受限分子链的柔性非晶相的松弛峰的强度比；基于松弛峰强度比及多相模型理论，计算出界面相、片晶层附近受限分子链的刚性非晶相、及无受限分子链的柔性非晶相的相对含量。
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公开(公告)号：CN111554645B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202010268574.2
申请日：2020-04-07
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L23/473 , H01L23/492 , H01L25/16
Abstract: 本发明公开了一种集成叠层母排的双面水冷SiC半桥模块封装结构。所述封装结构包括主体结构、外部连接结构以及散热装置，外部连接结构和散热装置均与主体结构相连。所述主体结构包括上DBC、下DBC、SiC半导体芯片、垫片。所述外部连接结构包括叠层母排和交流母排，叠层母排又包括正极母排和负极母排。所述散热器包括两个水冷散热器，分别与上DBC、下DBC相连。本封装结构的优点是寄生电感的值低，均流效果好，散热系数高以及散热均衡，实现了装置的小型化、模块化、标准化设计，并且可以充分发挥SiC器件的高速、高温特性。
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公开(公告)号：CN113098277A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110305652.6
申请日：2021-03-19
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H02M3/335 , H02M1/14 , H02M7/483 , H02M7/5387 , H02M7/219
Abstract: 本发明提供了一种五相LLC谐振变换器及双目标预估优化控制方法，属于电力电子变流器领域。所述五相LLC谐振变换器包括直流电源F，五相全桥逆变器，谐振腔组，变压器，五相不控整流器，滤波电容C，负载R。所述双目标预估优化控制方法包括电路参数采样、理论最大谐振电流预估、判断、预估优化直流输入电压和优化开关频率；更新电路参数。本发明的五相LLC谐振变换器可以降低五相全桥逆变器的开关管电流应力，降低输出电容电压纹波率，适用于大功率场合，即本发明的双目标预估优化控制方法通过对电路参数的动态采样和预估优化，提高了变换器的可靠性和安全性。
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公开(公告)号：CN110095671B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201910410790.3
申请日：2019-05-17
Applicant: 合肥工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种考虑热电偶胶水影响的IGBT老化实验热阻修正方法。该发明基于IGBT模块功率循环加速老化实验，并考虑了在IGBT模块功率循环加速老化实验过程中热电偶胶水的脱落与替换对热阻提取值的影响。该发明在实验提取热阻过程中，通过多次判断，选择不同情况下对应的热阻修正计算式，对提取值进行修正。该发明提高了实验结果的准确度，确保了在加速老化实验过程中，IGBT模块的老化程度不会被热电偶胶水影响而误判。该发明提出的修正方法简单直观，易于操作。
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公开(公告)号：CN110572062A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910774292.7
申请日：2019-08-21
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种三相三电平ANPC消除共模电流逆变系统。所述系统包括直流电源，直流侧电路，三相三电平ANPC逆变电路，滤波电路，负载。直流电源包括直流电源对地共模寄生电容，直流侧电路包括一个共模电感，三相三电平ANPC逆变电路包括逆变主电路和两个相同的支撑电容，滤波电路包括三个相同的滤波电感，三个相同的滤波电容和一个拉回直流母线中点的电感，负载包括三条交流母线。本发明提供的逆变系统，添加的辅助元器件成本低，占用体积小，可以在高频条件下，消除不确定的直流电源寄生电容参数的影响，实现有效的共模电流消除。
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